دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Magnetic Memory Technology: Spin-transfer-Torque MRAM and Beyond
دانلود کتاب فناوری حافظه مغناطیسی: MRAM چرخشی-انتقال-گشتاور و فراتر از آن
مشخصات کتاب
Magnetic Memory Technology: Spin-transfer-Torque MRAM and Beyond
ویرایش: نویسندگان: Denny D. Tang, Chi-Feng Pai سری: ISBN (شابک) : 9781119562238, 1119562236 ناشر: Wiley سال نشر: 2021 تعداد صفحات: 368 [344] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 15 Mb
قیمت کتاب (تومان) : 46,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Magnetic Memory Technology: Spin-transfer-Torque MRAM and Beyond به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فناوری حافظه مغناطیسی: MRAM چرخشی-انتقال-گشتاور و فراتر از آن نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب فناوری حافظه مغناطیسی: MRAM چرخشی-انتقال-گشتاور و فراتر از آن
این کتاب ابتدا مبانی مغناطیس را ارائه می دهد که دانشجویان مهندسی برق در برنامه درسی نیمه هادی ها به راحتی می توانند آن را درک کنند. سپس، یک قدم به جلو می رود تا در مورد اسپین الکترون بحث شود. در ادامه بحث پیش زمینه فوق، فیزیک دستگاه اتصال تونل مغناطیسی (MTJ)، اسب کاری MRAM، برای کاربردهای حافظه به خوانندگان آموزش داده می شود. در پایان این کتاب، نویسنده به مقایسه حافظه‌های غیرفرار در حال ظهور (PCM، ReRAM، FeRAM و MRAM) می‌پردازد. نویسنده همچنین کیفیت منحصربه‌فرد MRAM را در میان حافظه‌های در حال ظهور بررسی می‌کند، زیرا تنها حافظه‌ای است که در آن اتم‌های دستگاه هنگام تغییر حالت حرکت نمی‌کنند. این خاصیت آن را قابل اطمینان ترین و کم مصرف ترین می کند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book first provides the basics of magnetism that electrical engineering students in the semiconductor curriculum can easily understand. Then, it goes one step forward to discuss electron spin. Following the above background discussion, readers are taught the physics of magnetic tunnel junction device (MTJ), the work horse of MRAM, for memory applications. At the end of this book, the author gives a comparison of emerging non-volatile memories (PCM, ReRAM, FeRAM and MRAM). The author also explores MRAM’s unique quality among emerging memories, in that is the only one in which the atoms in the device do not move when switching states. This property makes it the most reliable and low power.
