مشخصات کتاب

Modeling and Design Techniques for RF Power Amplifiers

ویرایش: 1 
نویسندگان: Arvind Raghavan,  Nuttapong Srirattana,  Joy Laskar  
سری:  
ISBN (شابک) : 0471717460, 9780471717461 
ناشر: Wiley-IEEE Press 
سال نشر: 2008 
تعداد صفحات: 212 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 19 مگابایت 

در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد

در صورت تبدیل فایل کتاب Modeling and Design Techniques for RF Power Amplifiers به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب تکنیک های مدل سازی و طراحی تقویت کننده های توان RF نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب تکنیک های مدل سازی و طراحی تقویت کننده های توان RF

دستیابی به سطوح بالاتر عملکرد، یکپارچگی، فشردگی و مقرون به صرفه بودن در طراحی و مدل‌سازی تقویت‌کننده‌های توان فرکانس رادیویی (RF) تقویت‌کننده‌های قدرت RF اجزای مهم هر فرستنده بی‌سیم هستند، اما اغلب عوامل محدودکننده در دستیابی به عملکرد بهتر و پایین‌تر هستند. هزینه در یک سیستم ارتباطی بی سیم - جامعه طراحی RF IC را با چالش های زیادی ارائه می دهد. نسل بعدی پیشرفت های تکنولوژیکی ارائه شده در این کتاب نتیجه تحقیقات پیشرفته در زمینه مدل سازی دستگاه های سیگنال بزرگ و طراحی تقویت کننده قدرت RF در موسسه فناوری جورجیا است و این پتانسیل را دارد که به طور قابل توجهی به مسائل مربوط به عملکرد و مقرون به صرفه بودن در این زمینه. تکنیک‌های مدل‌سازی و طراحی تقویت‌کننده‌های توان RF، که با صدها شکل و معادله کامل شده است، مهم‌ترین موضوعات مرتبط با طراحی تقویت‌کننده قدرت RF را در یک پوشش مختصر معرفی و بررسی می‌کند. با تمرکز بر تکنیک‌های افزایش کارایی و آخرین پیشرفت‌ها در این زمینه، پوشش شامل: مدل‌سازی دستگاه برای مدل‌سازی تجربی CAD دستگاه‌های دوقطبی مدل‌سازی مقیاس‌پذیر ماسفت‌های RF طراحی آی‌سی تقویت‌کننده قدرت طراحی تقویت‌کننده قدرت در سیلیکون افزایش راندمان تقویت‌کننده‌های توان RF شرح وضعیت-حالت تکنیک‌های هنری، این کتاب را به یک مرجع ارزشمند و مفید برای مهندسان و محققان حرفه‌ای تبدیل می‌کند، در حالی که گستردگی پوشش آن را به متنی ایده‌آل برای دوره‌های کارشناسی ارشد و پیشرفته در سطح کارشناسی در زمینه طراحی و مدل‌سازی تقویت‌کننده قدرت RF تبدیل می‌کند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Achieve higher levels of performance, integration, compactness, and cost-effectiveness in the design and modeling of radio-frequency (RF) power amplifiersRF power amplifiers are important components of any wireless transmitter, but are often the limiting factors in achieving better performance and lower cost in a wireless communication system—presenting the RF IC design community with many challenges. The next-generation technological advances presented in this book are the result of cutting-edge research in the area of large-signal device modeling and RF power amplifier design at the Georgia Institute of Technology, and have the potential to significantly address issues of performance and cost-effectiveness in this area.Richly complemented with hundreds of figures and equations, Modeling and Design Techniques for RF Power Amplifiers introduces and explores the most important topics related to RF power amplifier design under one concise cover. With a focus on efficiency enhancement techniques and the latest advances in the field, coverage includes:Device modeling for CADEmpirical modeling of bipolar devicesScalable modeling of RF MOSFETsPower amplifier IC designPower amplifier design in siliconEfficiency enhancement of RF power amplifiersThe description of state-of-the-art techniques makes this book a valuable and handy reference for practicing engineers and researchers, while the breadth of coverage makes it an ideal text for graduate- and advanced undergraduate-level courses in the area of RF power amplifier design and modeling.

فهرست مطالب

MODELING AND DESIGN TECHNIQUES FOR RF POWER AMPLIFIERS......Page 5
CONTENTS......Page 7
Preface......Page 11
1 Introduction......Page 15
1.1 Semiconductor Technology and RF Power Amplifier Design......Page 16
1.2 Device Modeling......Page 17
1.3 Power Amplifier IC Design......Page 18
1.5 Modulation Schemes......Page 19
1.6 Circuit Simulation......Page 23
1.7 Load-Pull Measurements......Page 24
References......Page 27
2.1 Introduction......Page 29
2.2 Bipolar Junction and Heterojunction Bipolar Transistors......Page 30
2.3.1 The Ebers–Moll Model......Page 32
2.3.2 The Gummel–Poon Model......Page 34
2.3.3 The VBIC Model......Page 39
2.3.4 MEXTRAM......Page 43
2.3.5 HICUM......Page 46
2.4 MOSFET Device Physics......Page 49
2.5.1 The Level 1 Model......Page 52
2.5.3 BSIM......Page 54
2.5.4 The BSIM2 and HSPICE Level 28 Models......Page 57
2.5.5 BSIM3......Page 58
2.5.7 BSIM4......Page 59
References......Page 60
3.1.1 Modeling the HBT versus the BJT......Page 63
3.1.2 Parameter Extraction......Page 64
3.1.3 Motivation for an Empirical Bipolar Device Model......Page 65
3.1.5 Compatibility between Large- and Small-Signal Models......Page 67
3.2.1 Current Source Model......Page 68
3.2.2 Current Source Model Parameter Extraction......Page 70
3.2.3 Extraction of Intrinsic Capacitances......Page 72
3.2.4 Extraction of Base Resistance......Page 74
3.2.5 Parameter Extraction Procedure......Page 75
3.3 Temperature-Dependent InGaP/GaAs HBT Large-Signal Model......Page 77
3.4 Empirical Si BJT Large-Signal Model......Page 85
3.5 Extension of the Empirical Modeling Method to the SiGe HBT......Page 91
References......Page 97
4.1 Introduction......Page 101
4.1.1 NQS Effects......Page 102
4.1.3 Distributed Substrate Resistance......Page 103
4.2.1 Scalability of MOSFET Model......Page 105
4.2.2 Extraction of Small-Signal Model Parameters......Page 108
4.2.3 Scalable Substrate Network Modeling......Page 115
4.2.4 Modified BSIM3v3 Model......Page 130
References......Page 134
5.1 Introduction......Page 137
5.2 Power Amplifier Design Methodology......Page 138
5.3 Classes of Operation......Page 139
5.4 Performance Metrics......Page 146
5.5 Thermal Instability and Ballasting......Page 150
References......Page 152
6.1 Introduction......Page 155
6.2 A 2.4-GHz High-Efficiency SiGe HBT Power Amplifier......Page 156
6.2.1 Circuit Design Considerations......Page 157
6.2.2 Analysis of Ballasting for SiGe HBT Power Amplifiers......Page 160
6.2.3 Harmonic Suppression Filter and Output Match Network......Page 162
6.2.4 Performance of the Power Amplifier Module......Page 164
6.3 RF Power Amplifier Design Using Device Periphery Adjustment......Page 167
6.3.1 Analysis of the Device Periphery Adjustment Technique......Page 169
6.3.2 1.9-GHz CMOS Power Amplifier......Page 171
6.3.3 1.9-GHz CDMA/PCS SiGe HBT Power Amplifier......Page 176
6.3.4 Nonlinear Term Cancellation for Linearity Improvement......Page 180
References......Page 183
7.1 Introduction......Page 187
7.2.1 Envelope Elimination and Restoration......Page 188
7.2.3 The Doherty Amplifier Technique......Page 189
7.2.4 Chireix’s Outphasing Amplifier Technique......Page 190
7.3 The Classical Doherty Amplifier......Page 193
7.4.1 Principle of Operation......Page 195
7.4.2 Analysis of Efficiency......Page 200
7.4.3 Practical Considerations......Page 202
7.4.4 Measurement Results......Page 204
References......Page 212
Index......Page 213

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Sociolinguistic Variation: Theories, Methods, and Applications

دانلود کتاب Z Boson Transverse Momentum Distribution, and ZZ and WZ Production: Measurements Using 7.3 – 8.6 fb–1 of p¯p Collisions at √s = 1.96 TeV

دانلود کتاب Triebwerke schnellaufender Verbrennungsmotoren: Grundlagen zur Berechnung und Konstruktion

دانلود کتاب Six tragedies

دانلود کتاب La construcción sexual de la realidad : el debate sobre la pornografía en el seno del feminismo contemporáneo.