Metal Impurities in Silicon-Device Fabrication

ناخالصی‌های فلزی در ساخت دستگاه‌های سیلیکونی ناخالصی‌های فلزات انتقالی ایجاد شده در طول ساخت نمونه‌ها و دستگاه‌های سیلیکونی را درمان می‌کند. مکانیسم‌های مختلف مسئول آلودگی مورد بحث قرار می‌گیرند و یک بررسی از تأثیر آنها بر عملکرد دستگاه ارائه می‌شود. ویژگی‌های خاص ناخالصی‌های اصلی و کمیاب در سیلیکون و همچنین روش‌های تشخیص و الزامات در فناوری مدرن مورد بررسی قرار می‌گیرد. در نهایت، ناخالصی‌گیری همراه با تکنیک‌های مدرن برای تعیین راندمان گرفتن مورد مطالعه قرار می‌گیرد. در تمامی این موضوعات داده های معتبر و به روز ارائه شده است. این مونوگراف بررسی کاملی از نتایج تحقیقات علمی اخیر و همچنین داده‌ها و خواص مربوط به ناخالصی‌های فلزی مختلف در سیلیکون ارائه می‌کند. نسخه جدید شامل داده های مهم اخیر و تعدادی جداول جدید است.

Metal Impurities in Silicon-Device Fabrication treats the transition-metal impurities generated during the fabrication of silicon samples and devices. The different mechanisms responsible for contamination are discussed, and a survey is given of their impact on device performance. The specific properties of the main and rare impurities in silicon are examined, as well as the detection methods and requirements in modern technology. Finally, impurity gettering is studied along with modern techniques to determine the gettering efficiency. In all of these subjects, reliable and up-to-date data are presented. This monograph provides a thorough review of the results of recent scientific investigations, as well as the relevant data and properties of the various metal impurities in silicon. The new edition includes important recent data and a number of new tables.