دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Thorsten U. Kampen
سری:
ISBN (شابک) : 3527406530, 9783527406531
ناشر: Wiley-VCH
سال نشر: 2010
تعداد صفحات: 177
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 4 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Low Molecular Weight Organic Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نیمه هادی های آلی با وزن مولکولی کم نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این مرجع به روز برای دانشجویان و محققان این حوزه، اولین درمان سیستماتیک در مورد اندازه گیری خواص مواد نیمه هادی آلی است. پس از مقدمه، این کتاب به بررسی تحلیل ساختاری لایههای نازک و طیفسنجی حالتهای الکترونیکی میپردازد. بخشهای بعدی به طیفسنجی نوری و انتقال بار میپردازد. منبعی ارزشمند برای درک، مدیریت و بکارگیری این نوع مواد کلیدی برای فیزیکدانان، دانشمندان مواد، دانشجویان تحصیلات تکمیلی و آزمایشگاههای تحلیلی.
This up-to-date reference for students and researchers in the field is the first systematic treatment on the property measurements of organic semiconductor materials. Following an introduction, the book goes on to treat the structural analysis of thin films and spectroscopy of electronic states. Subsequent sections deal with optical spectroscopy and charge transport.An invaluable source for understanding, handling and applying this key type of material for physicists, materials scientists, graduate students, and analytical laboratories.
Low Molecular Weight Organic Semiconductors......Page 5
Contents......Page 7
Preface......Page 9
1: Introduction......Page 11
1.1: Electronic Surface Properties of Inorganic Semiconductors......Page 14
1.1.1: Surface Band Bending......Page 15
1.1.2: Surface Dipoles......Page 18
1.1.3: Passivation of GaAs Surfaces......Page 19
1.2.1: Metal–Semiconductor Contacts......Page 28
1.2.2: Metal Contacts on GaAs......Page 31
2: Growth of Thin Films......Page 35
2.1: Purification......Page 36
2.2: Organic Molecular Beam Deposition......Page 38
2.3: Organic Vapor Phase Deposition......Page 39
3: Structural Analysis......Page 41
3.1: Scanning Probe Microscopy......Page 44
3.1.1: STM on PTCDA/Au(111)......Page 46
3.1.3: AFM on PTCDA and DiMe-PTCDI/S-passivated GaAs(100)......Page 48
3.2: X-Ray Diffraction (XRD)......Page 50
3.2.1: XRD on PTCDA grown on GaAs and Si......Page 51
3.3: Low-Energy Electron Diffraction......Page 55
3.3.1: LEED on PTCDA/Au(111)......Page 56
3.3.2: micro-LEED on Pentacene/Si(111)......Page 57
4: Optical Spectroscopy......Page 59
4.1: Photoluminescence......Page 65
4.1.1: PL on PTCDA/Si(111)......Page 66
4.2: Raman Spectroscopy......Page 70
4.2.1: Raman Spectroscopy on PTCDA Crystals and Thin Films......Page 72
4.3: Infrared Spectroscopy......Page 80
4.3.1: Assignment of Vibrational Modes......Page 81
4.3.2: IR on PTCDA/Si......Page 83
4.3.3: IR on DiMe-PTCDI......Page 84
4.4.1: Optical Constants of PTCDA and DiMe-PTCDI......Page 88
4.4.2: Optical Constants of Crystalline and Thin-Film Pentacene......Page 91
4.5: Reflection Anisotropy Spectroscopy......Page 93
5: Electronic and Chemical Surface Properties......Page 95
5.1: Photoemission Spectroscopy......Page 100
5.1.1: UPS on PTCDA and DiMe-PTCDA......Page 103
5.1.2: Energy Level Alignment at PTCDA and DiMe–PTDI Interfaces......Page 105
5.1.3: PTCDA/DiMe–PTCDI Metal Interfaces......Page 113
5.1.4: Bandstructure of PTCDA and DiMe-PTCDA......Page 119
5.2: Inverse Photoemission......Page 123
5.2.1: Band Gaps of Perylene Derivatives......Page 125
5.3: Total Current Spectroscopy......Page 126
5.4: Near Edge X-ray Absorption Fine Structure Spectroscopy......Page 128
6: Charge Transport......Page 133
6.1: Time-of-flight measurements (TOF)......Page 135
6.2: Thin Field Effect Transistor (TFT) Mobilities......Page 138
6.3: I/V Curves of Ag/GaAs (100) Schottky Contacts......Page 140
6.4: Charge Carrier Mobilities......Page 146
6.5: Simulation of IV Curves......Page 147
6.6: Chemical Stability......Page 149
6.7: Deep level transient spectroscopy......Page 152
6.7.1: In-situ diagnostics of Ag/Alq3/PTCDA/GaAs devices......Page 155
6.7.2: Ex situ diagnostics of Ag/Alq3/PTCDA/n-GaAs devices......Page 157
6.8: Organic-Modifi ed Schottky Diodes for Frequency Mixer Applications......Page 159
References......Page 163
Index......Page 173