دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: First Edition نویسندگان: J. S. Williams, J. M. Poate سری: ISBN (شابک) : 9780127569802, 0127569804 ناشر: Elsevier Inc, Academic Press سال نشر: 1984 تعداد صفحات: 415 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 24 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Ion Implantation and Beam Processing به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب یون ایمپلنت و پردازش پرتو نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Content:
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
CONTRIBUTORS, Pages ix-x, H.H. Andersen, B.R. Appleton, J.E.E. Baglin, D.G. Beanland, W.L. Brown, L.A. Christel, J.A. Davies, F.H. Eisen, J.F. Gibbons, H.B. Harrison, A.E. Michel, J.M. Poate, H.S. Rupprecht, J.L. Tandon, J.S. Williams
PREFACE, Page xi
CHAPTER 1 - Introduction to Implantation and Beam Processing, Pages 1-11, J.S. WILLIAMS, J.M. POATE
CHAPTER 2 - Amorphization and Crystallization of Semiconductors, Pages 13-57, J.M. POATE, J.S. WILLIAMS
CHAPTER 3 - Application of the Boltzmann Transport Equation to Ion Implantation in Semiconductors and Multilayer Targets, Pages 59-79, J.F. GIBBONS, L.A. CHRISTEL
CHAPTER 4 - High Energy Density Collision Cascades and Spike Effects, Pages 81-97, J.A. DAVIES
CHAPTER 5 - Implantation of Insulators: Ices and Lithographic Materials, Pages 99-126, W.L. BROWN
CHAPTER 6 - Ion-Bombardment-Induced Composition Changes in Alloys and Compounds, Pages 127-187, HANS HENRIK ANDERSEN
CHAPTER 7 - Ion Beam and Laser Mixing: Fundamentals and Applications, Pages 189-259, B.R. APPLETON
CHAPTER 8 - High-Dose Implantation, Pages 261-309, D.G. BEANLAND
CHAPTER 9 - Trends of Ion Implantation in Silicon Technology, Pages 311-326, H.S. RUPPRECHT, A.E. MICHEL
CHAPTER 10 - Implantation in GaAs Technology, Pages 327-355, F.H. EISEN
CHAPTER 11 - Contacts and Interconnections on Semiconductors, Pages 357-409, J.E.E. BAGLIN, H.B. HARRISON, J.L. TANDON, J.S. WILLIAMS
INDEX, Pages 411-419