دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Chinmay K. Maiti
سری: TCAD
ISBN (شابک) : 9814745510, 9814745529
ناشر: Pan Stanford
سال نشر: 2017
تعداد صفحات: 438
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 20 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب معرفی فناوری طراحی به کمک کامپیوتر (TCAD): مبانی، شبیه سازی و کاربردها: مدارهای مجتمع، طراحی به کمک رایانه، ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز، طراحی به کمک رایانه، طراحی به کمک رایانه، فناوری و مهندسی، مکانیک
در صورت تبدیل فایل کتاب Introducing technology computer-aided design (TCAD) : fundamentals, simulations and applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب معرفی فناوری طراحی به کمک کامپیوتر (TCAD): مبانی، شبیه سازی و کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این ممکن است اولین کتابی باشد که بیشتر به شبیهسازیهای طراحی
به کمک کامپیوتر با فناوری سه بعدی (TCAD) دستگاههای نیمهرسانای
پیشرفته مهندسی شده با استرس و کرنش میپردازد: MOSFET، BJT، HBT،
دستگاههای MOS غیرکلاسیک، finFET ها، هتروفت های
سیلیکونی-ژرمانیومی، سلول های خورشیدی، دستگاه های برق و دستگاه
های حافظه. این کتاب بر نحوه راهاندازی ابزارهای شبیهسازی TCAD
سه بعدی، از طرحبندی ماسک گرفته تا شبیهسازی فرآیند و دستگاه،
از جمله طراحی برای ساخت (DFM)، و از مدلسازی دستگاه تا استخراج
پارامتر SPICE تمرکز دارد. این کتاب همچنین رویکردی نوآورانه و
جدید برای آموزش اصول فرآیند نیمه هادی و طراحی دستگاه با استفاده
از شبیه سازی های پیشرفته TCAD از ساختارهای نیمه هادی مختلف
ارائه می دهد. نمونههای شبیهسازی انتخاب شده از محبوبترین
دستگاههایی هستند که امروزه مورد استفاده قرار میگیرند و
بینشهای مفیدی از فناوری و فیزیک دستگاه ارائه میدهند. برای
گسترش نقش TCAD در عصر فناوری پیشرفته امروزی، مدل سازی فشرده
فرآیند و مسائل DFM برای تولید رابط طراحی-فناوری گنجانده شده
است.
این کتاب با رویکردی منحصر به فرد، دیدی یکپارچه از فناوری
سیلیکون و فراتر از آن ارائه می دهد. با تاکید بر شبیه سازی TCAD.
این اولین کتابی است که یک آزمایشگاه آنلاین مبتنی بر وب برای
خصوصیات دستگاه های نیمه هادی و استخراج پارامتر SPICE ارائه می
دهد. این نه تنها عملکرد تولید مرتبط با فن آوری های مورد استفاده
را توصیف می کند، بلکه پایه علمی زیربنایی آن فناوری ها را نیز
شرح می دهد. این کتاب که از دیدگاه مهندسی نوشته شده است، پیشینه
طراحی و شبیه سازی فرآیند مورد نیاز برای درک توسعه فناوری جدید و
آینده، مدل سازی فرآیند و طراحی ترانزیستورهای نانومقیاس را ارائه
می دهد.
این کتاب همچنین درک و دانش آی سی مدرن را ارتقا می دهد. طراحی از
طریق TCAD، کیفیت تحقیق و توسعه میکرو و نانو الکترونیک را بهبود
می بخشد و از آموزش متخصصان نیمه هادی پشتیبانی می کند. این به
عنوان یک کتاب درسی یا مرجع برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی در
زمینه ساخت نیمه هادی ها و به عنوان مرجعی برای مهندسین درگیر در
توسعه فناوری VLSI که باید مشکلات دستگاه و فرآیند را حل کنند، در
نظر گرفته شده است. متخصصان CAD نیز این کتاب را مفید خواهند یافت
زیرا سازماندهی سیستم شبیهسازی را مورد بحث قرار میدهد، علاوه
بر ارائه بسیاری از مطالعات موردی که در آن کاربر ابزارهای TCAD
را در موقعیتهای مختلف اعمال میکند.
This might be the first book that deals mostly with the 3D
technology computer-aided design (TCAD) simulations of major
state-of-the-art stress- and strain-engineered advanced
semiconductor devices: MOSFETs, BJTs, HBTs, nonclassical MOS
devices, finFETs, silicon-germanium hetero-FETs, solar cells,
power devices, and memory devices. The book focuses on how to
set up 3D TCAD simulation tools, from mask layout to process
and device simulation, including design for manufacturing
(DFM), and from device modeling to SPICE parameter extraction.
The book also offers an innovative and new approach to teaching
the fundamentals of semiconductor process and device design
using advanced TCAD simulations of various semiconductor
structures. The simulation examples chosen are from the most
popular devices in use today and provide useful technology and
device physics insights. To extend the role of TCAD in today’s
advanced technology era, process compact modeling and DFM
issues have been included for design–technology interface
generation.
Unique in approach, this book provides an integrated view of
silicon technology and beyond—with emphasis on TCAD
simulations. It is the first book to provide a web-based online
laboratory for semiconductor device characterization and SPICE
parameter extraction. It describes not only the manufacturing
practice associated with the technologies used but also the
underlying scientific basis for those technologies. Written
from an engineering standpoint, this book provides the process
design and simulation background needed to understand new and
future technology development, process modeling, and design of
nanoscale transistors.
The book also advances the understanding and knowledge of
modern IC design via TCAD, improves the quality in micro- and
nanoelectronics R&D, and supports the training of semiconductor
specialists. It is intended as a textbook or reference for
graduate students in the field of semiconductor fabrication and
as a reference for engineers involved in VLSI technology
development who have to solve device and process problems. CAD
specialists will also find this book useful since it discusses
the organization of the simulation system, in addition to
presenting many case studies where the user applies TCAD tools
in different situations.
Content: 1. Introduction --
2. Technology CAD tools --
3. Technology boosters --
4. BiCMOS process simulations --
5. SiGe and SiGeC HBTs --
6. Silicon hetero-FETs --
7. FinFETs --
8. Advanced devices --
9. Memory devices --
10. Power devices --
11. Solar cells --
12. TCAD for SPICE parameter extraction --
13. Technology CAD for DFM --
14. VWF and online laboratory.