دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
دانلود کتاب تئوری و طراحی IGBT ترانزیستور دو قطبی دروازه ای با عایق
مشخصات کتاب
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
ویرایش:
نویسندگان: Vinod Kumar Khanna
سری:
ناشر: WileyBlackwell
سال نشر: 2003
تعداد صفحات: 522
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 27 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 33,000
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
در صورت تبدیل فایل کتاب Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب تئوری و طراحی IGBT ترانزیستور دو قطبی دروازه ای با عایق نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب تئوری و طراحی IGBT ترانزیستور دو قطبی دروازه ای با عایق
ترانزیستورهای دوقطبی گیت عایق (IGBT): تئوری و طراحی جنبه های
اصلی تئوری و طراحی IGBT ها، از جمله انتخاب سیلیکون، دستیابی به
مشخصات هدف از طریق طراحی دستگاه و فرآیند، و بسته بندی دستگاه را
پوشش می دهد. نویسنده پس از پایه‌گذاری در MOS و رشته‌های دوقطبی،
پایه‌های فیزیک دستگاه قدرت لازم برای درک واضح موضوع را می‌سازد،
از جمله فصل‌هایی در این زمینه:
* ماسفت‌های غیر سوراخ‌دار، پانچ‌تراف، ماسفت‌های پراکنده دوگانه
عمودی و IGBTهای ترانچ گیت ساختارهای جانبی و جدید IGBT و فناوری
های نوظهور
* عملکرد حالت پایدار و پویا و عملکرد سوئیچینگ نرم منطقه عملیاتی
ایمن و تست های قابلیت اطمینان IGBT
* فیزیک، دستگاه و مدل های مدار IGBT
* سلول واحد IGBT طراحی و تکنیک های مهار قفل
* مراحل ساخت IGBT و طراحی فرآیند
* ماژول های قدرت IGBT
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT): Theory and Design
covers basic theory and design aspects of IGBTs, including the
selection of silicon, achieving targeted specifications through
device and process design, and device packaging. After laying
the groundwork in MOS and bipolar disciplines, the author
constructs the foundation of power device physics necessary for
clearly understanding the subject matter, including chapters
on:
* Non-punchthrough, punchthrough, vertical double diffused
MOSFET and trench-gate IGBTs improved lateral and novel IGBT
structures and emerging technologies
* Steady-state and dynamic operation, and soft switching
performance safe operating area and reliability tests of
IGBT
* IGBT physics, device and circuit models
* IGBT unit cell design and latching suppression
techniques
* IGBT fabrication steps and process design
* IGBT power modules
