دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1st ed.
نویسندگان: Cor Claeys. Eddy Simoen
سری: Springer Series in Materials Science 270
ISBN (شابک) : 9783319939247
ناشر: Springer International Publishing
سال نشر: 2018
تعداد صفحات: 464
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 14 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ناخالصیهای فلزی در فناوریهای مبتنی بر سیلیکون و ژرمانیوم: منشأ، مشخصهسازی، کنترل و تأثیر دستگاه: علم مواد، مواد نوری و الکترونیکی، مایکروویو، مهندسی نوری و RF، نیمه هادی ها، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، خصوصیات و ارزیابی مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب Metal Impurities in Silicon- and Germanium-Based Technologies: Origin, Characterization, Control, and Device Impact به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ناخالصیهای فلزی در فناوریهای مبتنی بر سیلیکون و ژرمانیوم: منشأ، مشخصهسازی، کنترل و تأثیر دستگاه نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب مروری منحصر به فرد از جنبه های مختلف آلودگی فلزی در نیمه هادی های مبتنی بر Si و Ge ارائه می دهد. همه فلزات مهم از جمله منشاء آنها در طول ساخت کریستال و / یا دستگاه، خواص اساسی آنها، تکنیک های مشخصه آنها و تأثیر آنها بر عملکرد دستگاه های الکتریکی را مورد بحث قرار می دهد. چندین رویکرد کنترلی و احتمالی در نظر گرفته شده است. این کتاب یک راهنمای مرجع ارزشمند برای همه محققان و مهندسانی است که در حال مطالعه دستگاه ها و مدارهای نیمه هادی میکرو و نانو پیشرفته و پیشرفته هستند. با اتخاذ یک رویکرد میان رشته ای، دیدگاه هایی را از جمله ترکیب می کند. علم مواد، مهندسی نقص، پردازش دستگاه، شناسایی نقص و دستگاه، و فیزیک و مهندسی دستگاه.
This book provides a unique review of various aspects of metallic contamination in Si and Ge-based semiconductors. It discusses all of the important metals including their origin during crystal and/or device manufacturing, their fundamental properties, their characterization techniques and their impact on electrical devices’ performance. Several control and possible gettering approaches are addressed. The book offers a valuable reference guide for all researchers and engineers studying advanced and state-of-the-art micro- and nano-electronic semiconductor devices and circuits. Adopting an interdisciplinary approach, it combines perspectives from e.g. material science, defect engineering, device processing, defect and device characterization, and device physics and engineering.
Front Matter ....Pages i-xxxiii
Introduction (Cor Claeys, Eddy Simoen)....Pages 1-7
Basic Properties of Transition Metals in Semiconductors (Cor Claeys, Eddy Simoen)....Pages 9-35
Source of Metals in Si and Ge Crystal Growth and Processing (Cor Claeys, Eddy Simoen)....Pages 37-74
Characterization and Detection of Metals in Silicon and Germanium (Cor Claeys, Eddy Simoen)....Pages 75-123
Electrical Activity of Iron and Copper in Si, SiGe and Ge (Cor Claeys, Eddy Simoen)....Pages 125-196
Electrical Properties of Metals in Si and Ge (Cor Claeys, Eddy Simoen)....Pages 197-285
Impact of Metals on Silicon Devices and Circuits (Cor Claeys, Eddy Simoen)....Pages 287-350
Gettering and Passivation of Metals in Silicon and Germanium (Cor Claeys, Eddy Simoen)....Pages 351-388
Modeling of Metal Properties in Si, Si1−xGex and Ge (Cor Claeys, Eddy Simoen)....Pages 389-433
Back Matter ....Pages 435-438