دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Introduction to Nanoelectronic Single-Electron Circuit Design
دانلود کتاب مقدمه ای بر طراحی نانوالکترونیک تک مداری
مشخصات کتاب
Introduction to Nanoelectronic Single-Electron Circuit Design
ویرایش: 2
نویسندگان: Hoekstra. Jaap
سری:
ISBN (شابک) : 9814745561, 981474557X
ناشر: Pan Stanford Publishing
سال نشر: 2016
تعداد صفحات: 326
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 10 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 44,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Introduction to Nanoelectronic Single-Electron Circuit Design به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مقدمه ای بر طراحی نانوالکترونیک تک مداری نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب مقدمه ای بر طراحی نانوالکترونیک تک مداری
امروزه، مفاهیم تونل زنی تک الکترونی (SET) برای درک و مدلسازی نانوالکترونیک تک اتمی و تک مولکولی استفاده می شود. ویژگی‌های دستگاه‌های نانوالکترونیک، به‌ویژه ترانزیستورهای SET را می‌توان بر اساس فیزیک دستگاه‌های نانوالکترونیک و مدل‌های مدار درک کرد. یک رویکرد تئوری مدار برای در نظر گرفتن ادغام احتمالی با مدارهای میکروالکترونیک فعلی ضروری است. برای توضیح ویژگی‌ها و امکانات دستگاه‌های SET، این کتاب رویکردی را برای مدلسازی این دستگاه‌ها با استفاده از نظریه مدارهای الکترونیکی دنبال می‌کند. همه مدل ها و مدارهای معادل از اولین اصول تئوری مدار مشتق شده اند. بر اساس بقای انرژی، مدل مدار SET یک منبع جریان ضربه ای است و مدل سازی بین جریان های محدود و نامحدود تمایز قائل می شود. محاصره کولن به عنوان خاصیت یک اتصال منفرد توضیح داده می شود. علاوه بر این، این نسخه با توضیح بیشتر در بخش شبیه سازی ادویه و ارائه یک شبیه سازی ادویه در مدار جعبه الکترون SET، از جمله فهرست شبکه ادویه، با نسخه قبلی متفاوت است. همچنین، یک اثبات کامل و جدید از مسئله دو خازن در تئوری مدار ارائه شده است. اهمیت این اثبات در درک بقای انرژی در مدارهای SET را نمی توان دست کم گرفت. این کتاب برای دانشجویان پیشرفته در مقاطع کارشناسی و کارشناسی ارشد مهندسی برق و نانوالکترونیک و محققین نانوتکنولوژی، فیزیک دستگاه های نانوالکترونیک و علوم کامپیوتر بسیار مفید خواهد بود.
فقط مدلسازی کتاب تونل زنی تک الکترونی و بسیاری از تونل زنی الکترونی از دیدگاه الکترونیک. شروع از آزمایشات، از طریق توصیف فیزیک، کار به سمت توصیف مدار. و بر اساس بقای انرژی، در مدارهای الکتریکی، مدل مدار ضربه ای را برای تونل زنی تک الکترونی توسعه داد.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Today, the concepts of single-electron tunneling (SET) are used to understand and model single-atom and single-molecule nanoelectronics. The characteristics of nanoelectronic devices, especially SET transistors, can be understood on the basis of the physics of nanoelectronic devices and circuit models. A circuit theory approach is necessary for considering possible integration with current microelectronic circuitry. To explain the properties and possibilities of SET devices, this book follows an approach to modeling these devices using electronic circuit theory. All models and equivalent circuits are derived from the first principles of circuit theory. Based on energy conservation, the circuit model of SET is an impulsive current source, and modeling distinguishes between bounded and unbounded currents. The Coulomb blockade is explained as a property of a single junction. In addition, this edition differs from the previous one by elaborating on the section on spice simulations and providing a spice simulation on the SET electron box circuit, including the spice netlist. Also, a complete, new proof of the two-capacitor problem in circuit theory is presented; the importance of this proof in understanding energy conservation in SET circuits cannot be underestimated. This book will be very useful for advanced undergraduate- and graduate-level students of electrical engineering and nanoelectronics and researchers in nanotechnology, nanoelectronic device physics, and computer science.
Only book modeling both single-electron tunneling and many electron tunneling from the points of view of electronics; starting from experiments, via a physics description, working towards a circuit description; and based on energy conservation, in electrical circuits, developing the impulse circuit model for single-electron tunneling.
