Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente

در میان مفاهیم اجزای MOS مبتنی بر سیلیکون، علاوه بر مفهوم جانبی کلاسیک، مفاهیم عمودی و شبه عمودی نیز وجود دارد.

این کتاب به بحث در مورد مفاهیم دستگاه MOS (شبه) عمودی برای برنامه های منطقی (CMOS)، برنامه های حافظه (DRAM، SRAM، EEPROM) و برنامه های کاربردی الکترونیک قدرت اختصاص دارد. نویسنده از منابع گسترده ای استفاده می کند که در 30 سال گذشته مورد بحث قرار گرفته است. این توضیح می دهد که چگونه مفاهیم فردی از نظر فن آوری پیاده سازی شده اند و به مزایا و معایب مفاهیم می پردازد. این کارکرد و ویژگی‌های اجزای الکترونیکی را که با مفهوم مربوطه محقق شده‌اند توضیح می‌دهد و ارتباطی را که مفاهیم عمودی (شبه) می‌توانند برای فناوری MOS مبتنی بر سیلیکون به دست آورند، بررسی می‌کند.

این کتاب به‌ویژه برای این موضوع مناسب است. مهندسان و فیزیکدانانی که با معماری های جدید یا جایگزین دستگاه ها و توسعه آنها سر و کار دارند.

Unter den Konzepten für siliziumbasierte MOS-Bauelemente finden sich neben dem klassischen Lateralkonzept Vertikal- und Quasivertikalkonzepte.

Das Buch widmet sich der Erörterung der (quasi)vertikalen MOS-Bauelementkonzepte für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor stützt sich auf ein umfängliches Quellenmaterial, das in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurde. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden, und untersucht die Relevanz, die (quasi)vertikale Konzepte für die siliziumbasierte MOS-Technologie erlangen können.

Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen.