دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک پلاسما ویرایش: نویسندگان: Ronald Powell. Abraham Ulman سری: ISBN (شابک) : 0125330278, 9780125330275 ناشر: Academic Press سال نشر: 1999 تعداد صفحات: 269 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 19 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب رسوب بخار فیزیکی یونیزه شده، جلد 27 (لایه های نازک): فیزیک، فیزیک پلاسما
در صورت تبدیل فایل کتاب Ionized Physical Vapor Deposition, Volume 27 (Thin Films) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب رسوب بخار فیزیکی یونیزه شده، جلد 27 (لایه های نازک) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد اولین نگاه جامع را به یک فناوری جدید محوری در ساخت مدارهای مجتمع ارائه می دهد. مدتی است که محققان به دنبال فرآیندهای جایگزین برای اتصال میلیون ها ترانزیستور روی هر تراشه بوده اند، زیرا رسوب بخار فیزیکی معمولی دیگر نمی تواند مشخصات مدارهای مجتمع پیچیده امروزی را برآورده کند. از این تحقیق، رسوب بخار فیزیکی یونیزه شده به عنوان یک فناوری برتر برای رسوب لایه های فلزی نازک که سیم کشی متراکم اتصال را بر روی ریزپردازنده ها و تراشه های حافظه پیشرفته تشکیل می دهند، پدیدار شد. برای اولین بار، جدیدترین پیشرفت ها در رسوب لایه نازک با استفاده از رسوب بخار فیزیکی یونیزه شده (I-PVD) در یک منبع منسجم ارائه شده است. خوانندگان توضیحات مفصلی از فناوری منبع پلاسما مربوطه، سیستمهای رسوبگذاری خاص و دستور العملهای فرآیند پیدا خواهند کرد. ابزارها و فرآیندهای تحت پوشش شامل مگنترون های کاتد توخالی DC، پلاسماهای جفت شده القایی RF و پلاسماهای مایکروویو هستند که برای رسوب گذاری مواد مهم فناوری مانند مس، تانتالیم، تیتانیوم، قلع و آلومینیوم استفاده می شوند. علاوه بر این، این جلد، فرآیندهای فیزیکی مهمی را که در I-PVD اتفاق میافتد، به روشی ساده و مختصر توضیح میدهد. توصیفهای فیزیکی با مدلهای عددی تأییدشده تجربی دنبال میشوند که بینش عمیقی را در مورد طراحی و عملکرد ابزارهای I-PVD ارائه میدهند. مهندسان فرآیند، دانشمندان تحقیق و توسعه و دانشجویان درمییابند که ادغام طراحی ابزار، توسعه فرآیند در این کتاب و مدلهای فیزیکی بنیادی آن را به یک مرجع ضروری تبدیل میکند. ویژگیهای کلیدی: اولین جلد جامع در مورد رسوب بخار فیزیکی یونیزه، طراحی ابزار، توسعه فرآیند، و درک فیزیکی اساسی را برای تشکیل تصویر کاملی از I-PVDE ترکیب میکند و بر کاربردهای عملی در زمینه ساخت IC تأکید میکند. و فناوری اتصال بهعنوان راهنمایی برای انتخاب مناسبترین فناوری برای هر کاربرد رسوبگذاری عمل میکند *این منبع واحد با گنجاندن اطلاعات جامع در نوک انگشتان، در زمان و تلاش صرفهجویی میکند. kly همه مسائل مهم برای I-PVD را درک کند * کاربردهای عملی متعدد به مهندس کار کمک می کند تا فرآیندهای لایه نازک را انتخاب و اصلاح کند.
This volume provides the first comprehensive look at a pivotal new technology in integrated circuit fabrication. For some time researchers have sought alternate processes for interconnecting the millions of transistors on each chip because conventional physical vapor deposition can no longer meet the specifications of today's complex integrated circuits. Out of this research, ionized physical vapor deposition has emerged as a premier technology for the deposition of thin metal films that form the dense interconnect wiring on state-of-the-art microprocessors and memory chips.For the first time, the most recent developments in thin film deposition using ionized physical vapor deposition (I-PVD) are presented in a single coherent source. Readers will find detailed descriptions of relevant plasma source technology, specific deposition systems, and process recipes. The tools and processes covered include DC hollow cathode magnetrons, RF inductively coupled plasmas, and microwave plasmas that are used for depositing technologically important materials such as copper, tantalum, titanium, TiN, and aluminum. In addition, this volume describes the important physical processes that occur in I-PVD in a simple and concise way. The physical descriptions are followed by experimentally-verified numerical models that provide in-depth insight into the design and operation I-PVD tools.Practicing process engineers, research and development scientists, and students will find that this book's integration of tool design, process development, and fundamental physical models make it an indispensable reference.Key Features:The first comprehensive volume on ionized physical vapor depositionCombines tool design, process development, and fundamental physical understanding to form a complete picture of I-PVDEmphasizes practical applications in the area of IC fabrication and interconnect technologyServes as a guide to select the most appropriate technology for any deposition application *This single source saves time and effort by including comprehensive information at one's finger tips*The integration of tool design, process development, and fundamental physics allows the reader to quickly understand all of the issues important to I-PVD*The numerous practical applications assist the working engineer to select and refine thin film processes
Content:
Contributors
Page ix
Preface
Pages xi-xii
Jeffrey A. Hopwood
The role of ionized physical vapor deposition in integrated circuit fabrication Original Research Article
Pages 1-7
Jeffrey A. Hopwood
High-density plasma sources Original Research Article
Pages 9-35
Amy E. Wendt
Ionization by radio frequency inductively coupled plasma Original Research Article
Pages 37-66
Stevi Rossnagel
Ionization by microwave electron cyclotron resonance plasma Original Research Article
Pages 67-94
William M. Holber
Ionized hollow cathode magnetron sputtering Original Research Article
Pages 95-139
Kwok F. Lai
Applications and properties of ionized physical vapor deposition films Original Research Article
Pages 141-179
John Forster
Plasma physics Original Research Article
Pages 181-207
Jeffrey A. Hopwood
Numerical modeling Original Research Article
Pages 209-248
Ming Li, Michael A. Vyvoda, David B. Graves
Subject index
Pages 249-253