دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Integrated Nanodevice and Nanosystem Fabrication: Breakthroughs and Alternatives
دانلود کتاب یکپارچه نانودیزه و ساخت نانوسیمی: پیشرفت ها و گزینه های جایگزین
مشخصات کتاب
Integrated Nanodevice and Nanosystem Fabrication: Breakthroughs and Alternatives
ویرایش: 1
نویسندگان: Simon Deleonibus
سری: Pan Stanford Series on Intelligent Nanosystems
ISBN (شابک) : 9814774227, 9789814774222
ناشر: Pan Stanford
سال نشر: 2017
تعداد صفحات: 327
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 40 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 28,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب یکپارچه نانودیزه و ساخت نانوسیمی: پیشرفت ها و گزینه های جایگزین: علم مواد، علم مواد و مواد، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، فیزیک، آکوستیک و صدا، کاربردی، اخترفیزیک، بیوفیزیک، نظریه آشوب، فیزیک شیمی، کیهان شناسی، دینامیک، الکترومغناطیس، الکترومغناطیس، الکترومغناطیسی، میکروسکوپی، الکترونیکی ژئوفیزیک، گرانش، نور، فیزیک ریاضی، مکانیک، میکروسکوپ، فیزیک مولکولی، نانوساختارها، فیزیک هسته ای، اپتیک، شیمی کوانتومی، نظریه کوانتومی، نسبیت، فیزیک حالت جامد، نظریه سیستم و زمان موج، مکانیو موج
در صورت تبدیل فایل کتاب Integrated Nanodevice and Nanosystem Fabrication: Breakthroughs and Alternatives به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب یکپارچه نانودیزه و ساخت نانوسیمی: پیشرفت ها و گزینه های جایگزین نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب یکپارچه نانودیزه و ساخت نانوسیمی: پیشرفت ها و گزینه های جایگزین
از زمان اختراع، مدار مجتمع نیاز به ماژول های فرآیند جدید و تغییرات معماری متعددی برای بهبود عملکرد برنامه، مصرف انرژی و کاهش هزینه داشته است. Silicon CMOS اکنون به خوبی تثبیت شده است تا چندین ده میلیارد دستگاه را بر روی یک تراشه یا در یک سیستم یکپارچه کند. در حال حاضر، چالش‌های مهمی در معرفی ادغام ناهمگن مواد و دستگاه‌ها با پلتفرم‌های مبتنی بر CMOS 2 بعدی و سه بعدی سیلیکونی وجود دارد. تکنیک‌های ساخت جدید که امکان بهره‌وری انرژی و تغییرپذیری قوی را فراهم می‌کنند، به عنوان بازیگران ممکن برای بهبود چهره‌های مختلف شایستگی فناوری ساخت وارد می‌شوند.
ساخت نانودستگاه و نانوسیستم یکپارچه: پیشرفت‌ها و جایگزین‌ها دومین جلد از مجموعه پان استنفورد در مورد نانوسیستم‌های هوشمند است. این کتاب شامل 8 فصل و به دو بخش تقسیم شده است که بخش اول مواد و تکنیک‌های پیشرفتی مانند کاشت تک یون در سیلیکون و الماس، گرافن و مواد دو بعدی، نانوساخت با استفاده از میکروسکوپ‌های کاوشگر روبشی را گزارش می‌کند، در حالی که بخش دوم به مقیاس‌بندی و معماری می‌پردازد. جنبه‌های دستگاه‌های سیلیکونی از طریق مقیاس‌گذاری HiK برای nanoCMOS، رشد هم‌مقیاس نانو نیمه‌هادی‌های گروه IV، طراحی برای بهینه‌سازی مشترک تنوع در FinFETهای SOI، و نانوسیم‌ها برای CMOS و تنوع‌ها.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Since its invention, the integrated circuit has necessitated new process modules and numerous architectural changes to improve application performances, power consumption, and cost reduction. Silicon CMOS is now well established to offer the integration of several tens of billions of devices on a chip or in a system. At present, there are important challenges in the introduction of heterogeneous co-integration of materials and devices with the silicon CMOS 2D- and 3D-based platforms. New fabrication techniques allowing strong energy and variability efficiency come in as possible players to improve the various figures of merit of fabrication technology.
Integrated Nanodevice and Nanosystem Fabrication: Breakthroughs and Alternatives is the second volume in the Pan Stanford Series on Intelligent Nanosystems. The book contains 8 chapters and is divided into two parts, the first of which reports breakthrough materials and techniques such as single ion implantation in silicon and diamond, graphene and 2D materials, nanofabrication using scanning probe microscopes, while the second tackles the scaling and architectural aspects of silicon devices through HiK scaling for nanoCMOS, nanoscale epitaxial growth of group IV semiconductors, design for variability co-optimization in SOI FinFETs, and nanowires for CMOS and diversifications.
