دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: [1 ed.] نویسندگان: K. Merten (auth.), R. E. Bank, K. Merten, R. Bulirsch (eds.) سری: International Series of Numerical Mathematics / Internationale Schriftenreihe zur Numerischen Mathematik / Série internationale d’Analyse numérique 93 ISBN (شابک) : 9783034857000, 9783034856980 ناشر: Birkhäuser Basel سال نشر: 1990 تعداد صفحات: 297 [298] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 11 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Mathematical Modelling and Simulation of Electrical Circuits and Semiconductor Devices: Proceedings of a Conference held at the Mathematisches Forschungsinstitut, Oberwolfach, October 30 – November 5, 1988 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مدل سازی ریاضی و شبیه سازی مدارهای الکتریکی و دستگاه های نیمه هادی: مجموعه مقالات کنفرانسی که در Mathematisches Forschungsinstitut ، اوبروافلاچ برگزار شد ، 30 اکتبر - 5 نوامبر 1988 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
شبیهسازی عددی و مدلسازی مدارهای الکتریکی و دستگاههای نیمهرسانا از علاقهمندیهای اولیه در صنایع با فناوری پیشرفته امروزی است. در کنفرانس Oberwolfach بیش از چهل دانشمند از سراسر جهان، با جمع آوری ریاضیدانان کاربردی و مهندسین برق از صنعت و دانشگاه، نتایج جدیدی را در این زمینه که اهمیت رو به رشدی دارد، ارائه کردند. مشارکت در این کنفرانس در این مجموعه ارائه شده است. آنها شامل مشارکت در موضوعات خاص مورد علاقه فعلی در شبیه سازی مدار و دستگاه، و همچنین مشارکت هایی هستند که یک نمای کلی از این زمینه را ارائه می دهند. در ناحیه نیمه هادی سخنرانی های ویژه ای در مورد روش های ترکیبی اجزای محدود و روش های تکراری برای حل سیستم های خطی بزرگ ارائه شد. برای مدل های سه بعدی روش های گسسته سازی جدید شامل بسته های نرم افزاری ارائه شد. ارتباط بین معادلات نیمه هادی و معادله بولتزمن و همچنین روابط با معادله انتقال کوانتومی نشان داده شد. از دیگر موضوعات مورد بحث در این زمینه می توان به طراحی برنامه های شبیه سازی برای نیمه هادی ها، رایانه های برداری و مسائل رابط در چند بعد اشاره کرد. موضوعات مورد بحث در حوزه شبیهسازی مدار شامل طبقهبندی شاخص سیستمهای دیفرانسیل-جبری، اتصالات با مسائل نادرست، و تکنیکهای منظمسازی است. روشهای تقسیم گسسته برای محاسبه کارآمد راهحلهای دورهای مدارها با در نظر گرفتن تأخیر ارائه شد. روشهای هموتوپی و تکنیکهای عددی جدید برای سیستمهای دیفرانسیل-جبری ارائه شد، و بهبود روشهای عددی ویژه برای بستههای نرمافزار استاندارد پیشنهاد شد. ویراستاران VII جدول محتویات شبیه سازی مدار مرتن K.
Numerical simulation and modelling of electric circuits and semiconductor devices are of primal interest in today's high technology industries. At the Oberwolfach Conference more than forty scientists from around the world, in cluding applied mathematicians and electrical engineers from industry and universities, presented new results in this area of growing importance. The contributions to this conference are presented in these proceedings. They include contributions on special topics of current interest in circuit and device simulation, as well as contributions that present an overview of the field. In the semiconductor area special lectures were given on mixed finite element methods and iterative procedures for the solution of large linear systems. For three dimensional models new discretization procedures including software packages were presented. Con nections between semiconductor equations and the Boltzmann equation were shown as well as relations to the quantum transport equation. Other issues discussed in this area include the design of simulation programs for semiconductors, vectorcomputers, and interface problems in several dimensions. Topics discussed in the area of circuit simulation include the index classification of differential-algebraic systems, connections with ill-posed problems, and regularization techniques. Split discretization procedures were given for the efficient calculation of periodic solutions of circuits taking into acount the latency. Homotopy methods and new numerical techniques for differential-algebraic systems were presented, and im provements of special numerical methods for standard software packages were sug gested. The editors VII Table of Contents Circuit Simulation Merten K.
Front Matter....Pages I-XV
Front Matter....Pages XVII-XVII
Circuit Simulation in the Semiconductor Industry — State of the Art, Requirements and Future Development....Pages 1-10
The Index of Differential-Algebraic Equations and its Significance for the Circuit Simulation....Pages 11-25
Analysis and Numerical Treatment of Differential-Algebraic Systems....Pages 27-43
Hopf Bifurcation in Differential Algebraic Equations and Applications to Circuit Simulation....Pages 45-58
Row-Type Methods for the Integration of Electric Circuits....Pages 59-71
Local Timestep Control for Simulating Electrical Circuits....Pages 73-83
An improved numerical integration method in the circuit simulator SPICE2-S....Pages 85-99
Increasing the Vector Length for Matrix Multiplication with Reduced Memory Access....Pages 101-108
Front Matter....Pages 109-109
Semiconductor Equations and Analytical Models for Mosfets....Pages 111-123
Recent Progress in Algorithms for Semiconductor Device Simulation....Pages 125-140
A New Algorithmic Model for the Transient Semiconductor Problem....Pages 141-151
Semiconductor Modelling Via the Boltzmann Equation....Pages 153-172
A Numerical Method for the Simulation of Quantum Tunneling Phenomena in Solid State Semiconductors....Pages 173-183
Modelling of Semiconductors Subject to Prescribed Currents....Pages 185-199
Differential-Algebraic Problems and Semiconductor Device Simulation....Pages 201-215
Algorithmic Aspects of the Hydrodynamic and Drift-Diffusion Device Models....Pages 217-236
About the dependence of the convergence of Gummel’s algorithm and its linear variants on the device geometry....Pages 237-245
Mixed FEM for Δu = αu....Pages 247-255
A Mixed Finite Element Method with Tetrahedral Elements for the Semiconductor Continuity Equations....Pages 257-266
Local oxidation of silicon — a finite element approach....Pages 267-281
Front Matter....Pages 109-109
Corner Singularities of Solutions of the Potential Equation in three Dimensions....Pages 283-297