ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces

دانلود کتاب متالیزاسیون و رابط های فلزی-نیمه هادی

Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces

مشخصات کتاب

Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces

ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری: NATO ASI Series 195 
ISBN (شابک) : 9781461280866, 9781461307952 
ناشر: Springer US 
سال نشر: 1989 
تعداد صفحات: 500 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 17 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 41,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب متالیزاسیون و رابط های فلزی-نیمه هادی: فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، فیزیک ماده متراکم، کریستالوگرافی، خصوصیات و ارزیابی مواد



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 10


در صورت تبدیل فایل کتاب Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب متالیزاسیون و رابط های فلزی-نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب متالیزاسیون و رابط های فلزی-نیمه هادی



این کتاب نشان دهنده کار ارائه شده در کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو در مورد "فلزسازی و رابط های فلزی-نیمه هادی" است که در دانشگاه فنی مونیخ، گارچینگ، آلمان غربی از 22 تا 26 اوت 1988 برگزار شد. تمرکز اصلی این کارگاه ارزیابی انتقادی پیشرفت انجام شده در زمینه رابط های فلز-نیمه هادی بود. موضوع اصلی مکانیسم تشکیل سد شاتکی و بررسی جدی مدل‌های مختلف بود. بخش قابل توجهی از زمان کارگاه نیز صرف بحث در مورد برهمکنش فلزات قلیایی با نیمه هادی ها شد. فلزات قلیایی روی نیمه هادی ها لایه های منظمی را تشکیل می دهند و سیستم حاصل اغلب خواص فلزی یک بعدی را نشان می دهد. ماهیت تعامل آنها پیچیدگی های جدید و هیجان انگیزی را ایجاد کرده است و این موضوع در طول بحث های پر جنب و جوش در کارگاه به طور طولانی دنبال شد. نیم روز به میکروسکوپ تونل زنی اسکن اختصاص داده شد، با تاکید بر کاربرد آن در ارائه ویژگی ساختاری و الکترونیکی رژیم کم پوشش. این کتاب باید آخرین وضعیت فعالیت های تحقیقاتی در حوزه کلی رابط های فلزی-نیمه هادی در سطح بین المللی را در اختیار خوانندگان قرار دهد. همچنین باید به عنوان یک مقدمه عالی برای این زمینه عمل کند، زیرا نوع بررسی کافی از مطالب نیز گنجانده شده است. برگزارکنندگان کارگاه، دکتر I. P. Batra (مدیر)، مرکز تحقیقات mM Almaden، سان خوزه، پروفسور S. Ciraci، دانشگاه Bilkent ، آنکارا، پروفسور C. Y. Pong، دانشگاه کالیفرنیا، دیویس، پروفسور دکتر F. Koch (رئیس محلی)، دانشگاه فنی مونیخ، Garching، دکتر H.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book represents the work presented at a NATO Advanced Research Workshop on "Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces", held at the Technical University of Munich, Garching, W. Germany from 22-26 August 1988. The major focus of the workshop was to evaluate critically the progress made in the area of metal-semiconductor interfaces. The underlying theme was the mechanism of Schottky barrier formation and a serious as­ sessment of the various models. A significant fraction of the workshop time was also spent in discussing the interaction of alkali metals with semiconductors. Alkali metals on semi­ conductors form ordered overlayers and the resulting system often exhibits one-dimensional metallic properties. The nature of their interaction has introduced new and exciting com­ plexities and this was pursued at length during the lively discussions at the workshop. A half a day was devoted to Scanning Tunneling Microscopy, the emphasis being on its utility in providing structural and electronic character of low-coverage regime. The book should pro­ vide readers with the most current status of the research activity in the general area of metal-semiconductor interfaces at an international level. It should also serve as an excellent introduction to the field, since sufficient review type of material has also been included The workshop organizers, Dr. I. P. Batra (Director), mM Almaden Research Center, San Jose, Prof. S. Ciraci, Bilkent University, Ankara, Prof. C. Y. Pong, University of California, Davis, Prof. Dr. F. Koch (Local Chairman), Technical University Munich, Garching, Dr. H.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xi
Introduction to Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces....Pages 1-7
Front Matter....Pages 9-9
Mechanisms of Barrier Formation in Schottky Contacts....Pages 11-38
The Role of Defects and Metal States at the Metal-Semiconductor Interface....Pages 39-54
Metallization, Bonding, and Energetics of Ordered Phases of Al on Si(111)....Pages 55-74
Front Matter....Pages 75-75
Factors Influencing Electrical Barriers at Metal-Semiconductor Interfaces: Gold and Antimony on Indium Phosphide and Cadmium Telluride....Pages 77-90
Deep Levels and Band Bending at Metal-Semiconductor Interfaces....Pages 91-110
Influence of the Atomic Scale Roughness of a Clean Si Surface on the Interface Formation with Metals....Pages 111-122
δ-Doping Layers. The Shaping of Barrier Potentials by Planar Doping....Pages 123-135
Front Matter....Pages 137-137
Disruption, Metallization, and Electrical Properties of Metal GaAs and InP Semiconductor Interfaces....Pages 139-161
Metal-GaAs(110) Interfaces Formed at Low Temperature: From Adsorbate- to Metal-Induced Gap States....Pages 163-178
Thermal Effects in Silicon-Metal Interface Formation: A Photoemission Study of Si/Gd and Si/Yb....Pages 179-192
Front Matter....Pages 193-193
Structures and Electronic Properties of Epitaxial Silicon-Silicide Interfaces....Pages 195-214
Calculated Electronic Structures and Schottky Barrier Heights of (111) NiSi 2 /Si A- and B-Type Interfaces....Pages 215-234
Electrical Characterization of Interface States at Schottky Contacts and MIS Tunnel Diodes....Pages 235-256
Front Matter....Pages 257-257
Relation Between Schottky Barrier Heights, Band Offsets and the Energy Levels of Transition Metal Impurities....Pages 259-268
Screening Near Semiconductor Heterojunctions and Valence Band Offsets....Pages 269-278
Front Matter....Pages 279-279
The Theory of Schottky Barriers: Controversy or Consensus?....Pages 281-288
Metallization of Semiconductor Surfaces as a Function of Coverages....Pages 289-303
Front Matter....Pages 305-305
Fermi-Level Pinning by Oxygen and Antimony Adsorbates on the GaAs(110) Surface by Scanning Tunneling Spectroscopy....Pages 307-314
Initial Stages of Metal-Semiconductor Interface Formation....Pages 315-327
Front Matter....Pages 305-305
Tunneling Spectroscopy and Potentiometry on Cleaved (AI)GaAs Multilayers....Pages 329-332
Front Matter....Pages 333-333
Metallization of Metal-Semiconductor Interfaces....Pages 335-349
Electronic Structure and Excitations of Metal Overlayer on Semiconductor Surfaces....Pages 351-366
Alkali-Metal Overlayers on Silicon Surfaces....Pages 367-380
Present Understanding of a Model Metal/Semiconductor Junction: K/Si(001)2x1....Pages 381-395
Inverse-Photoemission Studies of Clean and Metal-Covered Semiconductor Surfaces....Pages 397-423
Influence of Overlayer Metallization on Schottky-Barrier Formation....Pages 425-438
On the Formation of Metal-Semiconductor Interfaces: The Case of K on GaAs (110)....Pages 439-447
A Theoretical Study of Na Overlayers on the GaAs (110) Surface....Pages 449-463
Electronic and Structural Properties and Schottky Barrier Formation of Alkali Metal-Semiconductor Interfaces....Pages 465-488
Adsorption of Cs on Hydrogenated W(110) Surfaces....Pages 489-503
Back Matter....Pages 505-510




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی