دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: A. Dimoulas (auth.), Ehrenfried Zschech, Caroline Whelan Ph.D., Thomas Mikolajick (eds.) سری: Engineering Materials and Processes ISBN (شابک) : 9781852339418, 9781846282355 ناشر: Springer-Verlag London سال نشر: 2005 تعداد صفحات: 497 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 15 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مواد برای فناوری اطلاعات: دستگاه ها، اتصالات و بسته بندی: فیزیک و فیزیک کاربردی در مهندسی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، فیزیک حالت جامد و طیفسنجی، سرامیک، شیشه، کامپوزیتها، روشهای طبیعی، سطوح و واسطها، لایههای نازک، مواد فلزی
در صورت تبدیل فایل کتاب Materials for Information Technology: Devices, Interconnects and Packaging به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مواد برای فناوری اطلاعات: دستگاه ها، اتصالات و بسته بندی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
صنعت فناوری اطلاعات که به سرعت در حال توسعه است، نیاز به مواد جدید را به منظور تسهیل توسعه محصولات میکروالکترونیکی قابل اعتمادتر ایجاد می کند.
مواد برای فناوری اطلاعات یک مرور کلی به روز از پیشرفت های جاری و فعالیت های تحقیق و توسعه در زمینه مواد مورد استفاده برای فناوری اطلاعات با تمرکز بر کاربردهای آینده است. شامل موارد زیر است:
مواد برای دستگاه های نیمه هادی مبتنی بر سیلیکون (از جمله مواد دی الکتریک گیت با کیفیت بالا).
مواد برای حافظه های غیرفرار.
مواد برای اتصالات روی تراشه و دی الکتریک های بین لایه ای (شامل سیلیسیدها، مواد مانع، مواد دی الکتریک کم و بسیار کم پتاسیم). و
مواد برای مونتاژ و بسته بندی
آخرین نتایج در علم و مهندسی مواد و همچنین کاربردها در صنعت نیمه هادی شامل سنتز مواد لایه نازک پتویی و طرحدار، خواص، ساختار، ساختار و ریزساختار آنها میشود. مدلسازی رایانهای و تکنیکهای تحلیلی برای توصیف ساختارهای لایه نازک نیز برای ارائه یک بررسی جامع از مواد برای صنعت فناوری اطلاعات گنجانده شده است.
مواد و فرآیندهای مهندسی این سری بر روی تمام اشکال مواد و فرآیندهای مورد استفاده برای سنتز و فرموله کردن آنها به عنوان مرتبط با رشته های مهندسی مختلف تمرکز دارد. این سری با طیف متنوعی از مواد سروکار دارد: سرامیک. فلزات (آهنی و غیر آهنی)؛ نیمه هادی ها؛ کامپوزیت ها، پلیمرها، بیومیمتیک ها و غیره. هر تک نگاری در این مجموعه توسط یک متخصص نوشته شده است و نشان می دهد که چگونه پیشرفت در مواد و فرآیندهای مرتبط با آنها می تواند عملکرد را در زمینه مهندسی که در آن استفاده می شود بهبود بخشد.
The fast-developing information technology industry is driving a need for new materials in order to facilitate the development of more reliable microelectronic products.
Materials for Information Technology is an up-to-date overview of current developments and R&D activities in the field of materials used for information technology with a focus on future applications. Included are:
materials for silicon-based semiconductor devices (including high-k gate dielectric materials);
materials for nonvolatile memories;
materials for on-chip interconnects and interlayer dielectrics (including silicides, barrier materials, low-k and ultra low-k dielectric materials); and
materials for assembly and packaging
The latest results in materials science and engineering as well as applications in the semiconductor industry are covered including the synthesis of blanket and patterned thin film materials, their properties, constitution, structure and microstructure. Computer modelling and analytical techniques to characterise thin film structures are also included to give a comprehensive survey of materials for the IT industry.
The Engineering Materials and Processes series focuses on all forms of materials and the processes used to synthesise and formulate them as they relate to the various engineering disciplines. The series deals with a diverse range of materials: ceramics; metals (ferrous and non-ferrous); semiconductors; composites, polymers, biomimetics etc. Each monograph in the series is written by a specialist and demonstrates how enhancements in materials and the processes associated with them can improve performance in the field of engineering in which they are used.
Front Matter....Pages 1-1
Molecular-beam Deposition of High-k Gate Dielectrics for Advanced CMOS....Pages 3-15
LEPECVD — A Production Technique for SiGe MOSFETs and MODFETs....Pages 17-29
Thin-film Engineering by Atomic-layer Deposition for Ultra-scaled and Novel Devices....Pages 31-38
Atomic-layer Deposited Barrier and Seed Layers for Interconnects....Pages 39-50
Copper CVD for Conformal Ultrathin-film Deposition....Pages 51-59
Pushing PVD to the Limits — Recent Advances....Pages 61-68
Surface Engineering Using Self-assembled Monolayers: Model Substrates for Atomic-layer Deposition....Pages 69-76
Selective Airgaps: Towards a Scalable Low-k Solution....Pages 77-84
Silicides — Recent Advances and Prospects....Pages 85-97
TEM Characterization of Strained Silicon....Pages 99-108
Front Matter....Pages 109-109
An Introduction to Nonvolatile Memory Technology....Pages 111-125
Floating-dot Memory Transistors on SOI Substrate....Pages 127-138
Ion-beam Synthesis of Nanocrystals for Multidot Memory Structures....Pages 139-147
Scaling of Ferroelectric-based Memory Concepts....Pages 149-161
Device Concepts with Magnetic Tunnel Junctions....Pages 163-176
Phase-change Memories....Pages 177-188
Amorphous-to- fcc Transition in GeSbTe Alloys....Pages 189-196
Organic Nonvolatile Memories....Pages 197-209
Front Matter....Pages 211-211
Interconnect Technology — Today, Recent Advances and a Look into the Future....Pages 213-224
Dielectric and Scaling Effects on Electromigration for Cu Interconnects....Pages 225-239
Front Matter....Pages 211-211
Texture and Stress Study of Sub-Micron Copper Interconnect Lines Using X-ray Microdiffraction....Pages 241-249
Stress Modeling for Copper Interconnect Structures....Pages 251-263
Conductivity Enhancement in Metallization Structures of Regular Grains....Pages 265-281
Advanced Barriers for Copper Interconnects....Pages 283-295
Synthesis and Characterization of Compounds Obtained by Crosslinking of Polymethylhydrosiloxane by Aromatic Rings....Pages 297-303
Revealing the Porous Structure of Low-k Materials Through Solvent Diffusion....Pages 305-314
Carbon Nanotube Via Technologies for Future LSI Interconnects....Pages 315-326
Nickel Nanowires Obtained by Template Synthesis....Pages 327-344
Front Matter....Pages 345-345
The Importance of Polymers in Wafer-Level Packaging....Pages 347-361
Electrically Conductive Adhesives as Solder Alternative: A Feasible Challenge....Pages 363-375
The Role of Au/Sn Solder in Packaging....Pages 377-390
Packaging Materials: Organic-Inorganic Hybrids for Millimetre-Wave Optoelectronics....Pages 391-404
Wafer-Level Three-Dimensional Hyper-Integration Technology Using Dielectric Adhesive Wafer Bonding....Pages 405-417
Front Matter....Pages 419-419
Challenges to Advanced Materials Characterization for ULSI Applications....Pages 421-435
Advanced Material Characterization by TOFSIMS in Microelectronic....Pages 437-447
Electronic Properties of the Interface Formed by Pr 2 O 3 Growth on Si(001), Si(111) and SiC(0001) Surfaces....Pages 449-459
Materials Characterization by Ellipsometry....Pages 461-473
Thermal Desorption Spectrometry as a Method of Analysis for Advanced Interconnect Materials....Pages 475-483
Electron Backscatter Diffraction: Application to Cu Interconnects in Top-View and Cross Section....Pages 485-495
X-ray Reflectivity Characterisation of Thin-Film and Multilayer Structures....Pages 497-505