دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials
دانلود کتاب ایمپلنت یون در نیمه هادی ها و سایر مواد
مشخصات کتاب
Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials
ویرایش: 1 نویسندگان: W. Frank (auth.), Billy L. Crowder (eds.) سری: The IBM Research Symposia Series ISBN (شابک) : 9781468420661, 9781468420647 ناشر: Springer US سال نشر: 1973 تعداد صفحات: 643 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 23 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 48,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ایمپلنت یون در نیمه هادی ها و سایر مواد: فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ
در صورت تبدیل فایل کتاب Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ایمپلنت یون در نیمه هادی ها و سایر مواد نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب ایمپلنت یون در نیمه هادی ها و سایر مواد
در طول سال‌هایی که اولین کنفرانس این مجموعه در سال 1970 در Thousand Oaks، کالیفرنیا برگزار شد، کاشت یون یک حوزه تحقیقاتی در حال گسترش و هیجان‌انگیز بوده است. پیشرفت ها در این زمینه آنقدر سریع بود که دومین کنفرانس در سال 1971 در Garmisch Partenkirchen آلمان برگزار شد. در حال حاضر، درک ما از فرآیند کاشت یون در نیمه هادی هایی مانند Si و Ge به مرحله بلوغ و یون رسیده است. تکنیک‌های کاشت کاملاً در فناوری دستگاه‌های نیمه‌رسانا تثبیت شده‌اند. پیشرفت در نیمه هادی های مرکب به این سرعت نبوده است. همچنین در تحقیقات کاشت یون از نیمه هادی ها به مواد دیگر مانند فلزات و عایق ها تغییری صورت گرفته است. مناسب بود که دامنه کنفرانس افزایش یابد و سومین کنفرانس بین المللی کاشت یون در نیمه هادی ها و سایر مواد در 11 تا 14 دسامبر 1972 در یورک تاون هایتس نیویورک برگزار شد. تعداد قابل توجهی از مقالات ارائه شده در این کنفرانس با کاشت یون در فلزات، عایق ها و نیمه هادی های ترکیبی سروکار داشت. کمیته بین المللی مسئول سازماندهی این کنفرانس متشکل از B. L. Crowder، J. A. Davies، F. H. Eisen، Ph. Glotin، T. Itoh، A. U. MacRae، J. W. Mayer، G. Dearnaley و I. Ruge بود. این کنفرانس 180 شرکت کننده از دوازده کشور را جذب کرد. موفقیت کنفرانس تا حد زیادی به دلیل حمایت مالی حامیان مالی ما، آزمایشگاه‌های تحقیقاتی کمبریج نیروی هوایی و دفتر تحقیقات دریایی بود.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
During the years since the first conference in this series was held at Thousand Oaks, California, in 1970, ion implantation has been an expanding and exciting research area. The advances in this field were so rapid that a second conference convened at Garmisch Partenkirchen, Germany, in 1971. At the present time, our under standing of the ion implantation process in semiconductors such as Si and Ge has reached a stage of maturity and ion implantation techniques are firmly established in semiconductor device technology. The advances in compound semiconductors have not been as rapid. There has also been a shift in emphasis in ion implanta tion research from semiconductors to other materials such as metals and insulators. It was appropriate to increase the scope of the conference and the IIIrd International Conference on Ion Implanta tion in Semiconductors and Other Materials was held at Yorktown Heights, New York, December 11 to 14, 1972. A significant number of the papers presented at this conference dealt with ion implanta tion in metals, insulators, and compound semiconductors. The International Committee responsible for organizing this conference consisted of B. L. Crowder, J. A. Davies, F. H. Eisen, Ph. Glotin, T. Itoh, A. U. MacRae, J. W. Mayer, G. Dearnaley, and I. Ruge. The Conference attracted 180 participants from twelve countries. The success of the Conference was due in large measure to the financial support of our sponsors, Air Force Cambridge Research Laboratories and the Office of Naval Research.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages i-xii
Front Matter....Pages 1-1
Radiation Damage in Metals and Semiconductors....Pages 3-16
Ionization Effects in Self-Interstitial Migration and Implant Damage Annealing in Silicon....Pages 17-17
Internal Friction Study of Point Defects in Boron-Implanted Silicon....Pages 19-30
Strain Induced Effects on EPR Centers in Silicon Generated By P + Ion Implantation....Pages 31-38
Calorimetric Determination of Optical Absorption in Proton-Bombarded GaAs....Pages 39-48
Defect Aggregation in Ion-Implanted GaAs....Pages 49-58
On Silicon Amorphisation During Different Mass Ions Implantation....Pages 59-71
Front Matter....Pages 73-73
The Depth Distribution of Phosphorus Ions Implanted into Silicon Crystals....Pages 75-85
Arsenic Implanted and Implanted-Diffused Profiles in Silicon Using Secondary Ion Emission and Differential Resistance....Pages 87-98
The Effect of Ion Implantation on the Lattice Location of Arsenic in Arsenic — Doped Si....Pages 99-110
Concentration Profiles of Arsenic Implanted in Silicon....Pages 111-118
Energy Dependence and Annealing Behaviour of Boron Range Distributions in Silicon....Pages 119-131
Experimental Analysis of Concentration Profiles of Boron Implanted in Silicon....Pages 133-145
Channeling Analysis and Electrical Behavior of Boron Implanted Silicon....Pages 147-157
Si-SiO 2 Interface States Induced by Implantation of Various Ion Species....Pages 159-168
Front Matter....Pages 169-169
Theory of the Spatial Distributions of Ion Range and Energy Deposition....Pages 171-192
Theoretical and Experimental Studies on Lateral Spread of Implanted Ions....Pages 193-202
Determination of the Critical Dose for Different Mass Ions Implanted into Silicon....Pages 203-214
Boron Doping Profiles and Annealing Behavior of Amorphous Implanted Silicon Layers....Pages 215-224
Ranges and Distributions of Ions Implanted in Dielectrics....Pages 225-241
Front Matter....Pages 169-169
Computation of Third Central Moments for Projected Range Distributions of Common Ion-Implanted Dopants in Silicon....Pages 243-253
Front Matter....Pages 255-255
The Influence of the Amorphous Phase on Boron Atom Distributions in Ion Implanted Silicon....Pages 257-266
The Application of Ion Implantation to the Study of Diffusion of Boron in Silicon....Pages 267-274
The Isothermal Annealing of Defects Created in Phosphorus Ion Doped Silicon by Additional Bombardment with Phosphorus Ions....Pages 275-284
Physical Profile Measurements in Insulating Layers Using the Ion Analyser....Pages 285-294
Lattice Location of Low-Z Impurities in Medium-Z Targets Using Ion-Induced X-Rays....Pages 295-303
Ion Implantation Damage Gettering and Phosphorus Diffusion Gettering of Cu and Au in Silicon....Pages 305-315
The Diffusion of Cu Through Si and Gettering at Ion Damaged Surface Layers in the Presence of O....Pages 317-329
Front Matter....Pages 331-331
Photoluminescence, Optical Absorption, and Cathodoluminescence in Ion Implanted CdS....Pages 333-351
Annealing Studies of Broad-Band Luminescence from Ion-Implanted ZnSe....Pages 353-362
Thermoluminescence and Related Experiments on Br-Implanted ZnS Single Crystals....Pages 363-372
Lattice Disorder in Br, Cl, and F Implanted CdS — Channeling Study....Pages 373-383
Lattice Disorder in Br, Cl, and F Implanted CdS — Optical Reflection Study....Pages 385-394
Electroluminescence and Photoluminescence of N + Implanted CdS....Pages 395-401
Front Matter....Pages 403-403
The Influence of Ion Implantation Upon the High Temperature Oxidation of Titanium and Stainless Steel....Pages 405-414
The Effects of Yttrium Ion Implantation Upon the Oxidation Behaviour of an Austenitic Stainless Steel....Pages 415-422
Frictional Changes Induced by the Ion Implantation of Steel....Pages 423-436
Possible Radiation Enhanced Diffusion of Nickel Ions in Titanium....Pages 437-442
The Influence of Ion Bombardment on the Corrosion of Metals....Pages 443-453
Implantation and Diffusion of Cu in Be....Pages 455-464
Front Matter....Pages 403-403
Ion Implantation and Radiation Damage in Vanadium....Pages 465-476
An Exacting Test of the Channeling Technique for Atom Location: Br Implanted into Fe....Pages 477-490
The Lattice Site Location of C Implanted into Fe....Pages 491-502
Front Matter....Pages 503-503
Ion Implantation Effects in Magnetic Bubble Garnets....Pages 505-522
Nucleation and Crystallization of Ion-Implanted Glass....Pages 523-530
Lateral Stress Measurements in Ion-Implanted Metals and Insulators....Pages 531-540
Changes in the Electrical Properties of Thin Anodic TiO 2 Films Induced by Ion Implantation....Pages 541-550
Electrical and Structural Changes in Ion-Bombarded TiO 2 ....Pages 551-566
Ion Implantation in Silver Bromide....Pages 567-574
Refractive Index Profiles Produced in Silica Glass by Ion Implantations....Pages 575-584
Ion Implanted Silicon-Metal Systems Si 1-x M x ....Pages 585-596
Front Matter....Pages 597-597
Damage Profiles in Ion-Implanted Semiconductors at Low (25°K) Temperatures....Pages 599-609
Lattice Disorder Produced in GaAs by Cadmium Implantation....Pages 611-619
Compensation of GaAs by Oxygen Implantation....Pages 621-630
Properties of Tellurium Implanted Gallium Arsenide....Pages 631-640
Vaporization of Ion-Implanted GaAs....Pages 641-654
Back Matter....Pages 655-657
