دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Oliver Schmidt (auth.)
سری: Nano Science and Technology
ISBN (شابک) : 9783540469353, 9783540469360
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر: 2007
تعداد صفحات: 689
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 18 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب تراز جانبی نقاط کوانتومی همپایی: نانوتکنولوژی، مواد نوری و الکترونیک، اپتیک کاربردی، اپتوالکترونیک، دستگاه های نوری، اپتیک کوانتومی، الکترونیک کوانتومی، اپتیک غیرخطی، مهندسی الکترونیک و کامپیوتر، فیزیک و فیزیک کاربردی در مهندسی
در صورت تبدیل فایل کتاب Lateral Aligment of Epitaxial Quantum Dots به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب تراز جانبی نقاط کوانتومی همپایی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
موقعیت دقیق نانوساختارهای خودسازماندهی شده بر روی سطح زیرلایه را می توان پاشنه آشیل فناوری نانو در نظر گرفت. این تصور در مورد نقاط کوانتومی نیمه هادی خودآرایی نیز صدق می کند. این کتاب طیف کاملی از استراتژیهای ممکن برای تراز جانبی نقاط کوانتومی خودآرایی شده بر روی سطح زیرلایه را شرح میدهد، که از مکانیسمهای خود مرتبسازی خالص شروع میشود و با همترازی اجباری با موقعیتیابی لیتوگرافی به اوج میرسد. این متن به پدیدههای سفارشدهی کوتاه و بلند مدت میپردازد و راه را برای ادغام بالای دستگاههای تک نقطه کوانتومی در یک تراشه در آینده هموار میکند. مشارکتهای شناختهشدهترین متخصصان در این زمینه تضمین میکند که همه ناهمساختارهای کوانتومی مربوطه از دیدگاههای مرتبط مختلف مشخص میشوند.
Accurate positioning of self-organized nanostructures on a substrate surface can be regarded as the Achilles’ heel of nanotechnology. This perception also applies to self-assembled semiconductor quantum dots. This book describes the full range of possible strategies to laterally align self-assembled quantum dots on a substrate surface, starting from pure self-ordering mechanisms and culminating with forced alignment by lithographic positioning. The text addresses both short- and long-range ordering phenomena and paves the way for the future high integration of single quantum dot devices on a single chip. Contributions by the best-known experts in this field ensure that all relevant quantum-dot heterostructures are elucidated from diverse relevant perspectives.
Front Matter....Pages 1-15
Front Matter....Pages 1-1
Physical Mechanisms of Self-Organized Formation of Quantum Dots....Pages 5-48
Routes Toward Lateral Self-Organization of Quantum Dots: the Model System SiGe on Si(001)....Pages 49-76
Short-Range Lateral Ordering of GeSi Quantum Dots Due to Elastic Interactions....Pages 79-101
Hierarchical Self-Assembly of Lateral Quantum-Dot Molecules Around Nanoholes....Pages 103-124
Energetics and Kinetics of Self-Organized Structure Formation in Solution Growth – the SiGe/Si System....Pages 127-193
Ge Quantum Dot Self-Alignment on Vicinal Substrates....Pages 195-208
Lateral Arrangement of Ge Self-Assembled Quantum Dots on a Partially Relaxed Si<sub>x</sub>Ge<sub>1−x</sub> Buffer Layer....Pages 209-228
Ordering of Wires and Self-Assembled Dots on Vicinal Si and GaAs (110) Cleavage Planes....Pages 229-243
Stacking and Ordering in Self-Organized Quantum Dot Multilayer Structures....Pages 247-303
Self-Organized Anisotropic Strain Engineering for Lateral Quantum Dot Ordering....Pages 305-323
Towards Quantum Dot Crystals via Multilayer Stacking on Different Indexed Surfaces....Pages 325-345
Front Matter....Pages 347-347
One-, Two-, and Three-Dimensionally Ordered GeSi Islands Grown on Prepatterned Si (001) Substrates....Pages 353-372
Ordered SiGe Island Arrays: Long Range Material Distribution and Possible Device Applications....Pages 373-396
Nanoscale Lateral Control of Ge Quantum Dot Nucleation Sites on Si(001) Using Focused Ion Beam Implantation....Pages 397-427
Ge Nanodroplets Self-Assembly on Focused Ion Beam Patterned Substrates....Pages 429-440
Metallization and Oxidation Templating of Surfaces for Directed Island Assembly....Pages 441-460
Site Control and Selective-Area Growth Techniques of In As Quantum Dots with High Density and High Uniformity....Pages 463-488
In(Ga)As Quantum Dot Crystals on Patterned GaAs(001) Substrates....Pages 489-511
Directed Arrangement of Ge Quantum Dots on Si Mesas by Selective Epitaxial Growth....Pages 517-523
Directed Self-Assembly of Quantum Dots by Local-Chemical-Potential Control via Strain Engineering on Patterned Substrates....Pages 525-541
Front Matter....Pages 347-347
Structural and Luminescence Properties of Ordered Ge Islands on Patterned Substrates....Pages 543-567
Formation of Si and Ge Nanostructures at Given Positions by Using Surface Microscopy and Ultrathin SiO<sub>2</sub> Film Technology....Pages 569-588
Pyramidal Quantum Dots Grown by Organometallic Chemical Vapor Deposition on Patterned Substrates....Pages 591-638
Large-Scale Integration of Quantum Dot Devices on MBE-Based Quantum Wire Networks....Pages 639-664
GaAs and InGaAs Position-Controlled Quantum Dots Fabricated by Selective-Area Metalloorganic Vapor Phase Epitaxy....Pages 665-690
Spatial InAs Quantum Dot Positioning in GaAs Microdisk and Posts....Pages 691-707