دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Dimitri D. Vvedensky, Pavel à milauer, Christian Ratsch, Andrew Zangwill (auth.), Karl Eberl, Pierre M. Petroff, Piet Demeester (eds.) سری: NATO ASI Series 298 ISBN (شابک) : 9789401041515, 9789401103411 ناشر: Springer Netherlands سال نشر: 1995 تعداد صفحات: 385 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 16 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ساختارهای کم بعدی آماده شده توسط رشد epitaxial یا رشد مجدد روی بسترهای طرح دار: خصوصیات و ارزیابی مواد، فیزیک ماده متراکم، مواد نوری و الکترونیکی
در صورت تبدیل فایل کتاب Low Dimensional Structures Prepared by Epitaxial Growth or Regrowth on Patterned Substrates به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ساختارهای کم بعدی آماده شده توسط رشد epitaxial یا رشد مجدد روی بسترهای طرح دار نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
کار آزمایشی قابل توجهی به تهیه ساختارهای نیمه هادی یک و صفر با
در نظر گرفتن دستگاه های الکترونیکی و نوری آینده که شامل اثرات
کوانتومی هستند اختصاص داده شده است. هدف کنترل خوب در تحقق
ساختارهای نانومتری در جهت عمودی و جانبی است. تکنیکهای پردازش
مرسوم مبتنی بر لیتوگرافی با مشکلات ذاتی مانند وضوح محدود و
نقصهای سطحی ناشی از اچ کردن یون واکنشی مواجه هستند.
در چند سال گذشته، چندین گروه تحقیقاتی کار بر روی سنتز مستقیم
نانوساختارهای نیمه رسانا را با ترکیب تکنیکهای رشد همپایه مانند
اپیتاکسی پرتو مولکولی و رسوب بخار شیمیایی با پیش الگوسازی
ویفرهای زیرلایه آغاز کردند. ایده دیگر مبتنی بر تشکیل جزیره در
هترواپیتاکسی لایهای است. ساختارهای صفر و یک بعدی با ابعاد تا
چند فاصله اتمی از این طریق محقق شده اند. یک نکته مهم این است که
اندازه ساختارهای کوانتومی در رسوب اپیتاکسیال در یک فرآیند
خودتنظیمی کنترل می شود.
موضوعات اصلی کتاب عبارتند از: جنبه های نظری رشد همپایی،
نانوساختارهای خودآرایی و تشکیل خوشه، رشد همپایه در سطوح کج شده
و غیر(001)، رشد بیش از حد لبه های شکاف، رشد نانوساختار روی
بسترهای سیلیکونی طرح دار، نانوساختارهای تهیه شده توسط اپیتاکسی
یا رشد ناحیه انتخابی بر روی بسترهای طرحدار، حکاکی درجا و
کاربردهای دستگاه بر اساس رشد مجدد اپیتاکسیال روی بسترهای
طرحدار.
کار تجربی عمدتاً بر روی ساختارهای ناهمسان نیمه هادی مبتنی بر
GaAs/A1GaAs، GaAs/InGaAs، InGaP/InP و Si/SiGe متمرکز بود.
مشکلات مربوط به رشد مورد توجه ویژه قرار گرفت. مفاهیم مختلف برای
آماده سازی سازه های کم ابعاد ارائه شده است تا امکان مقایسه
مستقیم و شناسایی مفاهیم جدید برای کارهای تحقیقاتی آینده را
فراهم کند.
Significant experimental work is devoted to the preparation of
one and zero dimensional semiconductor structures in view of
future electronic and optical devices which involve quantum
effects. The aim is good control in the realisation of
nanometer structures both in vertical and lateral direction.
Conventional processing techniques based on lithography face
inherent problems such as limited resolution and surface
defects caused by reactive ion etching.
During the last few years several research groups started
working on direct syntheses of semiconductor nanostructures by
combining epitaxial growth techniques such as molecular beam
epitaxy and chemical vapour deposition with pre patterning of
the substrate wafers. Another idea is based on island formation
in strained layer heteroepitaxy. Zero and one dimensional
structures with dimensions down to a few atomic distances have
been realised this way. An important point is that the size of
the quantum structures is controlled within the epitaxial
deposition in a self-adjusting process.
The main subjects of the book are: Theoretical aspects of
epitaxial growth, selfassembling nanostructures and cluster
formation, epitaxial growth in tilted and non-(001) surfaces,
cleaved edge overgrowth, nanostructure growth on patterned
silicon substrates, nanostructures prepared by selective area
epitaxy or growth on patterned substrates, in-situ etching and
device applications based on epitaxial regrowth on patterned
substrates.
The experimental work mainly concentrated on GaAs/A1GaAs,
GaAs/InGaAs, InGaP/InP and Si/SiGe based semiconductor
heterostructures. Growth related problems received special
attention. The different concepts for preparation of low
dimensional structures are presented to allow direct comparison
and to identify new concepts for future research work.
Front Matter....Pages i-xi
Submonolayer Template Formation for Epitaxial Processes....Pages 1-12
Role of Stress in the Self-Assembly of Nanostructures....Pages 13-17
Semiconductor Nanostructures: Nature’s Way....Pages 19-33
Nucleation and Growth of InAs Islands on GaAs: An Optical Study....Pages 35-48
Growth and Properties of Self Assembling Quantum Dots in III–V Compound Semiconductors....Pages 49-58
Self-Assembling InP/In 0.48 Ga 0.52 P Quantum Dots Grown by MBE....Pages 59-67
Group III–V and Group IV Quantum Dot Synthesis....Pages 69-80
Epitaxy on High-Index Surfaces: A Key to Self-Organizing Quantum-Wires and Dots....Pages 81-92
Binding of Electrons and Holes at Quantum Wires Formed by T-Intersecting Quantum Wells....Pages 93-100
Between One and Two Dimensions : Quantum Wires Arrays Grown on Vicinal Surfaces....Pages 101-112
The characterization of the growth of sub-monolayer coverages of Si and Be on GaAs(001)-c(4×4) & (2×4)-β by reflectance anisotropy spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction....Pages 113-123
Laterally Ordered Incorporation of Impurity Atoms on Vicinal GaAs(001) Surfaces....Pages 125-138
The Role of Exchange Reactions and Strain in the Heteroepitaxy on Vicinal GaAs Surfaces....Pages 139-150
Formation and Properties of SiGe/Si Quantum Wire Structures....Pages 151-160
Self-Assembling Growth of Silicon Nanostructures with Micro Shadow Masks....Pages 161-172
Radiative Recombination in SiGe/Si Dots and Wires Selectively Grown by LPCVD....Pages 173-184
Evolution of Si Surface Nanostructure under Growth Conditions....Pages 185-195
Fabrication of Quantum Wires and Dots and Nanostructure Characterization....Pages 197-205
The Chemistry and Growth of MOVPE-Based Selective Epitaxy....Pages 207-217
Photoassisted Selective Area Growth of III–V Compounds....Pages 219-227
Concepts for Lateral III–V Heterostructures Fabricated by Surface Selective Growth in MOMBE....Pages 229-242
Molecular Processes for Surface Selective Growth on Patterned Substrates; An Investigation of CBE ALAS Deposition....Pages 243-252
Basic Growth Studies and Applications of Quantum Structures Grown on Submicron Gratings....Pages 253-264
Pyramidal Quantum Dot Structures Fabricated Using Selective Area MOCVD....Pages 265-270
Selective Epitaxy for Ridge and Edge Quantum Wire Structures: Morphology and Purity Issues....Pages 271-282
Simulation of Molecular Beam Epitaxial Growth over Nonplanar Surfaces....Pages 283-290
Seeded Self-Ordering of Low-Dimensional Quantum Structures by Nonplanar Epitaxy....Pages 291-300
Structural Investigations of the Direct Growth of (AlGa)As/GaAs-Quantum Wire Structures by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy....Pages 301-312
Growth Induced and Patterned 0-Dimensional Quantum Structures....Pages 313-324
Growth of low dimensional structures for optical application....Pages 325-333
Operation of Strained Multi-Quantum Wire Lasers....Pages 335-344
MBE-Regrowth for Monolithic Integration of GaAs-Based Field-Effect Transistors and Schottky Diodes....Pages 345-355
Chemical Beam Etching and Epitaxy with Atomic Scale Control and Instant Switching between Etching and Epitaxy....Pages 357-375
In-Situ Etching and Molecular Beam Epitaxial Regrowth for Templated Sidewall Quantum Wires....Pages 377-386