ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Integrierte MOS-Schaltungen

دانلود کتاب مدارهای MOS مجتمع

Integrierte MOS-Schaltungen

مشخصات کتاب

Integrierte MOS-Schaltungen

ویرایش: 2 
نویسندگان:   
سری: Halbleiter-Elektronik 14 
ISBN (شابک) : 9783540170358, 9783642829055 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 1987 
تعداد صفحات: 354 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 12 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 47,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب مدارهای MOS مجتمع: الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، مهندسی ارتباطات، شبکه ها



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 15


در صورت تبدیل فایل کتاب Integrierte MOS-Schaltungen به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مدارهای MOS مجتمع نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب مدارهای MOS مجتمع

در عرض حدود 20 سال از زمان ظهور اولین مدارهای مجتمع در بازار، فناوری MOS اکنون به بالاترین سطح یکپارچگی در فناوری نیمه هادی رسیده است. دلایل این توسعه سریع نه تنها امکان بسته بندی بسیار متراکم ترانزیستورهای MOS، بلکه اصل ساده و ساختار ساده ترانزیستور MOS است. هدف این کتاب ارائه مروری بر فناوری MOS و امکانات مرتبط با آن است. هدف آن به طور مساوی فن‌شناس و مهندس مدار است که به طور مشترک در حال توسعه و تولید یک مدار مجتمع هستند. با این حال، با افزایش درجه یکپارچگی، امکان ادغام کل سیستم ها روی تراشه فراهم می شود. بنابراین، هدف این کتاب معمار سیستمی است که در حال طراحی مدار است و باید با مبانی تکنولوژیکی و مداری آشنا باشد، زیرا پیش نیاز موفقیت یک مدار VLSI بسیار پیچیده، آگاهی از مشکلات شریک است. این کتاب همچنین برای دانشجویان فیزیک، مهندسی برق و علوم کامپیوتر که می خواهند با حوزه مدارهای MOS یکپارچه آشنا شوند، در نظر گرفته شده است. به خصوص برای آنها، ساختار اصلی ترانزیستور MOS و اجزای حاصل از آن پس از بررسی دقیق خازن MOS توضیح داده شده است. تکنیک های تولید و مشکلات مربوط به آن توضیح داده شده است. سپس تکنیک های مدار مدارهای MOS یکپارچه و تکنیک های طراحی آنها به تفصیل مورد بحث قرار می گیرد. 6 آقایان E. Musil، R. Hezel، N. Lieske، H. Klar و H.-J.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Innerhalb von etwa 20 Jahren seit dem Erscheinen der erst en integrier­ ten Schaltungen auf dem Markt erreicht die MOS-Technik heute den hochsten Grad der Integration in der Halbleitertechnik. Die Griinde fiir diese stiirmische Entwicklung sind neben der Moglichkeit, MOS-Tran­ sistoren sehr dicht zu packen, auch das einfache Prinzip und der ein­ fache Aufbau des MOS-Transistors. Der Zweck dieses Buches ist es, einen Uberblick iiber die MOS-Technik sowie die mit ihr verbundenen Moglichkeiten zu geben. Es wendet sich gleichermaBen an den Technologen wie an den Schaltungsingenieur, die gemeinsam eine integrierte Schaltung entwickeln und herstellen. Mit steigendem Integrationsgrad wird es jedoch moglich, ganze Systeme auf dem Chip zu integrieren. Das Buch wendet sich daher auch an den Systemarchitekten, der eine Schaltung konzipiert, und der iiber die technologischen und schaltungstechnischen Grundlagen Bescheid wissen sollte, da die Voraussetzung zum Gelingen eines hochkomplexen VLSI Schaltkreises die Kenntnis der Probleme des Partners ist. Das Buch wendet sich aber auch an Studenten der Physik, der Elektro­ technik und der Informatik, die sich neu in das Gebiet der integrierten MOS-Schaltungen einarbeiten wollen. Besonders fiir sie werden dal).er nach einer eingehenden Betrachtung des MOS-Kondensators die Grund­ struktur des MOS-Transistors sowie die aus diesem abgeleiteten Bau­ elemente beschrieben. Die Herstellungstechniken sowie die dabei auf­ tretenden Probleme werden erHiutert. AnschlieBend werden die Schal­ tungstechniken von integrierten MOS-Schaltungen und ihre Entwurfs­ techniken eingehend behandelt. 6 Den Herren E. Musil, R. Hezel, N. Lieske, H. Klar und H.-J.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages 1-14
Einleitung....Pages 15-22
MOS-Bauelemente....Pages 23-94
MOS-Techniken....Pages 95-134
MOS-Grundschaltungen....Pages 135-279
Entwurfstechnik für integrierte MOS-Schaltungen....Pages 280-299
Schaltungsarten....Pages 300-344
Ausblick....Pages 345-350
Back Matter....Pages 351-355




نظرات کاربران