Microelettronica

Microelettronica
Indice breve
Indice generale
Prefazione
Prefazione all’edizione americana
Autori e Curatori
Rigraziamenti dell’Editore
Indice Elettronica in azione
Guida alla lettura
Parte I Elettronica dello stato solido e dispositivi
	Capitolo 1 Introduzione all’elettronica
		1.1 Breve storia dell’elettronica: dai tubi a vuoto ai sistemi a scala di integrazione gigantesca
		1.2 Classificazione dei segnali elettronici
			1.2.1 Segnali digitali
			1.2.2 Segnali analogici
			1.2.3 Conversione D/A e A/D: i ponti fra i domini analogico e digitale
		1.3 Convenzioni sulle notazioni
		1.4 Metodologia per la soluzione dei problemi
		1.5 Richiami di teoria dei circuiti
			1.5.1 Partitore di tensione e di corrente
			1.5.2 Rappresentazioni circuitali di The´venin e Norton
		1.6 Spettro di frequenza dei segnali elettronici
		1.7 Amplificatori
			1.7.1 L’Amplificatore operazionale ideale
			1.7.2 Risposta in frequenza degli amplificatori
		1.8 Variazione dei parametri nella progettazione circuitale
			1.8.1 Il modello matematico delle tolleranze
			1.8.2 Analisi del caso peggiore
			1.8.3 Analisi Monte Carlo
			1.8.4 Coefficienti di temperatura
		1.9 Precisione numerica
		Riferimenti bibliografici
		Letture addizionali
	Capitolo 2 Elettronica dello stato solido
		2.1 Materiali dell’elettronica a stato solido
		2.2 Modello a legame covalente
		2.3 Correnti di deriva e mobilità nei semiconduttori
			2.3.1 Corrente di deriva
			2.3.2 Mobilità
			2.3.3 Saturazione della velocità di deriva
		2.4 Resistività del silicio intrinseco
		2.5 Impurità nei semiconduttori
			2.5.1 Impurità di tipo donatore per il silicio
			2.5.2 Impurità di tipo accettore per il silicio
		2.6 Concentrazioni degli elettroni e delle lacune nei semiconduttori estrinseci
			2.6.1 Semiconduttore di tipo n ðND > NAÞ
			2.6.2 Semiconduttore di tipo p ðNA > NDÞ
		2.7 Mobilità e resistività nei semiconduttori estrinseci
		2.8 Corrente di diffusione
		2.9 Corrente totale
		2.10 Modello a bande di energia
			2.10.1 Generazione di coppie elettrone-lacuna in un semiconduttore intrinseco
			2.10.2 Modello a bande di energia per un semiconduttore estrinseco
			2.10.3 Semiconduttori compensati
		2.11 Cenni sulla fabbricazione dei circuiti integrati
		Riferimenti bibliografici
		Letture addizionali
	Capitolo 3 Diodo a stato solido e circuiti a diodi
		3.1 Il diodo a giunzione pn
			3.1.1 Analisi elettrostatica della giunzione pn
			3.1.2 Correnti nel diodo
		3.2 Caratteristica i-v del diodo
		3.3 L’equazione del diodo: un modello matematico per il diodo
		3.4 Diodo in polarizzazione inversa, nulla e diretta
			3.4.1 Polarizzazione inversa
			3.4.2 Polarizzazione nulla
			3.4.3 Polarizzazione diretta
		3.5 Coefficiente di temperatura del diodo
		3.6 Il diodo in polarizzazione inversa
			3.6.1 La corrente di saturazione nei diodi reali
			3.6.2 Rottura della giunzione
			3.6.3 Modello del diodo in regione di rottura
		3.7 Capacità della giunzione pn
			3.7.1 Polarizzazione inversa
			3.7.2 Polarizzazione diretta
		3.8 Diodo a barriera Schottky
		3.9 Modello SPICE e layout del diodo
		3.10 Analisi dei circuiti a diodi
			3.10.1 Analisi grafica con la retta di carico
			3.10.2 Analisi con il modello matematico del diodo
			3.10.3 Analisi con il modello del diodo ideale
			3.10.4 Analisi con il modello a caduta di tensione costante
			3.10.5 Confronto tra i metodi di analisi
		3.11 Circuiti a più diodi
			3.11.1 Un circuito a 3 diodi
		3.12 Analisi di diodi polarizzati nella regione di rottura
			3.12.1 Analisi grafica con la retta di carico
			3.12.2 Analisi con il modello lineare a tratti
			3.12.3 Regolatori di tensione
			3.12.4 Analisi in cui si tiene conto della resistenza di Zener
			3.12.5 Regolazione di linea e di carico
		3.13 Raddrizzatore a semionda
			3.13.1 Raddrizzatori a semionda con carico resistivo
			3.13.2 Raddrizzatore con filtro capacitivo
			3.13.3 Raddrizzatore a semionda con carico RC
			3.13.4 Intervallo di conduzione e ondulazione della tensione
			3.13.5 Corrente del diodo
			3.13.6 Corrente di spunto (surge current)
			3.13.7 Specifica relativa alla tensione inversa di picco
			3.13.8 Dissipazione di potenza del diodo
			3.13.9 Raddrizzatore a semionda con tensione di uscita negativa
		3.14 Raddrizzatore a doppia semionda
			3.14.1 Raddrizzatore a doppia semionda con tensione di uscita negativa
		3.15 Raddrizzatore a ponte a doppia semionda
		3.16 Confronto tra i raddrizzatori e criteri di progetto
		3.17 Il diodo in commutazione
		3.18 Fotodiodi, celle solari e diodi emettitori di luce
			3.18.1 Fotodiodi e fotorivelatori
			3.18.2 Generazione di potenza elettrica con celle solari
			3.18.3 Diodi emettitori di luce
		Riferimenti bibliografici
		Letture addizionali
	Capitolo 4 Transistori a effetto di campo
		4.1 Il condensatore MOS
			4.1.1 Regione di accumulazione
			4.1.2 Regione di svuotamento
			4.1.3 Regione di inversione
		4.2 MOSFET a canale n (NMOS)
			4.2.1 Analisi qualitativa del comportamento i-v del transistore NMOS
			4.2.2 Regione di triodo del transistore NMOS
			4.2.3 Resistenza di conduzione
			4.2.4 Transconduttanza
			4.2.5 Regione di saturazione del transistore NMOS
			4.2.6 Modello matematico della regione di saturazione
			4.2.7 Transconduttanza in saturazione
			4.2.8 Modulazione della lunghezza di canale
			4.2.9 Caratteristiche di trasferimento e transistori a svuotamento
			4.2.10 Effetto body
		4.3 MOSFET a canale p (PMOS)
		4.4 Simboli circuitali del MOSFET
		4.5 Capacità del MOSFET
			4.5.1 Capacità del transistore NMOS nella regione di triodo
			4.5.2 Capacità nella regione di saturazione
			4.5.3 Capacità nella regione di interdizione
		4.6 Modello SPICE del MOSFET
		4.7 Riduzione delle dimensioni del transistore MOS
			4.7.1 Corrente di drain
			4.7.2 Capacità di gate
			4.7.3 Densità di integrazione e di potenza
			4.7.4 Il prodotto ritardo-potenza
			4.7.5 Frequenza di transizione
			4.7.6 Limitazioni del funzionamento a campi elevati
			4.7.7 Modello Unificato del MOSFET
			4.7.8 Corrente di sottosoglia
		4.8 Fabbricazione del transistore MOS e regole di progetto
			4.8.1 Dimensione minima e tolleranza di allineamento
			4.8.2 Layout del transistore MOS
		4.9 Polarizzazione del MOSFET
			4.9.1 Caratteristiche della polarizzazione
			4.9.2 Polarizzazione con rete a 4 resistori
			4.9.3 Polarizzazione con tensione gate-source costante
			4.9.4 Analisi basata sul metodo della retta di carico
			4.9.5 Analisi con effetto body
			4.9.6 Analisi con il Modello Unificato
		4.10 Polarizzazione dei transistori PMOS
		Riferimenti bibliografici
	Capitolo 5 Il transistore bipolare a giunzione
		5.1 Struttura del transistore bipolare a giunzione
		5.2 Il modello del trasporto del transistore npn
			5.2.1 Caratteristiche in condizioni di funzionamento diretto
			5.2.2 Caratteristiche in condizioni di funzionamento inverso
			5.2.3 Il modello del trasporto completo in condizioni arbitrarie di polarizzazione
		5.3 Il transistore pnp
		5.4 Rappresentazioni circuitali del modello del trasporto
		5.5 Il modello di Ebers-Moll (argomento avanzato)
			5.5.1 Caratteristiche del transistore npn in polarizzazione diretta
			5.5.2 Caratteristiche del transistore in polarizzazione inversa
			5.5.3 Il modello di Ebers-Moll del transistore npn
			5.5.4 Il modello di Ebers-Moll del transistore pnp
			5.5.5 Rappresentazioni circuitali equivalenti per il modello di Ebers-Moll
		5.6 Caratteristiche i-v del transistore bipolare
			5.6.1 Caratteristiche di uscita
			5.6.2 Caratteristiche di trasferimento
		5.7 Regioni di funzionamento del transistore bipolare
		5.8 Forme semplificate del modello del trasporto
			5.8.1 Modello semplificato per la regione di interdizione
			5.8.2 Modello semplificato per la regione attiva diretta
			5.8.3 I diodi nei circuiti integrati bipolari
			5.8.4 Modello semplificato per la regione attiva inversa
			5.8.5 Modello semplificato per la regione di saturazione
		5.9 Effetti non ideali nel transistore bipolare
			5.9.1 Tensioni di rottura delle giunzioni
			5.9.2 Trasporto dei portatori minoritari nella regione di base
			5.9.3 Tempo di transito in base
			5.9.4 Capacità di diffusione
			5.9.5 Dipendenza del guadagno di corrente a emettitore comune dalla frequenza
			5.9.6 Effetto Early
			5.9.7 Modelli per l’effetto Early
			5.9.8 Origine dell’effetto Early
		5.10 Transconduttanza
		5.11 Tecnologia bipolare e modello SPICE del BJT
			5.11.1 Descrizione qualitativa
			5.11.2 Equazioni del modello SPICE
			5.11.3 Transistori bipolari avanzati
		5.12 Polarizzazione del BJT
			5.12.1 Rete di polarizzazione a quattro resistori
			5.12.2 Obiettivi di progetto relativi alla rete di polarizzazione a quattro resistori
			5.12.3 Analisi iterativa della rete di polarizzazione a 4 resistori
		5.13 Tolleranze nei circuiti di polarizzazione
			5.13.1 Analisi del caso peggiore
			5.13.2 Analisi Monte Carlo
		Riferimenti bibliografici
Parte II Elettronica digitale
	Capitolo 6 Introduzione all’elettronica digitale
		6.1 Porte logiche ideali
		6.2 Definizione dei livelli logici e dei margini di rumore
			6.2.1 Livelli logici
			6.2.2 Margini di rumore
			6.2.3 Criteri di progetto per una porta logica
		6.3 Risposta dinamica di una porta logica
			6.3.1 Tempi di salita e di discesa
			6.3.2 Ritardo di propagazione
			6.3.3 Prodotto ritardo-potenza
		6.4 Richiami di algebra booleana
		6.5 Progetto di circuiti logici NMOS
			6.5.1 Invertitore NMOS con carico resistivo
			6.5.2 Progetto del rapportoW=L di MS
			6.5.3 Progetto del resistore di carico
			6.5.4 Rappresentazione con retta di carico
			6.5.5 La resistenza on del MOSFET
			6.5.6 Analisi dei margini di rumore
			6.5.7 Calcolo di VIL e di VOH
			6.5.8 Calcolo di VIH e di VOL
			6.5.9 Margine di rumore per l’invertitore con carico resistivo
			6.5.9 Il problema del resistore di carico
		6.6 Utilizzo di dispositivi attivi in alternativa al resistore di carico
			6.6.1 Invertitore NMOS con dispositivo di carico in saturazione
			6.6.2 Invertitore NMOS con dispositivo di carico in regione lineare
			6.6.3 Invertitore NMOS con dispositivo di carico a svuotamento
		6.7 Confronto fra gli invertitori NMOS
		6.8 Effetto della saturazione della velocità sul progetto statico dell’invertitore
			6.8.1 Progetto del transistore di commutazione
			6.8.2 Progetto del transistore di carico
			6.8.3 Riassunto degli effetti della saturazione della velocità
		6.9 Porte logiche NMOS elementari
			6.9.1 Porte NOR
			6.9.2 Porte NAND
			6.9.3 Layout delle porte NOR e NAND in tecnologia NMOS con carico a svuotamento
		6.10 Porte logiche NMOS complesse
		6.11 Dissipazione di potenza
			6.11.1 Dissipazione di potenza statica
			6.11.2 Dissipazione di potenza dinamica
			6.11.3 Dimensionamento delle porte logiche NMOS rispetto alla potenza dissipata
		6.12 Comportamento dinamico delle porte NMOS
			6.12.1 Capacità nei circuiti logici MOS
			6.12.2 Risposta dinamica dell’invertitore NMOS con carico resistivo
			6.12.3 Risposta dinamica dell’invertitore NMOS con carico a svuotamento
			6.12.4 Invertitore NMOS con carico in saturazione
			6.12.5 Confronto delle risposte dinamiche degli invertitori NMOS
			6.12.6 Effetto della saturazione della velocità sui ritardi di propagazione dell’invertitore
			6.12.7 Dimensionamento basato su simulazioni di un circuito di riferimento
			6.12.8 Misura del ritardo intrinseco tramite oscillatore ad anello
			6.12.9 Invertitore in assenza di carico
		6.13 Porte logiche PMOS
			6.13.1 Invertitore PMOS
			6.13.2 Porte logiche NOR e NAND
		Riferimenti bibliografici
		Letture addizionali
	Capitolo 7 Progetto di circuiti logici MOS complementari (CMOS)
		7.1 Tecnologia dell’invertitore CMOS
			7.1.1 Layout dell’invertitore CMOS
		7.2 Caratteristiche statiche dell’invertitore CMOS
			7.2.1 Caratteristica di trasferimento dell’invertitore CMOS
			7.2.2 Margini di rumore per l’invertitore CMOS
		7.3 Comportamento dinamico dell’invertitore CMOS
			7.3.1 Stima del ritardo di propagazione
			7.3.2 Tempi di salita e discesa
			7.3.3 Riscalamento delle prestazioni
			7.3.4 Effetto della saturazione della velocità sui ritardi dell’invertitore CMOS
			7.3.5 Ritardo di una cascata di invertitori
		7.4 Dissipazione di potenza e prodotto ritardo-potenza nelle logiche CMOS
			7.4.1 Dissipazione di potenza statica
			7.4.2 Dissipazione di potenza dinamica
			7.4.3 Prodotto ritardo-potenza
		7.5 Porte NOR e NAND CMOS
			7.5.1 Porte logiche NOR CMOS
		7.6 Porte logiche CMOS complesse
		7.7 Progetto e prestazioni di porte logiche ad area minima
		7.8 Circuiti di buffer
			7.8.1 Ritardo di un circuito disaccoppiatore (buffer)
			7.8.2 Numero ottimo di stadi
		7.9 La porta di trasmissione CMOS
		7.10 Circuito bistabile
			7.10.1 Latch bistabile
			7.10.2 Flip-flop RS
			7.10.3 Il latch di tipo D a porte di trasmissione
			7.10.4 Flip-flop D master-slave
		7.11 Il problema del latchup
		Riferimenti bibliografici
	Capitolo 8 Memorie MOS e circuiti sequenziali
		8.1 Memorie ad accesso casuale
			8.1.1 Architettura delle memorie ad accesso casuale (RAM)
			8.1.2 Un chip di memoria da 256 Mb
		8.2 Celle di memoria statiche
			8.2.1 La cella di memoria a sei transistori (6-T)
			8.2.2 Lettura di un dato nella cella 6-T
			8.2.3 Scrittura di un dato nella cella 6-T
		8.3 Celle di memoria dinamiche
			8.3.1 La cella di memoria a un transistore
			8.3.2 Scrittura di un dato nella cella 1-T
			8.3.3 Lettura di un dato nella cella 1-T
			8.3.4 La cella di memoria a quattro transistori
		8.4 Amplificatori di lettura
			8.4.1 Amplificatore di lettura per la cella 6-T
			8.4.2 Amplificatore di lettura per la cella 1-T
			8.4.3 Circuiti con tensione più elevata sulla wordline
			8.4.4 Amplificatori di lettura con segnale di clock
		8.5 Decodificatori di indirizzo
			8.5.1 Decodificatori NOR
			8.5.2 Decodificatori NAND
			8.5.3 Decodificatori di colonna a pass-transistor
		8.6 Memorie a sola lettura (ROM)
		8.7 Memorie flash
			8.7.1 La tecnologia a gate isolato
			8.7.2 Realizzazione con porte NOR
			8.7.3 Realizzazione con porte NAND
		Riferimenti bibliografici
	Capitolo 9 Circuiti logici bipolari
		9.1 La coppia differenziale
		9.2 La logica ad accoppiamento di emettitore (ECL)
			9.2.1 Porta ECL per vI ¼ VH
		9.6 L’inseguitore di emettitore
		9.12 Porte logiche CML
		9.13 Porte logiche bipolari saturate
		9.14 La porta logica transistore-transistore (TTL) elementare
			9.16.2 Porte NAND TTL
		9.17 La TTL Schottky
		9.19 Logica BiCMOS
			9.19.1 Buffer BiCMOS
Parte III Elettronica analogica
	Capitolo 10 Sistemi analogici e amplificatori operazionali
		10.1 Un esempio di sistema elettronico analogico
		10.2 Amplificazione
			10.2.1 Guadagno di tensione
			10.2.2 Guadagno di corrente
			10.2.3 Guadagno di potenza
			10.2.4 Rappresentazione del guadagno in decibel
		10.3 Modelli a doppio bipolo
			10.3.1 I parametri g
		10.4 Disadattamento delle impedenze del generatore e di carico
		10.5 Introduzione all’amplificatore operazionale
			10.5.1 L’amplificatore differenziale
			10.5.2 Caratteristica di trasferimento di tensione dell’amplificatore differenziale
			10.5.3 Guadagno di tensione
		10.6 Distorsione negli amplificatori
		10.7 Modello dell’amplificatore differenziale
		10.8 L’amplificatore differenziale e l’amplificatore operazionale ideali
			10.8.1 Ipotesi per l’analisi con operazionali ideali
		10.9 Circuiti con amplificatori operazionali ideali
			10.9.1 L’amplificatore invertente
			10.9.2 L’amplificatore di transresistenza – un convertitore corrente-tensione
			10.9.3 L’amplificatore non invertente
			10.9.4 Buffer a guadagno unitario o inseguitore di tensione
			10.9.5 L’amplificatore sommatore
			10.9.6 L’amplificatore sottrattore
		10.10 Funzione di trasferimento e risposta in frequenza
			10.10.1 Diagrammi di Bode
			10.10.2 Amplificatori passa-basso
			10.10.3 Amplificatori passa-alto
			10.10.4 Amplificatori passa-banda
			10.10.5 Amplificatori a banda stretta
			10.10.6 Amplificatori a reiezione di banda
			10.10.7 Funzione di trasferimento passa-tutto
			10.10.8 Funzioni di trasferimento complesse
			10.10.9 Calcoli sui diagrammi di Bode
			10.10.10 Filtro attivo passa-basso
			10.10.11 Filtro attivo passa-alto
			10.10.12 Integratore
			10.10.13 Derivatore
		Riferimenti bibliografici
		Letture addizionali
	Capitolo 11 Operazionali non ideali e stabilità della retroazione degli amplificatori operazionali
		11.1 Sistemi con retroazione
			11.1.1 Analisi del guadagno ad anello chiuso
			11.1.2 Errore di Guadagno
		11.2 Analisi di circuiti con amplificatori operazionali non ideali
			11.2.1 Guadagno finito ad anello aperto
			11.2.2 Resistenza di uscita diversa da zero
			11.2.3 Resistenza di ingresso di valore finito
			11.2.4 Riepilogo delle caratteristiche delle configurazioni non ideali invertente e non invertente
		11.3 Circuiti con retroazione serie e parallelo
			11.3.1 Categorie di amplificatori con retroazione
			11.3.2 Amplificatore di tensione, retroazione serie-parallelo
			11.3.3 Amplificatore di transimpedenza, retroazione parallelo-parallelo
			11.3.4 Amplificatore di corrente, retroazione parallelo-serie
			11.3.5 Amplificatore di transconduttanza, retroazione serie-serie
		11.4 Metodo generale per il calcolo del guadagno di amplificatori retroazionati
			11.4.1 Analisi del guadagno ad anello chiuso
			11.4.2 Calcolo della resistenza con il teorema di Blackman
		11.5 Retroazione serie-parallelo – amplificatore di tensione
			11.5.1 Calcolo del guadagno ad anello chiuso
			11.5.2 Calcolo della resistenza di ingresso
			11.5.3 Calcolo della resistenza di uscita
			11.5.4 Riepilogo dell’amplificatore con retroazione serie-parallelo
		11.6 Retroazione parallelo-parallelo – amplificatore di transresistenza
			11.6.1 Calcolo del guadagno ad anello chiuso
			11.6.2 Calcolo della resistenza di ingresso
			11.6.3 Calcolo della resistenza di uscita
			11.6.4 Riepilogo dell’amplificatore con retroazione parallelo-parallelo
		11.7 Retroazione serie-serie – amplificatore di transconduttanza
			11.7.1 Calcolo del guadagno ad anello chiuso
			11.7.2 Calcolo della resistenza di ingresso
			11.7.3 Calcolo della resistenza di uscita
			11.7.4 Riepilogo dell’amplificatore con retroazione serie-serie
		11.8 Retroazione parallelo-serie – amplificatore di corrente
			11.8.1 Calcolo del guadagno ad anello chiuso
			11.8.2 Calcolo della resistenza di ingresso
			11.8.3 Calcolo della resistenza di uscita
			11.8.4 Riepilogo dell’amplificatore con retroazione parallelo-serie
		11.9 Calcolo del guadagno di anello con iniezioni successive di tensione e corrente
			11.9.1 Semplificazioni
		11.10 Riduzione della distorsione per mezzo della retroazione
		11.11 Cause di errore in continua e limitazioni dell’escursione in uscita
			11.11.1 Tensione di offset all’ingresso
			11.11.2 Bilanciamento della tensione di offset
			11.11.3 Correnti di polarizzazione e di offset all’ingresso
			11.11.4 Limiti della tensione e della corrente di uscita
		11.12 Reiezione di modo comune e resistenza di ingresso
			11.12.1 Valore finito per il rapporto di reiezione del modo comune
			11.12.2 Perché è importante il CMRR?
			11.12.3 Errore nel guadagno dell’inseguitore di tensione dovuto al CMRR
			11.12.4 Resistenza di ingresso di modo comune
			11.12.5 Interpretazione alternativa della reiezione di modo comune
			11.12.6 Rapporto di reiezione della tensione di alimentazione
		11.13 Risposta in frequenza e larghezza di banda degli amplificatori operazionali
			11.13.1 Risposta in frequenza dell’amplificatore non invertente
			11.13.2 Risposta in frequenza dell’amplificatore invertente
			11.13.3 Controllo della risposta in frequenza mediante la retroazione
			11.13.4 Funzionamento ad ampi segnali: slew rate e larghezza di banda a piena potenza
			11.13.5 Macromodello per la risposta in frequenza dell’amplificatore operazionale
			11.13.6 Macromodelli completi di amplificatori operazionali in SPICE
			11.13.7 Esempi di amplificatori operazionali commerciali per applicazioni generali
		11.14 Stabilità degli amplificatori retroazionati
			11.14.1 Il diagramma di Nyquist
			11.14.2 Sistemi del primo ordine
			11.14.3 Sistemi del secondo ordine e margine di fase
			11.14.4 Risposta al gradino e margine di fase
			11.14.5 Sistemi del terzo ordine e margine di guadagno
			11.14.6 Analisi della stabilità mediante i diagrammi di Bode
		Riferimenti bibliografici
	Capitolo 12 Applicazioni degli amplificatori operazionali
		12.1 Connessione in cascata di amplificatori
			12.1.1 Rappresentazione a doppio bipolo
			12.1.2 Osservazioni sulla terminologia relativa agli amplificatori
			12.1.3 Risposta in frequenza di amplificatori a più stadi
		12.2 Amplificatore per strumentazione
		12.3 Filtri attivi
			12.3.1 Filtro passa-basso
			12.3.2 Filtro passa-alto con guadagno maggiore di 1
			12.3.3 Filtro passa-banda
			12.3.4 Filtro biquadratico Tow-Thomas
			12.3.5 Sensibilità
			12.3.6 Variazione delle impedenze e della frequenza secondo un fattore di scala
		12.4 Circuiti a capacità commutate
			12.4.1 Integratore a capacità commutate
			12.4.2 Integratore non invertente
			12.4.3 Filtri a capacità commutate
		12.5 Conversione digitale-analogica
			12.5.1 Aspetti fondamentali dei convertitori D/A
			12.5.2 Errori nei convertitori D/A
		12.6 Conversione analogico-digitale
			12.6.1 Aspetti fondamentali dei convertitori A/D
			12.6.2 Errori nei convertitori analogico-digitali
			12.6.3 Tecniche di base per la conversione analogico-digitale
		12.7 Oscillatori
			12.7.1 Il criterio di Barkhausen per le oscillazioni
			12.7.2 Oscillatori con reti RC selettive in frequenza
		12.8 Applicazioni non lineari
			12.8.1 Un raddrizzatore di precisione a semionda
			12.8.2 Circuito raddrizzatore di precisione senza saturazione
		12.9 Circuiti a retroazione positiva
			12.9.1 Il comparatore e il trigger di Schmitt
			12.9.2 Il multivibratore astabile
			12.9.3 Il multivibratore monostabile (one shot)
		Riferimenti bibliografici
		Letture addizionali
	Capitolo 13 Modelli di piccolo segnale e amplificazione lineare
		13.1 Il transistore come amplificatore
			13.1.1 L’amplificatore a BJT
			13.1.2 L’amplificatore a MOSFET
		13.2 Condensatori di accoppiamento e di bypass
		13.3 Utilizzo dei circuiti equivalenti DC e AC
			13.3.1 Regole per le analisi in DC e in AC
		13.4 Introduzione ai modelli per piccoli segnali del diodo
			13.4.1 Interpretazione grafica del comportamento per piccoli segnali del diodo
			13.4.2 Modello per piccoli segnali del diodo
		13.5 Modelli per piccoli segnali per i transistori bipolari a giunzione
			13.5.1 Il modello ibrido a p
			13.5.2 Interpretazione grafica della transconduttanza
			13.5.3 Guadagno di corrente per piccoli segnali
			13.5.4 Il guadagno di tensione intrinseco del BJT
			13.5.5 Forme equivalenti del modello per piccoli segnali
			13.5.6 Modello ibrido a p semplificato
			13.5.7 Definizione di piccolo segnale per un transistore bipolare
			13.5.8 Modello per piccoli segnali per il transistore pnp
			13.5.9 Confronto fra analisi AC e analisi in transitorio in SPICE
		13.6 L’amplificatore a emettitore comune (C-E)
			13.6.1 Guadagno di tensione dell’amplificatore a emettitore comune
			13.6.2 Resistenza di ingresso
			13.6.3 Guadagno di tensione complessivo
		13.7 Limiti importanti e semplificazioni dei modelli
			13.7.1 Resistenza di emettitore nulla
			13.7.2 Guida per il progetto dell’amplificatore a emettitore comune con carico resistivo
			13.7.3 Guadagno di corrente per l’amplificatore a emettitore comune con elevata resistenza di emettitore
			13.7.4 Limiti per la condizione di piccolo segnale nell’amplificatore a emettitore comune
			13.7.5 Resistenza vista guardando nel collettore del BJT
			13.7.6 Resistenza di uscita dell’amplificatore a emettitore comune complessivo
			13.7.7 Guadagno di corrente ai terminali per l’amplificatore a emettitore comune
		13.8 Modello per piccoli segnali per i transistori a effetto di campo
			13.8.1 Modello per piccoli segnali del MOSFET
			13.8.2 Guadagno di tensione intrinseco del MOSFET
			13.8.3 Definizione di piccolo segnale per un MOSFET
			13.8.4 L’effetto body nel modello per piccoli segnali del MOSFET
			13.8.5 Modello per piccoli segnali per il transistore PMOS
		13.9 Confronto fra i modelli per piccoli segnali del BJT e del MOS
		13.10 L’amplificatore a source comune (C-S)
			13.10.1 Guadagno di tensione ai terminali per l’amplificatore a source comune
			13.10.2 Guadagno di tensione complessivo per l’amplificatore a source comune
			13.10.3 Guadagno di tensione dell’amplificatore a source comune, per elevati valori di RS
			13.10.4 Resistenza nulla nel source
			13.10.5 Guida per il progetto di amplificatori a source comune con RS ¼ 0
			13.10.6 Limiti per la condizione di piccolo segnale nell’amplificatore a source comune
			13.10.7 Resistenze di ingresso degli amplificatori a emettitore comune e a source comune
			13.10.8 Resistenze di uscita degli amplificatori a emettitore comune e a source comune
		13.11 Esempi di amplificatori a emettitore comune e a source comune
			13.11.1 Amplificatore a emettitore comune
			13.11.2 Differenze fra analisi AC e analisi in transitorio in SPICE: ulteriori osservazioni
			13.11.3 Amplificatore MOSFET a source comune
			13.11.4 Confronto fra i due amplificatori
			13.11.5 Riepilogo e confronto delle caratteristiche degli amplificatori a emettitore comune e a source comune
			13.11.6 Retroazione negli amplificatori invertenti
			13.11.7 Condizioni in cui è possibile trascurare la resistenza differenziale di uscita del transistore
		13.12 Dissipazione di potenza ed escursione del segnale
			13.12.1 Dissipazione di potenza
			13.12.2 Escursione massima del segnale di uscita
	Capitolo 14 Amplificatori a singolo transistore e multistadio accoppiati in AC
		14.1 Classificazione degli amplificatori
			14.1.1 Applicazione e prelievo del segnale – Il BJT
			14.1.2 Applicazione e prelievo del segnale – Il MOSFET
			14.1.3 Amplificatori a emettitore comune (C-E) e a source comune (C-S)
			14.1.4 Amplificatori a collettore comune (C-C) e a drain comune (C-D)
			14.1.5 Amplificatori a base comune (C-B) e a gate comune (C-G)
			14.1.6 Modello di piccolo segnale
		14.2 Amplificatori invertenti – Circuiti a emettitore comune e a source comune
			14.2.1 Caratteristiche degli amplificatori a emettitore comune e a source comune
			14.2.2 Riepilogo delle caratteristiche degli amplificatori C-E e C-S
			14.2.3 Rappresentazione mediante transistori equivalenti
		14.3 Circuiti inseguitori – Amplificatori a collettore comune e a drain comune
			14.3.1 Guadagno di tensione ai terminali
			14.3.2 Resistenza di ingresso
			14.3.3 Guadagno di tensione complessivo
			14.3.4 Dinamica del segnale di ingresso dell’inseguitore
			14.3.5 Resistenza al terminale di emettitore
			14.3.6 Guadagno di corrente
			14.3.7 Riepilogo delle caratteristiche degli amplificatori C-C e C-D
		14.4 Amplificatori non invertenti – Circuiti a base comune e a gate comune
			14.4.1 Guadagno di tensione ai terminali e resistenza di ingresso
			14.4.2 Guadagno di tensione complessivo
			14.4.3 Dinamica del segnale di ingresso
			14.4.4 Resistenza ai terminali di collettore e drain
			14.4.5 Guadagno di corrente
			14.4.6 Resistenze di ingresso e di uscita complessive per gli amplificatori non invertenti
			14.4.7 Riepilogo delle caratteristiche degli amplificatori C-B e C-G
		14.5 Rassegna e confronto degli amplificatori elementari
			14.5.1 Gli amplificatori a BJT
			14.5.2 Gli amplificatori a MOSFET
		14.6 Amplificatori a source comune basati su invertitori a MOS
			14.6.1 Stima del guadagno di tensione
			14.6.2 Analisi dettagliata
			14.6.3 Soluzioni alternative per il carico
			14.6.4 Resistenze di ingresso e uscita
		14.7 Progetto dei condensatori di accoppiamento e di bypass
			14.7.1 Amplificatori a emettitore comune e a source comune
			14.7.2 Amplificatori a collettore comune e a drain comune
			14.7.3 Amplificatori a base comune e a gate comune
			14.7.4 Fissare la frequenza di taglio inferiore
		14.8 Esempi di progetto di amplificatori
			14.8.1 Verifica del progetto dell’amplificatore a base comune con il metodo Monte Carlo
		14.9 Amplificatori multistadio accoppiati in AC
			14.9.1 Amplificatore a tre stadi accoppiato in AC
			14.9.2 Guadagno di tensione
			14.9.3 Resistenza di ingresso
			14.9.4 Guadagno di tensione complessivo
			14.9.5 Resistenza di uscita
			14.9.6 Guadagno di corrente e di potenza
			14.9.7 Dinamica del segnale di ingresso
			14.9.8 Come migliorare il guadagno di tensione dell’amplificatore
			14.9.9 Stima della frequenza di taglio inferiore dell’amplificatore multistadio
		Letture addizionali
	Capitolo 15 Amplificatori differenziali e operazionali
		15.1 Amplificatori differenziali
			15.1.1 Amplificatori differenziali a transistori bipolari e a MOS
			15.1.2 Analisi in DC dell’amplificatore differenziale a transistori bipolari
			15.1.3 Caratteristica di trasferimento di piccolo segnale dell’amplificatore differenziale a transistori bipolari
			15.1.4 Analisi in AC dell’amplificatore differenziale a transistori bipolari
			15.1.5 Guadagno e resistenza di ingresso di modo differenziale
			15.1.6 Guadagno e resistenza di ingresso di modo comune
			15.1.7 Rapporto di reiezione di modo comune (CMRR)
			15.1.8 Analisi del modo differenziale e del modo comune utilizzando metà circuito
			15.1.9 Polarizzazione con generatori di corrente elettronici
			15.1.10 Modello SPICE del generatore elettronico di corrente
			15.1.11 Analisi in DC dell’amplificatore differenziale a MOSFET
			15.1.12 Segnali di ingresso di modo differenziale
			15.1.13 Caratteristica di trasferimento di piccolo segnale per l’amplificatore differenziale a MOS
			15.1.14 Segnali di ingresso di modo comune
			15.1.15 Modello a doppio bipolo per la coppia differenziale
		15.2 Gli amplificatori operazionali
			15.2.1 Amplificatore operazionale elementare a due stadi
			15.2.2 Evoluzione dell’amplificatore operazionale elementare
			15.2.3 Coppia Darlington
			15.2.4 Riduzione della resistenza di uscita
			15.2.5 Amplificatore operazionale elementare CMOS
			15.2.6 Amplificatori BiCMOS
			15.2.7 Implementazione di amplificatori operazionali a soli transistori
		15.3 Stadi di uscita
			15.3.1 Stadio di uscita in classe A: l’inseguitore di source
			15.3.2 Rendimento degli amplificatori in classe A
			15.3.3 Stadio di uscita in classe B o push-pull
			15.3.4 Amplificatori in classe AB
			15.3.5 Stadi di uscita in classe AB per amplificatori operazionali
			15.3.6 Protezione dal cortocircuito
			15.3.7 Accoppiamento con trasformatore
		15.4 Generatori elettronici di corrente
			15.4.1 Generatori di corrente a singolo transistore
			15.4.2 Cifra di merito per i generatori di corrente
			15.4.3 Generatori con elevata resistenza di uscita
			15.4.4 Esempi di progetto di generatori di corrente
		Riferimenti bibliografici
		Letture addizionali
	Capitolo 16 Tecniche di progetto di circuiti analogici integrati
		16.1 Dispositivi equivalenti
		16.2 Specchi di corrente
			16.2.1 Analisi DC dello specchio di corrente MOS
			16.2.2 Modifica del rapporto di riflessione per lo specchio di corrente MOS
			16.2.3 Analisi DC dello specchio di corrente BJT
			16.2.4 Modifica del rapporto di riflessione per lo specchio di corrente BJT
			16.2.5 Generatori di corrente multipli
			16.2.6 Specchio di corrente con buffer
			16.2.7 Resistenza di uscita dello specchio di corrente
			16.2.8 Modello a doppio bipolo dello specchio di corrente
			16.2.9 Il generatore di corrente di Widlar
			16.2.10 Il generatore di corrente di Widlar MOS
		16.3 Specchi di corrente a elevata resistenza di uscita
			16.3.1 Il generatore di corrente di Wilson
			16.3.2 Resistenza di uscita del generatore di corrente di Wilson
			16.3.3 Il generatore di corrente cascode
			16.3.4 Resistenza di uscita del generatore di corrente cascode
			16.3.5 Il generatore di corrente cascode regolato
			16.3.6 Riepilogo delle caratteristiche dei generatori di corrente
		16.4 Generatore di corrente di riferimento
		16.5 Generatori di riferimento indipendenti dalla tensione di alimentazione
			16.5.1 Generatore di riferimento basato sulla VBE
			16.5.2 Il generatore di Widlar
			16.5.3 Polarizzazione indipendente dalla tensione di alimentazione
			16.5.4 Polarizzazione indipendente dalla tensione di alimentazione in tecnologia MOS
		16.6 Riferimento di tensione a bandgap
		16.7 Lo specchio di corrente come carico attivo
			16.7.1 Amplificatore differenziale CMOS con carico attivo
			16.7.2 Amplificatore differenziale bipolare con carico attivo
		16.8 I carichi attivi negli amplificatori operazionali
			16.8.1 Guadagno di tensione dell’amplificatore operazionale CMOS
			16.8.2 Considerazioni sul punto di lavoro
			16.8.3 Amplificatore operazionale bipolare
			16.8.4 Rottura dello stadio di ingresso
		16.9 L’amplificatore operazionale mA741
			16.9.1 Circuito di polarizzazione
			16.9.2 Analisi statica dello stadio di ingresso del mA741
			16.9.3 Analisi in AC dello stadio di ingresso del mA741
			16.9.4 Guadagno di tensione dell’amplificatore completo
			16.9.5 Stadio di uscita del mA741
			16.9.6 Resistenza di uscita
			16.9.7 Protezione dal cortocircuito
			16.9.8 Riepilogo delle caratteristiche dell’amplificatore operazionale mA741
			16.10 Il moltiplicatore analogico di Gilbert
		Riferimenti bibliografici
	Capitolo 17 Risposta in frequenza
		17.1 Risposta in frequenza degli amplificatori
			17.1.1 Risposta alle basse frequenze
			17.1.2 Stima di vL in assenza di polo dominante
			17.1.3 Risposta alle alte frequenze
			17.1.4 Stima di vH in assenza di polo dominante
		17.2 Determinazione diretta di poli e zeri in bassa frequenza – L’amplificatore a source comune
		17.3 Stima di vL con il metodo delle costanti di tempo in cortocircuito
			17.3.1 Stima di vL per l’amplificatore a emettitore comune
			17.3.2 Stima di vL per l’amplificatore a source comune
			17.3.3 Stima di vL per l’amplificatore a base comune
			17.3.4 Stima di vL per l’amplificatore a gate comune
			17.3.5 Stima di vL per l’amplificatore a collettore comune
			17.3.6 Stima di vL per l’amplificatore a drain comune
		17.4 Modelli del transistore alle alte frequenze
			17.4.1 Modello ibrido a p dipendente dalla frequenza per il transistore bipolare
			17.4.2 Modello SPICE per Cp e Cm
			17.4.3 Frequenza di transizione fT
			17.4.4 Modello in alta frequenza per il MOSFET
			17.4.5 Modello SPICE per CGS e CGD
			17.4.6 Dipendenza di fT dalla lunghezza di canale
			17.4.7 Limitazioni dei modelli ad alta frequenza
		17.5 Resistenza di base e di gate nel modello ibrido a p
			17.5.1 Effetto della resistenza di base e di gate sull’amplificazione di centro banda
		17.6 Analisi ad alta frequenza degli amplificatori a emettitore comune e a source comune
			17.6.1 L’effetto Miller
			17.6.2 Risposta in alta frequenza degli amplificatori a emettitore comune e a source comune
			17.6.3 Analisi diretta della caratteristica di trasferimento dell’emettitore comune
			17.6.4 Poli dell’amplificatore C-E
			17.6.5 Polo dominante dell’amplificatore a source comune
			17.6.6 Stima di vH con il metodo delle costanti di tempo a circuito aperto
			17.6.7 Amplificatore a source comune con resistenza di source
			17.6.8 Poli dell’emettitore comune con resistenza sull’emettitore
		17.7 Risposta in alta frequenza degli amplificatori a base comune e a gate comune
		17.8 Risposta in alta frequenza degli amplificatori a collettore comune e a drain comune
			17.8.1 Risposta in frequenza dello stadio a simmetria complementare
		17.9 Riepilogo della risposta in alta frequenza degli amplificatori a singolo stadio
			17.9.1 Limitazioni guadagno-banda degli amplificatori
		17.10 Risposta in frequenza degli amplificatori multistadio
			17.10.1 Amplificatore differenziale
			17.10.2 La connessione in cascata collettore-comune/base-comune
			17.10.3 Risposta in alta frequenza dell’amplificatore cascode
			17.10.4 Frequenza di taglio dello specchio di corrente
			17.10.5 Esempio di amplificatore a tre stadi
		17.11 Introduzione ai circuiti a radiofrequenza
			17.11.1 Amplificatori a radiofrequenza
			17.11.2 L’amplificatore shunt-peaked
			17.11.3 Amplificatore accordato a singolo stadio
			17.11.4 Utilizzo dell’induttore a presa intermedia – L’autotrasformatore
			17.11.5 Circuiti accordati multipli – Sintonizzazione sincrona e scalata
			17.11.6 L’amplificatore a source comune a degenerazione induttiva
		17.12 Mixer e modulatori bilanciati
			17.12.1 Principi di funzionamento del mixer
			17.12.2 Mixer bilanciato (balanced)
			17.12.3 La coppia differenziale come mixer bilanciato
			17.12.4 Mixer doppiamente bilanciato (double-balanced)
			17.12.5 Il mixer di Jones – Un modulatore/mixer doppiamente bilanciato
		Riferimenti bibliografici
	Capitolo 18 Amplificatori a transistori retroazionati e oscillatori
		18.1 Sistema retroazionato classico
			18.1.1 Guadagno ad anello chiuso
			18.1.2 Impedenze ad anello chiuso
			18.1.3 Effetti della retroazione
		18.2 Analisi in banda passante di amplificatori retroazionati
			18.2.1 Guadagno ad anello chiuso
			18.2.2 Resistenza di ingresso
			18.2.3 Resistenza di uscita
			18.2.4 Calcolo della tensione di offset
		18.3 Esempi di circuiti amplificatori con retroazione
			18.3.1 Retroazione serie-parallelo – Amplificatore di tensione
			18.3.2 Amplificatore differenziale di tensione serie-parallelo
			18.3.3 Retroazione parallelo-parallelo – Amplificatore di transresistenza
			18.3.4 Retroazione serie-serie – Amplificatore di transconduttanza
			18.3.5 Retroazione parallelo-serie – Amplificatore di corrente
		18.4 Richiami sulla stabilità dell’amplificatore retroazionato
			18.4.1 Risposta ad anello chiuso dell’amplificatore non compensato
			18.4.2 Margine di fase
			18.4.3 Effetti di secondo ordine
			18.4.4 Risposta dell’amplificatore compensato
			18.4.5 Limiti di piccolo segnale
		18.5 Compensazione a singolo polo dell’amplificatore operazionale
			18.5.1 Analisi dell’amplificatore operazionale a tre stadi
			18.5.2 Zeri negli amplificatori operazionali a MOS
			18.5.3 Compensazione degli amplificatori bipolari
			18.5.4 Slew rate dell’amplificatore operazionale
			18.5.5 Relazione tra slew rate e prodotto guadagno-larghezza di banda
		18.6 Oscillatori ad alta frequenza
			18.6.1 L’oscillatore Colpitts
			18.6.2 L’oscillatore Hartley
			18.6.3 Stabilizzazione dell’ampiezza negli oscillatori LC
			18.6.4 Resistenza negativa negli oscillatori
			18.6.5 Oscillatore a Gm negativo
			18.6.6 Oscillatori a cristallo
		Riferimenti bibliografici
Appendici
Indice analitico
Eserciziario