ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Ion Implantation Science and Technology

دانلود کتاب علم و فناوری کاشت یون

Ion Implantation Science and Technology

مشخصات کتاب

Ion Implantation Science and Technology

ویرایش: 0 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9780127806204, 0127806202 
ناشر: Academic Press Inc 
سال نشر: 1984 
تعداد صفحات: 635 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 12 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 37,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 17


در صورت تبدیل فایل کتاب Ion Implantation Science and Technology به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب علم و فناوری کاشت یون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب علم و فناوری کاشت یون

کاشت یون: علم و فناوری هم به عنوان مقدمه و هم آموزش علم، تکنیک ها و ماشین های درگیر در کاشت یون عمل می کند. کتاب به دو قسمت تقسیم شده است. بخش 1 موضوعاتی مانند تاریخچه کاشت یون را مورد بحث قرار می دهد. انواع مختلف و اهداف کاشت یونی؛ نفوذ یون های پر انرژی به جامدات؛ بازپخت آسیب در سیلیکون؛ و متالورژی کاشت یون. بخش 2 حوزه هایی مانند مفاهیم سیستم پیاده سازی یون را پوشش می دهد. منابع یونی؛ اصول اساسی مربوط به نور یونی؛ و ملاحظات ایمنی و تشعشع در ایمپلنت یونی ...


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Ion Implantation: Science and Technology serves as both an introduction to and tutorial on the science, techniques, and machines involved in ion implantation. The book is divided into two parts. Part 1 discusses topics such as the history of the ion implantation; the different types and purposes of ion implanters; the penetration of energetic ions into solids; damage annealing in silicon; and ion implantation metallurgy. Part 2 covers areas such as ion implementation system concepts; ion sources; underlying principles related to ion optics; and safety and radiation considerations in ion implan ...



فهرست مطالب

Content: 
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
Dedication, Page v
Contributors, Pages ix-x
Preface, Page xi, J.F. ZIEGLER
THE HISTORICAL DEVELOPMENT OF ION IMPLANTATION, Pages 3-49, Lienhard Wegmann
THE STOPPING AND RANGE OF IONS IN SOLIDS, Pages 51-108, J.F. Ziegler
ION IMPLANTATION DAMAGE IN SILICON, Pages 109-138, Siegfried Madcr
DAMAGE ANNEALING IN SILICON AND ELECTRICAL ACTIVITY, Pages 139-210, Jozsef Gyulai
MEASUREMENT OF ELECTRICALLY ACTIVE DOPANTS, Pages 211-260, P.L.F. Hemment
ION IMPLANTATION METALLURGY, Pages 261-310, I.J.R. Baumvol
ION IMPLANTATION SYSTEM CONCEPTS, Pages 313-373, Hans Glawischnig, Klaus Noack
AN INTRODUCTION TO ION SOURCES, Pages 375-432, K.G. Stephens
SOME PRINCIPLES UNDERLYING ION OPTICS DESIGN, Pages 433-486, Kenneth H. Purser, J. Paul Farrell
MAPPING OF ION IMPLANTED WAFERS, Pages 487-536, Michael I. Current, Matthew J. Markert
MEASUREMENT AND CONTROL OF ION IMPLANTATION ACCELERATOR PARAMETERS, Pages 537-602, I.H. WILSON, K.M. BARFOOT
ION IMPLANTATION: SAFETY AND RADIATION CONSIDERATIONS, Pages 603-627, Heiner Ryssel, Karl Haberger
Index, Pages 629-635
Inside Back Cover, Page 636




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی