Interfaces Under Laser Irradiation

لیزرها که در بیست و پنج سال گذشته شناخته شده و توسعه یافته اند، در فرآیندهای مختلفی با موفقیت نابرابر آزمایش شده اند. جدای از آزمایش‌های فیزیک بنیادی که در آن جنبه‌های مختلف انسجام به‌طور سیستماتیک مورد بهره‌برداری قرار می‌گیرند، اخیراً کاربردها در زمینه علم مواد در موقعیت‌های زیادی پراکنده شده‌اند که ظاهراً امروزه درک یک تفسیر جامع از همه فرآیندهای فیزیکی که با آنها مواجه می‌شویم دشوار است. در برخی از حوزه های تحقیقاتی مانند فتوشیمی، توسعه سریع و نسبتاً خود پشتیبانی بوده است. در موارد دیگر، مانند پردازش حالت جامد، پیشرفت یا بسیار خاص بوده یا به سمت کاربردهای حاشیه ای منحرف شده است، یا به عنوان یک سرمایه گذاری مشترک بین فیزیکدانان و شیمیدانان پدیدار شده است. این منجر به تعدادی جلسات حرفه ای شد که در آن فعالیت های تحقیقاتی روزانه ارائه می شود. در سال 1982، Cargese ASI در مورد "خواص منسجم نیمه هادی ها تحت تابش لیزر" یکی از چنین جلساتی بود که در آن در جلسات میزگرد درخشان، چشم انداز این زمینه به طور طولانی مورد بحث قرار گرفت. به نقل از جلسات، "مؤسسه کمک کرد تا به وضوح محدودیت های رویکردهای نظری موجود و مسیرهایی که در آنها به کار فوری در چند سال آینده نیاز است" تشخیص داده شود. چهار سال گذشت و میدان به معنای واقعی کلمه منفجر شد. لازم به ذکر است که برخی از چشمگیرترین تحولات طی دو سال گذشته به طور دقیق در موسسه در Cargese پیش بینی شده بود.

Known and developed over the past twenty five years, lasers have been experimented in a variety of processes with an uneven success. Apart from fundamental physics experiments in which the various aspects of coherence are systematically exploited, applications in the field of Materials Science have been scattered recently over so many situations that it is apparently difficult today to conceive a comprehensive interpretation of all physical processes encountered. In some domains of research like photochemistry, development has been fast and rather self-supporting. In others, like solid-state processing, progress has been either very specific or deviated towards marginal applications, or else emerged as a joint-venture between physicists and chemists. This yielded a number of professional meetings, where day-to-day research activities are presented. In 1982, the Cargese ASI on "Cohesive properties of semiconductors under laser irradiation" was one of such meetings at which a prospective of the field was discussed at length in ebullient round-table sessions. Quoted from the proceedings, "the Institute helped to discern clearly the limits of existing theoretical approaches and the directions along which work is urgently needed within the next few years". Four years have passed and the field has literally explo­ ded. It must be mentioned that some of the most striking developments over the past two years were accurately predicted at the Institute in Cargese.