برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-Integration

دانلود کتاب سنسورهای لایه نازک میکروماشین شده برای ادغام مشترک SOI-CMOS

مشخصات کتاب

Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-Integration

دسته بندی: ابزار
ویرایش: 1st Edition. 
نویسندگان: Jean Laconte,  Denis Flandre,  Jean-Pierre Raskin  
سری:  
ISBN (شابک) : 9781441939579, 1441939571 
ناشر: Springer 
سال نشر: 2010 
تعداد صفحات: 291 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 6 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 29,000

کلمات کلیدی مربوط به کتاب سنسورهای لایه نازک میکروماشین شده برای ادغام مشترک SOI-CMOS: ابزار دقیق، فناوری میکرو و نانو سیستم

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 18

در صورت تبدیل فایل کتاب Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-Integration به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب سنسورهای لایه نازک میکروماشین شده برای ادغام مشترک SOI-CMOS نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب سنسورهای لایه نازک میکروماشین شده برای ادغام مشترک SOI-CMOS

ادغام همزمان سنسورها با قطعات الکترونیکی مرتبط با آنها بر روی یک تراشه سیلیکونی ممکن است مزایای قابل توجهی را در مورد عملکرد، قابلیت اطمینان، کوچک‌سازی و سادگی فرآیند بدون افزایش قابل‌توجه هزینه کل ارائه دهد. و ادغام موفقیت آمیز حسگرهای جریان گاز بر روی غشای دی الکتریک، با الکترونیک مربوط به آنها، در فناوری CMOS-SOI را نشان می دهد. پردازش یک غشای چند لایه دی الکتریک مستحکم و مسطح به ضخامت 1 اینچ با استفاده از محلول میکروماشینکاری سیلیکون تترا متیل آمونیوم هیدروکسید (TMAH). بهینه سازی گزینش پذیری آن نسبت به آلومینیوم تا حد زیادی نشان داده شده است. بخش دوم بر طراحی و ویژگی های حسگرها تمرکز دارد. یک میکروهیتر پلی سیلیکونی حلقه شکل جدید در فرآیند استاندارد CMOS-SOI طراحی و ساخته شده است. یکنواختی حرارتی بالا، مصرف انرژی کم و دمای کاری بالا با اندازه گیری های گسترده تایید می شود. لایه‌های اضافی حسگر جریان گاز با احتیاط انتخاب و اجرا می‌شوند. اندازه‌گیری‌ها در حضور جریان نیتروژن و گاز حساسیت منصفانه را در محدوده سرعت جریان زیاد و همچنین پاسخ خوبی به بسیاری از گازها نشان می‌دهد. در نهایت، ترانزیستورهای MOS معلق بر روی غشاهای دی الکتریک آزاد شده ارائه شده و به طور کامل به عنوان یک نمایشگر نهایی از ادغام مشترک در فناوری SOI مشخص می‌شوند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Co-integration of sensors with their associated electronics on a single silicon chip may provide many significant benefits regarding performance, reliability, miniaturization and process simplicity without significantly increasing the total cost.Micromachined Thin-Film Sensors for SOI-CMOS Co-integration covers the challenges and interests and demonstrates the successful co-integration of gas-flow sensors on dielectric membrane, with their associated electronics, in CMOS-SOI technology.We firstly investigate the extraction of residual stress in thin layers and in their stacking and the release, in post-processing, of a 1 чm-thick robust and flat dielectric multilayered membrane using Tetramethyl Ammonium Hydroxide (TMAH) silicon micromachining solution. The optimization of its selectivity towards aluminum is largely demonstrated.The second part focuses on sensors design and characteristics. A novel loop-shape polysilicon microheater is designed and built in a CMOS-SOI standard process. High thermal uniformity, low power consumption and high working temperature are confirmed by extensive measurements. The additional gas flow sensing layers are judiciously chosen and implemented. Measurements in the presence of a nitrogen flow and gas reveal fair sensitivity on a large flow velocity range as well as good response to many gases. Finally, MOS transistors suspended on released dielectric membranes are presented and fully characterized as a concluding demonstrator of the co-integration in SOI technology.