Internal Photoemission Spectroscopy. Fundamentals and Recent Advances

ویرایش دوم طیف‌سنجی انتشار عکس داخلی این راهنمای عملی و حیاتی را برای پدیده‌ها و اندازه‌گیری‌های انتشار نور داخلی (IPE) به‌طور کامل به‌روزرسانی می‌کند. بحث کتاب در مورد جنبه‌های فیزیکی و فنی اساسی کاربردهای طیف‌سنجی IPE با یک مرور کلی گسترده از نتایج تجربی اخیر در زمینه‌های تحقیقاتی به سرعت در حال پیشرفت تکمیل می‌شود. اینها شامل توسعه مواد عایق برای فناوری پیشرفته SiMOS، مواد دروازه فلزی، توسعه ساختارهای ناهمسان بر اساس نیمه هادی های با تحرک بالا و غیره است. نتایج اخیر در مورد ساختار نواری رابط‌های مهم در مواد جدید نیز پوشش داده شده است.

گسترش نور داخلی شامل فیزیک انتشار نور حامل بار از یک جامد به جامد دیگر و کاربردهای طیف‌سنجی مختلف این پدیده برای اتصالات ناهمگون حالت جامد است. . این تکنیک با تجزیه و تحلیل رابط‌های جدا شده از سطح نمونه توسط لایه‌ای از جامد یا مایع متفاوت، طیف‌سنجی تابش نور خارجی معمولی را تکمیل می‌کند. انتشار نور داخلی ساده ترین و قابل اعتمادترین اطلاعات را در مورد طیف انرژی حالت های الکترونی در رابط ها ارائه می دهد. در عین حال، این روش تجزیه و تحلیل ساختارهای ناهمسان مربوط به دستگاه های میکرو و نانو الکترونیکی مدرن و همچنین مواد جدید درگیر در طراحی و ساخت آنها را امکان پذیر می کند.

• اولین توصیف کامل مدل از پدیده های انتشار نور داخلی
• مروری اجمالی از قابل اعتمادترین روش های تعیین سد انرژی و روش های مشخصه تله
• مروری اجمالی از جدیدترین نتایج در مورد ساختار نواری مواد عایق با گذردهی بالا و رابط آنها با نیمه هادی ها و فلزات

The second edition of Internal Photoemission Spectroscopy thoroughly updates this vital, practical guide to internal photoemission (IPE) phenomena and measurements. The book's discussion of fundamental physical and technical aspects of IPE spectroscopic applications is supplemented by an extended overview of recent experimental results in swiftly advancing research fields. These include the development of insulating materials for advanced SiMOS technology, metal gate materials, development of heterostructures based on high-mobility semiconductors, and more. Recent results concerning the band structure of important interfaces in novel materials are covered as well.

Internal photoemission involves the physics of charge carrier photoemission from one solid to another, and different spectroscopic applications of this phenomenon to solid state heterojunctions. This technique complements conventional external photoemission spectroscopy by analyzing interfaces separated from the sample surface by a layer of a different solid or liquid. Internal photoemission provides the most straightforward, reliable information regarding the energy spectrum of electron states at interfaces. At the same time, the method enables the analysis of heterostructures relevant to modern micro- and nano-electronic devices as well as new materials involved in their design and fabrication.

• First complete model description of the internal photoemission phenomena
• Overview of the most reliable energy barrier determination procedures and trap characterization methods
• Overview of the most recent results on band structure of high-permittivity insulating materials and their interfaces with semiconductors and metals