ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices

دانلود کتاب کتابچه راهنمای مواد و قابلیت اطمینان برای دستگاه های نوری و الکترونی نیمه هادی

Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices

مشخصات کتاب

Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices

دسته بندی: ابزار
ویرایش: 1 
نویسندگان: , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9781461443360, 9781461443377 
ناشر: Springer-Verlag New York 
سال نشر: 2013 
تعداد صفحات: 617 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 15 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 46,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب کتابچه راهنمای مواد و قابلیت اطمینان برای دستگاه های نوری و الکترونی نیمه هادی: اپتیک، اپتوالکترونیک، پلاسمونیک و دستگاه های نوری، مواد نوری و الکترونیکی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، خصوصیات و ارزیابی مواد، فناوری لیزر



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 14


در صورت تبدیل فایل کتاب Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب کتابچه راهنمای مواد و قابلیت اطمینان برای دستگاه های نوری و الکترونی نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب کتابچه راهنمای مواد و قابلیت اطمینان برای دستگاه های نوری و الکترونی نیمه هادی



کتابچه مواد و قابلیت اطمینان برای دستگاه های نوری و الکترونی نیمه هادی پوشش جامعی از روش ها و رویکردهای قابلیت اطمینان برای دستگاه های الکترونی و فوتونیک ارائه می دهد. اینها شامل لیزرها و لوازم الکترونیکی پرسرعت مورد استفاده در تلفن های همراه، ماهواره ها، سیستم های انتقال داده و نمایشگرها است. پیش‌بینی‌های طول عمر برای دستگاه‌های نیمه‌رسانای مرکب به دلیل عدم وجود پروتکل‌های استاندارد بسیار نادرست هستند. تولیدکنندگان به برون یابی بازگشت به دمای اتاق برای آزمایش تسریع در دمای بالا تکیه کرده اند. این تکنیک برای دستگاه های مقیاس شده و با چگالی جریان بالا شکست می خورد. خرابی دستگاه توسط مکانیسم های میدان الکتریکی یا جریان یا فرآیندهای انرژی فعال سازی کم که توسط مکانیسم های دیگر در دمای بالا پوشانده می شود، هدایت می شود.

هندبوک به مهندسی قابلیت اطمینان برای دستگاه های III-V، از جمله مواد و مشخصات الکتریکی، تست قابلیت اطمینان، و مشخصات الکترونیکی می پردازد. اینها برای توسعه فناوری‌های شبیه‌سازی جدید برای عملکرد و قابلیت اطمینان دستگاه استفاده می‌شوند که امکان پیش‌بینی دقیق قابلیت اطمینان و همچنین طراحی به‌طور خاص برای قابلیت اطمینان بهبود یافته را فراهم می‌کند. راهنما به جای تعریف الکتریکی قابلیت اطمینان، بر مکانیسم های فیزیکی تأکید دارد. پیری سریع تنها در صورتی مفید است که مکانیسم شکست شناخته شده باشد. این کتابچه همچنین بر مکانیسم‌های تنش شتاب ولتاژ و جریان تمرکز دارد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices provides comprehensive coverage of reliability procedures and approaches for electron and photonic devices. These include lasers and high speed electronics used in cell phones, satellites, data transmission systems and displays. Lifetime predictions for compound semiconductor devices are notoriously inaccurate due to the absence of standard protocols. Manufacturers have relied on extrapolation back to room temperature of accelerated testing at elevated temperature. This technique fails for scaled, high current density devices. Device failure is driven by electric field or current mechanisms or low activation energy processes that are masked by other mechanisms at high temperature.

The Handbook addresses reliability engineering for III-V devices, including materials and electrical characterization, reliability testing, and electronic characterization. These are used to develop new simulation technologies for device operation and reliability, which allow accurate prediction of reliability as well as the design specifically for improved reliability. The Handbook emphasizes physical mechanisms rather than an electrical definition of reliability. Accelerated aging is useful only if the failure mechanism is known. The Handbook also focuses on voltage and current acceleration stress mechanisms.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xv
Front Matter....Pages 1-1
Reliability Testing of Semiconductor Optical Devices....Pages 3-17
Failure Analysis of Semiconductor Optical Devices....Pages 19-53
Failure Analysis Using Optical Evaluation Technique (OBIC) of LDs and APDs for Fiber Optical Communication....Pages 55-85
Reliability and Degradation of III-V Optical Devices Focusing on Gradual Degradation....Pages 87-122
Catastrophic Optical Damage in High-Power, Broad-Area Laser Diodes....Pages 123-145
Reliability and Degradation of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers....Pages 147-205
Structural Defects in GaN-Based Materials and Their Relation to GaN-Based Laser Diodes....Pages 207-245
InGaN Laser Diode Degradation....Pages 247-261
Radiation-Enhanced Dislocation Glide: The Current Status of Research....Pages 263-281
Mechanism of Defect Reactions in Semiconductors....Pages 283-316
Front Matter....Pages 317-317
Reliability Studies in the Real World....Pages 319-379
Strain Effects in AlGaN/GaN HEMTs....Pages 381-429
Reliability Issues in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors....Pages 431-453
GaAs Device Reliability: High Electron Mobility Transistors and Heterojunction Bipolar Transistors....Pages 455-474
Novel Dielectrics for GaN Device Passivation and Improved Reliability....Pages 475-513
Reliability Simulation....Pages 515-544
The Analysis of Wide Band Gap Semiconductors Using Raman Spectroscopy....Pages 545-582
Reliability Study of InP-Based HBTs Operating at High Current Density....Pages 583-610
Back Matter....Pages 611-616




نظرات کاربران