دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Light Scattering in Semiconductor Structures and Superlattices
دانلود کتاب پراکندگی نور در ساختارهای نیمه هادی و ابرخازنها
مشخصات کتاب
Light Scattering in Semiconductor Structures and Superlattices
ویرایش: 1 نویسندگان: E. Burstein, M. Cardona, D. J. Lockwood, A. Pinczuk, J. F. Young (auth.), David J. Lockwood, Jeff F. Young (eds.) سری: NATO ASI Series 273 ISBN (شابک) : 9781489936974, 9781489936950 ناشر: Springer US سال نشر: 1991 تعداد صفحات: 592 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 26 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 33,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب پراکندگی نور در ساختارهای نیمه هادی و ابرخازنها: فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، فیزیک ماده متراکم، کریستالوگرافی، خصوصیات و ارزیابی مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب Light Scattering in Semiconductor Structures and Superlattices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب پراکندگی نور در ساختارهای نیمه هادی و ابرخازنها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب پراکندگی نور در ساختارهای نیمه هادی و ابرخازنها
بیش از 25 سال پیش، اولین طیف رامان تحریک شده با لیزر از هر کریستالی به دست آمد. در نوامبر 1964، هابدن و راسل طیف رامان GaP را گزارش کردند و بعدها، در ژوئن 1965، راسل طیف Si را منتشر کرد. سپس، در ژوئیه 1965، پیشرو مجموعه ای از جلسات در مورد پراکندگی نور در جامدات در پاریس برگزار شد. در این نشست، طیف‌سنجی لیزری رامان نیمه‌رساناها در خط مقدم پیشرفت‌های جدید قرار داشت. جلسات مشابهی در سال های 1968 (نیویورک)، 1971 (پاریس) و 1975 (کمپینا) برگزار شد. از آن زمان، و به غیر از کنفرانس بین‌المللی دوسالانه چند رشته‌ای در مورد طیف‌سنجی رامان، هیچ انجمن ویژه‌ای برای متخصصان طیف‌سنجی پراکندگی نور نیمه‌رساناها برای ملاقات و بحث درباره آخرین پیشرفت‌ها وجود نداشته است. در همین حال، پیشرفت‌های تکنولوژیکی در رشد نیمه‌رساناها باعث ایجاد رنسانس واقعی در زمینه فیزیک نیمه‌رساناها شده است. طیف‌سنجی پراکندگی نور نقش مهمی در پیشرفت این زمینه ایفا کرده است و اطلاعات ارزشمندی در مورد خواص الکترونیکی، ارتعاشی و ساختاری مواد میزبان و ساختارهای کامپوزیتی ناهمگن ارائه می‌دهد. با ورود به یک دهه جدید، دهه‌ای که در آن پیشرفت‌های تکنولوژیکی در لیتوگرافی نوید باز کردن افق‌های گسترده‌تری را برای فیزیک نیمه‌رساناها می‌دهد، به نظر می‌رسد که زمان ایده‌آلی برای تأمل در دستاوردهای دهه گذشته و به روز رسانی در مورد آخرین وضعیت فعلی، و برای مشاهده اجمالی از جایی که این رشته ممکن است در دهه 1990 پیش برود.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Just over 25 years ago the first laser-excited Raman spectrum of any crystal was obtained. In November 1964, Hobden and Russell reported the Raman spectrum of GaP and later, in June 1965, Russell published the Si spectrum. Then, in July 1965, the forerunner of a series of meetings on light scattering in solids was held in Paris. Laser Raman spectroscopy of semiconductors was at the forefront in new developments at this meeting. Similar meetings were held in 1968 (New York), 1971 (Paris) and 1975 (Campinas). Since then, and apart from the multidisciplinary biennial International Conference on Raman Spectroscopy there has been no special forum for experts in light scattering spectroscopy of semiconductors to meet and discuss latest developments. Meanwhile, technological advances in semiconductor growth have given rise to a veritable renaissance in the field of semiconductor physics. Light scattering spectroscopy has played a crucial role in the advancement of this field, providing valuable information about the electronic, vibrational and structural properties both of the host materials, and of heterogeneous composite structures. On entering a new decade, one in which technological advances in lithography promise to open even broader horirons for semiconductor physics, it seemed to us to be an ideal time to reflect on the achievements of the past decade, to be brought up to date on the current state-of-the-art, and to catch some glimpses of where the field might be headed in the 1990s.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages i-xii
Inelastic Light Scattering from Semiconductors....Pages 1-18
Acoustic, Optic and Interface Phonons: Low Symmetry Superlattices....Pages 19-32
Raman Scattering in α-Sn 1 _ x Ge x Alloys....Pages 33-38
Phonon Spectra of Ultrathin GaAs/AlAs Superlattices....Pages 39-52
Resonant Raman Scattering in GaAs-AlAs Multiquantum Wells Under Magnetic Fields....Pages 53-61
Optical Phonons and Raman Spectra in InAs/GaSb Superlattice....Pages 63-78
Raman Scattering Studies of Optical Phonons in GaAs/AlAs and GaAs/Al x Ga 1-x As Superlattices....Pages 79-80
Analysis of Raman Spectra of GeSi Ultrathin Superlattices and Epilayers....Pages 81-102
Interface Roughness and Confined Vibrations....Pages 103-121
Interaction of Light with Acoustic Waves in Superlattices and Related Devices....Pages 123-138
Localised and Extended Acoustic Waves in Superlattices Light Scattering by Longitudinal Phonons....Pages 139-158
Optical Phonon Raman Scattering as a Local Probe of Si-Ge Strained Layers....Pages 159-172
Strain Characterization of Semiconductor Structures and Superlattices....Pages 173-196
Characterization of Strain and Epitaxial Quality in Si/Ge Heterostructures....Pages 197-217
Raman Scattering Characterization of Strain in (001) and (111) GaSb/AlSb Single Quantum Wells and Superlattices and in Metastable Ge x Sn 1-x Alloys....Pages 219-227
The Raman Line Shape of Semiconductor Nanocrystals....Pages 229-245
Raman Scattering of III-V and II-VI Semiconductor Microstructures....Pages 247-255
Towards Two Dimensional Micro-Raman Analysis of Semiconductor Materials and Devices....Pages 257-257
Raman Spectroscopy for Characterization of Layered Semiconductor Materials and Devices....Pages 259-274
Raman Spectroscopy of Dopant Impurities and Defects in GaAs Layers....Pages 275-290
Raman Microprobe Study of Semiconductors....Pages 291-309
Surface Modes in Magnetic Semiconductor Films and Multilayers....Pages 311-321
Vibrational, Electronic, and Magnetic Excitations in II–VI Quantum Well Structures....Pages 323-339
Zinc Blende MnTe as Efficient Confinement Layers in ZnTe and CdTe Single-Quantum Well Structures....Pages 341-351
Raman Scattering Study of CdTe/CdMnTe Superlattices....Pages 353-365
Nonequilibrium Electrons and Phonons in GaAs and Related Materials....Pages 367-381
Subpicosecond Raman Study of Hot Electrons and Hot Phonons in GaAs....Pages 383-392
Time-Resolved Raman Studies of the Transport Properties of Excitons in GaAs Quantum Wells....Pages 393-399
Non-Equilibrium Phonon Dynamics in Ge and GeSi Alloys....Pages 401-420
Time-Resolved Raman Measurements of Electron-Phonon Interactions in Quantum Wells....Pages 421-440
Resonant Three-Wave Mixing Via Subband Levels in Quantum Wells: Theoretical Considerations....Pages 441-450
N-Layer Superlattice Phonons....Pages 451-460
Far-Infrared and Raman Studies of Semiconductor Superlattices....Pages 461-476
Optical Properties of Periodically δ-Doped GaAs....Pages 477-477
Nonlinear Response of Virtual Excitations in Semiconductor Superlattices....Pages 479-490
Sequential Resonant Tunneling in Superlattices: Light Scattering by Intersubband Transitions....Pages 491-497
Elementary Excitations in Low-Dimensional Semiconductor Structures....Pages 499-523
Electronic Properties of Parabolic Quantum Wells....Pages 525-541
Electronic Raman Scattering from Modulation-Doped Quantum Wells....Pages 543-559
Micro-Raman Spectroscopy for Large In-Plane Wave Vector Excitations in Quantum-Well Structures....Pages 561-569
Inelastic Light Scattering by the High Mobility Two-Dimensional Electron Gas....Pages 571-585
Concluding Remarks....Pages 587-591
Back Matter....Pages 593-603
