Microelectronic Materials and Processes

مهارت اولیه یکپارچه‌سازی در مقیاس بسیار بزرگ (VLS!) کوچک‌سازی دستگاه‌ها برای افزایش تراکم بسته‌بندی، دستیابی به سرعت بالاتر و مصرف انرژی کمتر است. ساخت مدارهای مجتمع حاوی بیش از چهار میلیون جزء در هر تراشه با قوانین طراحی در محدوده زیر میکرون اکنون با معرفی طرح‌های مدارهای نوآورانه و توسعه مواد و فرآیندهای میکروالکترونیک جدید امکان‌پذیر شده است. این کتاب با ارزیابی وضعیت فعلی علم و فناوری مرتبط با تولید مدارهای سیلیکونی VLSI به چالش اخیر می‌پردازد. این نشان دهنده تلاش انباشته کارشناسان دانشگاه و صنعت است که گرد هم آمده اند تا تخصص خود را در یک نمای کلی آموزشی و به روز رسانی منسجم از این زمینه به سرعت در حال گسترش ترکیب کنند. تعادلی از مشارکت های اساسی و کاربردی اصول اولیه مواد میکروالکترونیک و مهندسی فرآیند را پوشش می دهد. موضوعات علم مواد عبارتند از سیلیکون، سیلیسیدها، مقاومت ها، دی الکتریک ها و متالیزاسیون به هم پیوسته. موضوعات در مهندسی فرآیند شامل رشد کریستال، اپیتاکسی، اکسیداسیون، رسوب لایه نازک، لیتوگرافی خط ریز، اچینگ خشک، کاشت یون و انتشار است. سایر موضوعات مرتبط مانند شبیه سازی فرآیند، پدیده نقص و تکنیک های تشخیصی نیز گنجانده شده است. این کتاب نتیجه یک موسسه مطالعات پیشرفته (AS!) تحت حمایت ناتو است که در Castelvecchio Pascoli ایتالیا برگزار شد. سخنرانان دعوت شده در این موسسه دست نوشته هایی را ارائه کردند که ویرایش، به روز شده و با سایر مشارکت های درخواست شده از غیر شرکت کنندگان در این AS ادغام شدند.

The primary thrust of very large scale integration (VLS!) is the miniaturization of devices to increase packing density, achieve higher speed, and consume lower power. The fabrication of integrated circuits containing in excess of four million components per chip with design rules in the submicron range has now been made possible by the introduction of innovative circuit designs and the development of new microelectronic materials and processes. This book addresses the latter challenge by assessing the current status of the science and technology associated with the production of VLSI silicon circuits. It represents the cumulative effort of experts from academia and industry who have come together to blend their expertise into a tutorial overview and cohesive update of this rapidly expanding field. A balance of fundamental and applied contributions cover the basics of microelectronics materials and process engineering. Subjects in materials science include silicon, silicides, resists, dielectrics, and interconnect metallization. Subjects in process engineering include crystal growth, epitaxy, oxidation, thin film deposition, fine-line lithography, dry etching, ion implantation, and diffusion. Other related topics such as process simulation, defects phenomena, and diagnostic techniques are also included. This book is the result of a NATO-sponsored Advanced Study Institute (AS!) held in Castelvecchio Pascoli, Italy. Invited speakers at this institute provided manuscripts which were edited, updated, and integrated with other contributions solicited from non-participants to this AS!.