دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Hiroyuki Tango (Editor)
سری:
ISBN (شابک) : 9789056990985, 9781000673418
ناشر: CRC Press
سال نشر: 1998
تعداد صفحات: 311
زبان:
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 51 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Mega-Bit Memory Technology - From Mega-Bit to Giga-Bit-From Mega-Bit to Giga-Bit به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فناوری حافظه مگا بیت - از مگا بیت تا گیگا بیت-از مگا بیت تا گیگا بیت نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Preface to the Series -- Preface -- Contributors -- 1. MOS Device Technology/Hiroyuki Tango -- 1.1. Introduction -- 1.2. MOS device technology -- 1.3. Scaling law for lower sub-micron MOS devices -- 1.4. Toward Gbit and beyond -- 1.5. Si quantum devices -- 2. Memory Cell Technology/Hiroyuki Tango -- 2.1. Memory cell technology trend -- 2.2. Trench capacitor cells -- 2.3. Stacked capacitor cell -- 2.4. High e and ferroelectric films for the gigabit generation -- 3. Lithography/Masataka Miyamura -- 3.1. Introduction -- 3.2. Photolithography -- 3.3. Resist and resist process -- 3.4. EB lithography -- 3.5. X-ray lithography -- 4. Dry Etching/Makoto Sekine -- 4.1. Introduction -- 4.2. Basic etching hardware and process technologies -- 4.3. Emerging etching process technologies -- 5. Thin Film Insulator/Kikuo Yamabe -- 5.7. Introduction -- 5.2. Oxide breakdown defect -- 5.3. Trench corner oxidation -- 5.4. Fatigue breakdown -- 5.5. Polysilicon oxide -- 5.6. Trapping center -- 5.7. Stress induced leakage current -- 5.8. Summary -- 6. Impurity Doping/Kikuo Yamabe -- 6.1. Introduction -- 6.2. Impurity doping -- 6.3. Macroscopic diffusion mechanism -- 6.4. Microscopic diffusion mechanism -- 6.5. Point defect control technology -- 6.6. Summary -- 7. Metallization/Kyoichi Suguro -- 7.1. Gate electrodes -- 7.2. Source and drain contacts -- 7.3. Interconnects -- 7.4. Summary -- 8. Chemical Vapor Deposition (CVD)/Nobuo Hayasaka 196 -- 8.1. Introduction -- 8.2. CVD of poly crystalline silicon -- 8.3. CVD of metals -- 8.4. CVD of insulators -- 9. Crystal Technology/Yoshiaki Matsusita -- 9.1. Introduction -- 9.2. Silicon crystal growth technology -- 9.3. Crystalline defect control -- 9.4. Epitaxial wafer -- 9.5. SOI technology -- 9.6. Hereafter subject of crystal technology -- 10. Process and Device Simulation/Tetsunori Wada -- 10.1. Introduction -- 10.2. Process simulation -- 10.3. Device simulation -- 10.4. Conclusion -- 11. SOI Technology/Makoto Yoshimi -- 11.1. History of SOI technology -- 11.2. Thin-film SOI structure -- 11.3. SOI substrate technology -- 11.4. Application to ULSI circuits -- 11.5. Summary -- Index.