ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors (The Springer International Series in Engineering and Computer Science)

دانلود کتاب خواص تطبیقی ​​ترانزیستورهای Deep Sub-Micron MOS (سری بین المللی Springer در مهندسی و علوم کامپیوتر)

Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors (The Springer International Series in Engineering and Computer Science)

مشخصات کتاب

Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors (The Springer International Series in Engineering and Computer Science)

دسته بندی: کامپیوتر
ویرایش: 1 
نویسندگان: , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 0387243143, 9780387243139 
ناشر:  
سال نشر: 2005 
تعداد صفحات: 214 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 12 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 44,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 9


در صورت تبدیل فایل کتاب Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors (The Springer International Series in Engineering and Computer Science) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب خواص تطبیقی ​​ترانزیستورهای Deep Sub-Micron MOS (سری بین المللی Springer در مهندسی و علوم کامپیوتر) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب خواص تطبیقی ​​ترانزیستورهای Deep Sub-Micron MOS (سری بین المللی Springer در مهندسی و علوم کامپیوتر)

Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors این پدیده جالب را بررسی می کند. نوسانات میکروسکوپی باعث نوسانات پارامتر تصادفی می شود که بر دقت ماسفت تأثیر می گذارد. برای مدارهای آنالوگ این مبادله بین سرعت، قدرت، دقت و تسلیم را تعیین می کند. علاوه بر این، به دلیل کاهش مقیاس ابعاد دستگاه، عدم تطابق ترانزیستور تأثیر فزاینده ای بر مدارهای دیجیتال دارد. خواص تطبیق ماسفت ها در سطوح مختلف انتزاع مورد مطالعه قرار می گیرد: یک مدل ساده و مبتنی بر فیزیک ارائه شده است که به طور دقیق عدم تطابق در جریان تخلیه را توصیف می کند. این مدل با ابعاد سلول جریان واحد یک مبدل D/A هدایت کننده جریان نشان داده شده است. متداول‌ترین روش‌های مورد استفاده برای استخراج ویژگی‌های تطبیق یک فناوری، با توجه به دقت مدل، دقت اندازه‌گیری و سرعت، و محتویات فیزیکی پارامترهای استخراج‌شده، مشخص می‌شوند. منشاء فیزیکی نوسانات میکروسکوپی و چگونگی تأثیر آنها بر عملکرد ماسفت بررسی شده است. این منجر به اصلاح قانون عمومی 1/منطقه می شود. علاوه بر این، تجزیه و تحلیل مدل‌های ترانزیستور ساده، مکانیسم‌های فیزیکی را که بر نوسانات جریان تخلیه و رسانایی عبوری غالب هستند، برجسته می‌کند. تاثیر پارامترهای فرآیند بر روی خواص تطبیق بحث شده است. تاثیر زبری خط لبه دروازه بررسی شده است، که به عنوان یکی از موانع برای کاهش بیشتر ترانزیستور MOS در نظر گرفته می شود. ویژگی‌های تطبیق ترانزیستورهای Deep Sub-Micron MOS برای فیزیکدانان دستگاه، مهندسان خصوصیات، طراحان فناوری، طراحان مدار، یا هر شخص دیگری که به ویژگی‌های تصادفی MOSFET علاقه‌مند است، هدف قرار می‌گیرد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors examines this interesting phenomenon. Microscopic fluctuations cause stochastic parameter fluctuations that affect the accuracy of the MOSFET. For analog circuits this determines the trade-off between speed, power, accuracy and yield. Furthermore, due to the down-scaling of device dimensions, transistor mismatch has an increasing impact on digital circuits. The matching properties of MOSFETs are studied at several levels of abstraction: A simple and physics-based model is presented that accurately describes the mismatch in the drain current. The model is illustrated by dimensioning the unit current cell of a current-steering D/A converter. The most commonly used methods to extract the matching properties of a technology are bench-marked with respect to model accuracy, measurement accuracy and speed, and physical contents of the extracted parameters. The physical origins of microscopic fluctuations and how they affect MOSFET operation are investigated. This leads to a refinement of the generally applied 1/area law. In addition, the analysis of simple transistor models highlights the physical mechanisms that dominate the fluctuations in the drain current and transconductance. The impact of process parameters on the matching properties is discussed. The impact of gate line-edge roughness is investigated, which is considered to be one of the roadblocks to the further down-scaling of the MOS transistor. Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors is aimed at device physicists, characterization engineers, technology designers, circuit designers, or anybody else interested in the stochastic properties of the MOSFET.





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی