دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: [1 ed.] نویسندگان: Kazuo Morigaki, Harumi Hikita, Chisato Ogihara سری: ISBN (شابک) : 9814411485, 9789814411486 ناشر: Pan Stanford Publishing سال نشر: 2014 تعداد صفحات: 212 [207] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 8 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Light-Induced Defects in Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نقص های ناشی از نور در نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب خواص الکترونیکی و ساختاری عیوب ناشی از نور، فرآیندهای ایجاد عیب ناشی از نور، و پدیده های مرتبط در نیمه هادی های کریستالی، آمورف و میکروکریستالی را پوشش می دهد. این یک درمان نظری از واکنش نقص بهبود یافته با نوترکیب در نیمه هادی های کریستالی، به ویژه GaAs و مواد مرتبط را ارائه می دهد. همچنین شواهد تجربی برای این پدیده را مورد بحث قرار می دهد. ایجاد نقص ناشی از نور در سیلیکون آمورف هیدروژنه (a-Si: H) با جزئیات بیشتری از جمله مکانیسم و نتایج تجربی آن توضیح داده شده است. موضوعاتی که در کتاب مورد بررسی قرار می گیرد، از نظر فیزیک و کاربردها، موضوعات مهمی هستند.
This book covers electronic and structural properties of light-induced defects, light-induced defect creation processes, and related phenomena in crystalline, amorphous, and microcrystalline semiconductors. It provides a theoretical treatment of recombination-enhanced defect reaction in crystalline semiconductors, particularly GaAs and related materials. It also discusses experimental evidence for this phenomenon. Light-induced defect creation in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) is described in more detail, including its mechanism and experimental results. The subjects treated by the book are important issues from the viewpoints of physics and applications.