ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Junctionless Field-Effect Transistors - Design, Modeling and Simulation oBook WOL(PDF)

دانلود کتاب ترانزیستورهای اثر میدان بدون اتصال - طراحی، مدل‌سازی و شبیه‌سازی oBook WOL (PDF)

Junctionless Field-Effect Transistors - Design, Modeling and Simulation oBook WOL(PDF)

مشخصات کتاب

Junctionless Field-Effect Transistors - Design, Modeling and Simulation oBook WOL(PDF)

ویرایش:  
نویسندگان: ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9781119523536, 1119523532 
ناشر: John Wiley & Sons, Inc. 
سال نشر: 2019 
تعداد صفحات: 493 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 21 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 36,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 5


در صورت تبدیل فایل کتاب Junctionless Field-Effect Transistors - Design, Modeling and Simulation oBook WOL(PDF) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ترانزیستورهای اثر میدان بدون اتصال - طراحی، مدل‌سازی و شبیه‌سازی oBook WOL (PDF) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب ترانزیستورهای اثر میدان بدون اتصال - طراحی، مدل‌سازی و شبیه‌سازی oBook WOL (PDF)

یک مرجع جامع یک جلدی در مورد روش‌ها، تکنیک‌ها و تحقیقات فعلی JLFET پیشرفت‌ها در فناوری ترانزیستور، انقلاب مدرن دستگاه‌های هوشمند را به‌وجود آورده‌اند—بسیاری از تلفن‌های همراه، ساعت‌ها، لوازم خانگی و دستگاه‌های متعدد دیگری که استفاده روزمره دارند، اکنون از عملکرد دستگاه‌های هوشمند پیشی گرفته‌اند. ابرکامپیوترهای پر از اتاق در گذشته دستگاه‌های الکترونیکی در این عصر اینترنت اشیا (IoT) به سیار، قدرتمندتر و همه‌کاره‌تر شدن ادامه می‌دهند که تا حد زیادی به دلیل مقیاس‌پذیری ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه‌رسانای فلزی اکسید (MOSFET) است. پوسته پوسته شدن بی وقفه ماسفت های معمولی برای برآوردن نیازهای مصرف کننده بدون تحمیل کاهش عملکرد، نیازمند فرآیند ساخت پرهزینه و پیچیده به دلیل وجود اتصالات متالورژیکی است. بر خلاف ماسفت های معمولی، ترانزیستورهای اثر میدانی بدون اتصال (JLFET) فاقد اتصالات متالورژیکی هستند، بنابراین پردازش آنها ساده تر و هزینه ساخت کمتری دارند. JLFET ها از یک فیلم نیمه هادی دروازه ای برای کنترل مقاومت و جریان عبوری از آن استفاده می کنند. ترانزیستورهای اثر میدان بدون اتصال: طراحی، مدل‌سازی و شبیه‌سازی یک مرجع جامع و یک مرحله‌ای برای مطالعه و تحقیق در مورد JLFET است. معیارها و چندین واقعیت جالب دیگر مربوط به JLFET ها. یک چارچوب شبیه‌سازی کالیبره شده، از جمله راهنمایی در مورد نرم‌افزار SentaurusTCAD، محققان را قادر می‌سازد تا JLFET‌ها را بررسی کنند، معماری‌های جدید توسعه دهند و عملکرد را بهبود بخشند. این منبع ارزشمند: به چالش های طراحی و معماری پیش روی JLFET به عنوان جایگزینی برای MOSFET پرداخته است. JLFETs جهت‌های تحقیقاتی و کاربردهای بالقوه ترانزیستورهای اثر میدان بدون اتصال JLFETs را پیشنهاد می‌کند: طراحی، مدل‌سازی و شبیه‌سازی یک منبع ضروری برای محققان طراحی دستگاه‌های CMOS و دانشجویان پیشرفته در زمینه فیزیک و دستگاه‌های نیمه‌رسانا است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

A comprehensive one-volume reference on current JLFET methods, techniques, and research Advancements in transistor technology have driven the modern smart-device revolution—many cell phones, watches, home appliances, and numerous other devices of everyday usage now surpass the performance of the room-filling supercomputers of the past. Electronic devices are continuing to become more mobile, powerful, and versatile in this era of internet-of-things (IoT) due in large part to the scaling of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Incessant scaling of the conventional MOSFETs to cater to consumer needs without incurring performance degradation requires costly and complex fabrication process owing to the presence of metallurgical junctions. Unlike conventional MOSFETs, junctionless field-effect transistors (JLFETs) contain no metallurgical junctions, so they are simpler to process and less costly to manufacture.JLFETs utilize a gated semiconductor film to control its resistance and the current flowing through it. Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and Simulation is an inclusive, one-stop referenceon the study and research on JLFETs This timely book covers the fundamental physics underlying JLFET operation, emerging architectures, modeling and simulation methods, comparative analyses of JLFET performance metrics, and several other interesting facts related to JLFETs. A calibrated simulation framework, including guidance on SentaurusTCAD software, enables researchers to investigate JLFETs, develop new architectures, and improve performance. This valuable resource: Addresses the design and architecture challenges faced by JLFET as a replacement for MOSFET Examines various approaches for analytical and compact modeling of JLFETs in circuit design and simulation Explains how to use Technology Computer-Aided Design software (TCAD) to produce numerical simulations of JLFETs Suggests research directions and potential applications of JLFETs Junctionless Field-Effect Transistors: Design, Modeling, and Simulation is an essential resource for CMOS device design researchers and advanced students in the field of physics and semiconductor devices.





نظرات کاربران