دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Measurement and Modeling of Silicon Heterostructure Devices
دانلود کتاب اندازه گیری و مدل سازی دستگاه های ناهمگن سیلیکون
مشخصات کتاب
Measurement and Modeling of Silicon Heterostructure Devices
ویرایش:
نویسندگان: John D. Cressler
سری:
ISBN (شابک) : 1420066927, 9781420066937
ناشر: CRC Press
سال نشر: 2007
تعداد صفحات: 200
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 3 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 34,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Measurement and Modeling of Silicon Heterostructure Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اندازه گیری و مدل سازی دستگاه های ناهمگن سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب اندازه گیری و مدل سازی دستگاه های ناهمگن سیلیکون
وقتی مجموعه ای از داده ها را به خوبی ارائه می کنید، پاسخ طبیعی این است: «چگونه این کار را انجام دادند. از چه ترفندهایی استفاده کردند و چگونه می توانم این کار را برای خودم انجام دهم؟" متأسفانه، معمولاً شما باید به سادگی به تعجب ادامه دهید، زیرا چنین ترفندهای تجارت معمولاً نزدیک جلیقه نگه داشته می شوند و به ندرت فاش می شوند. اندازه‌گیری و مدل‌سازی دستگاه‌های نیمه‌رسانای پرسرعت که به‌طور شرم‌آور در ادبیات فنی نادیده گرفته می‌شود، هنر خوبی است. اندازه‌گیری و مدل‌سازی قوی در سطوح عملکردی که در دستگاه‌های SiGe مدرن یافت می‌شود، به مهارت فوق‌العاده در آزمایشگاه برای به دست آوردن داده‌های قابل اعتماد و سپس یک مدل معتبر برای مطابقت با آن داده‌ها نیاز دارد. این جلد برگرفته از کتاب جامع و به خوبی بررسی شده سیلیکون Heterostructure، بر اندازه گیری و مدل سازی دستگاه های ناهم ساختار سیلیکونی با سرعت بالا تمرکز دارد. نویسندگان فصل، ترفندهای مبتنی بر تجربه و نکات ظریف اندازه‌گیری و مدل‌سازی دستگاه‌های پیشرفته را ارائه می‌کنند که این موضوع را به یک مرجع مهم برای صنعت نیمه‌رسانا تبدیل می‌کند. این شامل ضمائم با ارجاع آسان است که موضوعاتی مانند خواص سیلیکون و ژرمانیوم، روابط مول-راس تعمیم یافته، مدل انتگرال کنترل شارژ، و نمونه پارامترهای مدل فشرده SiGe HBT را پوشش می دهد.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
When you see a nicely presented set of data, the natural response is: “How did they do that; what tricks did they use; and how can I do that for myself?” Alas, usually, you must simply keep wondering, since such tricks-of- the-trade are usually held close to the vest and rarely divulged. Shamefully ignored in the technical literature, measurement and modeling of high-speed semiconductor devices is a fine art. Robust measuring and modeling at the levels of performance found in modern SiGe devices requires extreme dexterity in the laboratory to obtain reliable data, and then a valid model to fit that data. Drawn from the comprehensive and well-reviewed Silicon Heterostructure Handbook, this volume focuses on measurement and modeling of high-speed silicon heterostructure devices. The chapter authors provide experience-based tricks-of-the-trade and the subtle nuances of measuring and modeling advanced devices, making this an important reference for the semiconductor industry. It includes easy-to-reference appendices covering topics such as the properties of silicon and germanium, the generalized Moll-Ross relations, the integral charge-control model, and sample SiGe HBT compact model parameters.
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Citroën: The Complete Story
