Modeling of Chemical Vapor Deposition of Tungsten Films

مدل‌سازی تجهیزات نیمه‌رسانا در سال‌های اخیر به یک زمینه مورد علاقه تبدیل شده است، زیرا پتانسیل پشتیبانی از توسعه و بهینه‌سازی تجهیزات ساخت و در نتیجه کاهش هزینه و بهبود کیفیت راکتورها را ارائه می‌دهد. این کتاب نتیجه دو خط تحقیقاتی موازی است که با موضوع مشابه - مدلسازی فرآیندهای CVD تنگستن - سروکار دارند، که به طور مستقل تحت شرایط مرزی بسیار متفاوتی تشکیل شده‌اند. از یک طرف، کریس کلیجن، که در یک محیط تحقیقاتی دانشگاهی کار می کرد، توانست به اندازه کافی عمیق در این موضوع وارد شود تا پایه های محکمی داشته باشد و صحت همه مفروضات مطرح شده در کار خود را ثابت کند. از طرف دیگر، کریستوف ورنر، که در زمینه یک آزمایشگاه تحقیقات صنعتی کار می کرد، توانست از نزدیک با مهندسان تولید و توسعه در یک خط پردازش نیمه هادی مدرن زیر میکرون تعامل داشته باشد. به دلیل این رویکردهای مختلف، همکاری غیررسمی در طول پروژه‌ها برای هر دو طرف بسیار مفید بود، حتی اگر - یا شاید به این دلیل - کدهای کامپیوتری مختلف، راکتورهای CVD مختلف و همچنین مدل‌های کمی متفاوت استفاده شد. با وجود تناقضاتی که ممکن است از این رویکرد دوگانه ناشی شود، ما احساس می کنیم که ارائه هر دو مجموعه نتایج در یک کتاب برای افرادی که در پروژه های مشابه کار می کنند بسیار مفید خواهد بود.

Semiconductor equipment modeling has in recent years become a field of great interest, because it offers the potential to support development and optimization of manufacturing equipment and hence reduce the cost and improve the quality of the reactors. This book is the result of two parallel lines of research dealing with the same subject - Modeling of Tungsten CVD processes -, which were per­ formed independently under very different boundary conditions. On the one side, Chris Kleijn, working in an academic research environment, was able to go deep enough into the subject to laya solid foundation and prove the validity of all the assumptions made in his work. On the other side, Christoph Werner, working in the context of an industrial research lab, was able to closely interact with manufacturing and development engineers in a modern submicron semiconductor processing line. Because of these different approaches, the informal collaboration during the course of the projects proved to be extremely helpful to both sides, even though - or perhaps because - different computer codes, different CVD reactors and also slightly different models were used. In spite of the inconsistencies which might arise from this double approach, we feel that the presentation of both sets of results in one book will be very useful for people working in similar projects.