دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Ion Impantation Technology: 16th International Conference on Ion Implantation Technology; IIT 2006 (AIP Conference Proceedings Accelerators, Beams, and Instrumentations)
دانلود کتاب فناوری کاشت یون: شانزدهمین کنفرانس بین المللی فناوری کاشت یون. IIT 2006 (شتاب دهنده ها، پرتوها و ابزار دقیق مجموعه مقالات کنفرانس AIP)
مشخصات کتاب
Ion Impantation Technology: 16th International Conference on Ion Implantation Technology; IIT 2006 (AIP Conference Proceedings Accelerators, Beams, and Instrumentations)
ویرایش: 1 نویسندگان: Karen J. Kirkby, Russell Gwilliam, Andy Smith, David Chivers سری: ISBN (شابک) : 0735403651, 9780735403659 ناشر: American Inst. of Physics سال نشر: 2006 تعداد صفحات: 645 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 32 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 28,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Ion Impantation Technology: 16th International Conference on Ion Implantation Technology; IIT 2006 (AIP Conference Proceedings Accelerators, Beams, and Instrumentations) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فناوری کاشت یون: شانزدهمین کنفرانس بین المللی فناوری کاشت یون. IIT 2006 (شتاب دهنده ها، پرتوها و ابزار دقیق مجموعه مقالات کنفرانس AIP) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب فناوری کاشت یون: شانزدهمین کنفرانس بین المللی فناوری کاشت یون. IIT 2006 (شتاب دهنده ها، پرتوها و ابزار دقیق مجموعه مقالات کنفرانس AIP)
این کنفرانس برتر جهانی برای ارائه آخرین پیشرفت‌ها در کاشت یون، از مبانی برهمکنش‌های یون-جامد تا ساخت تجهیزات ایمپلنت است. تمام مقالات مورد بررسی همتایان قرار گرفتند. کاشت یون برای ساخت دستگاه های نیمه هادی استفاده می شود. خواص مواد با بمباران ویفرها با اتم ها تغییر می کند که در یک کاشت یونی شتاب می گیرند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This is the premier world conference for the presentation of the latest advances in ion implantation, from the fundamentals of ion-solid interactions to manufacturing implant equipment. All papers were peer-reviewed. Ion implantation is used to manufacture semiconductor devices. Materials properties are changed by bombarding wafers with atoms, which are accelerated in an ion implanter.
فهرست مطالب
1.pdf......Page 1
1000.pdf......Page 17
1001.pdf......Page 23
1002.pdf......Page 27
1003.pdf......Page 31
1004.pdf......Page 35
1005.pdf......Page 39
1007.pdf......Page 43
1008.pdf......Page 47
1009.pdf......Page 51
1010.pdf......Page 55
1011.pdf......Page 60
1012.pdf......Page 64
1013.pdf......Page 68
1014.pdf......Page 72
1015.pdf......Page 76
1016.pdf......Page 79
1017.pdf......Page 83
1018.pdf......Page 87
1019.pdf......Page 90
1020.pdf......Page 98
1021.pdf......Page 102
1022.pdf......Page 106
1023.pdf......Page 110
1024.pdf......Page 115
1025.pdf......Page 119
1026.pdf......Page 123
1027.pdf......Page 127
1028.pdf......Page 131
1029.pdf......Page 135
1030.pdf......Page 139
1031.pdf......Page 143
1032.pdf......Page 147
1033.pdf......Page 151
1034.pdf......Page 154
1035.pdf......Page 159
1036.pdf......Page 167
1037.pdf......Page 171
1038.pdf......Page 175
1039.pdf......Page 179
1040.pdf......Page 182
1041.pdf......Page 186
1042.pdf......Page 190
1043.pdf......Page 194
1044.pdf......Page 198
1045.pdf......Page 202
1046.pdf......Page 206
1047.pdf......Page 210
1048.pdf......Page 214
1049.pdf......Page 218
218.pdf......Page 222
229.pdf......Page 226
233.pdf......Page 230
237.pdf......Page 234
241.pdf......Page 238
245.pdf......Page 242
249.pdf......Page 246
253.pdf......Page 250
257.pdf......Page 254
261.pdf......Page 258
269.pdf......Page 263
275.pdf......Page 269
279.pdf......Page 273
283.pdf......Page 277
287.pdf......Page 281
291.pdf......Page 285
295.pdf......Page 289
300.pdf......Page 294
304.pdf......Page 298
308.pdf......Page 302
313.pdf......Page 307
317.pdf......Page 311
321.pdf......Page 315
325.pdf......Page 319
329.pdf......Page 323
335.pdf......Page 326
340.pdf......Page 331
345.pdf......Page 336
349.pdf......Page 340
353.pdf......Page 344
357.pdf......Page 348
361.pdf......Page 352
365.pdf......Page 356
369.pdf......Page 360
373.pdf......Page 364
377.pdf......Page 368
381.pdf......Page 372
385.pdf......Page 376
389.pdf......Page 380
393.pdf......Page 384
397.pdf......Page 388
401.pdf......Page 392
405.pdf......Page 396
409.pdf......Page 400
413.pdf......Page 404
417.pdf......Page 408
421.pdf......Page 412
425.pdf......Page 416
429.pdf......Page 420
433.pdf......Page 424
437.pdf......Page 428
441.pdf......Page 432
445.pdf......Page 436
449.pdf......Page 440
453.pdf......Page 444
457.pdf......Page 448
460.pdf......Page 451
464.pdf......Page 455
468.pdf......Page 459
472.pdf......Page 463
477.pdf......Page 466
481.pdf......Page 470
485.pdf......Page 474
489.pdf......Page 478
493.pdf......Page 482
497.pdf......Page 486
503.pdf......Page 490
507.pdf......Page 494
511.pdf......Page 498
516.pdf......Page 503
520.pdf......Page 507
524.pdf......Page 511
531.pdf......Page 515
534.pdf......Page 518
538.pdf......Page 522
542.pdf......Page 526
546.pdf......Page 530
550.pdf......Page 534
554.pdf......Page 538
558.pdf......Page 542
562.pdf......Page 546
566.pdf......Page 550
570.pdf......Page 554
574.pdf......Page 558
578.pdf......Page 562
582.pdf......Page 566
586.pdf......Page 570
590.pdf......Page 574
594.pdf......Page 578
601.pdf......Page 583
605.pdf......Page 587
609.pdf......Page 591
614.pdf......Page 596
618.pdf......Page 600
622.pdf......Page 604
626.pdf......Page 608
630.pdf......Page 612
633.pdf......Page 615
637.pdf......Page 619
641.pdf......Page 623
645.pdf......Page 627
649.pdf......Page 631
653.pdf......Page 635
