دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: J. P. Nougier
سری: European Materials Research Society Monographs
ISBN (شابک) : 9780444889904, 0444889906
ناشر: Elsevier B.V, North-Holland
سال نشر: 1991
تعداد صفحات: 511
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 24 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب III-V Microelectronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب III-V میکروالکترونیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
همانطور که شناخته شده است، سیلیکون به طور گسترده ای بر بازار دستگاه ها و مدارهای نیمه هادی تسلط دارد و به ویژه برای فرآیندهای یکپارچه سازی در مقیاس بسیار بزرگ مناسب است. با این حال، اخیراً تعدادی از دستگاهها و مدارهای نیمهرسانای مرکب III-V ساخته شدهاند، و مشارکتهای این جلد به آن دسته از مواد اختصاص دارد که تعدادی ویژگی جالب را ارائه میدهند. با در نظر گرفتن تنوع زیادی از مشکلات پیش آمده و همبستگی های متقابل آنها هنگام ساخت یک مدار یا حتی یک دستگاه، بیشتر جنبه های میکروالکترونیک III-V، از فیزیک بنیادی گرفته تا مدل سازی و فناوری، از مواد گرفته تا دستگاه ها و مدارها بررسی می شود. این جلد حاوی مشارکتهای محققان اروپایی با شهرت بینالمللی است، منبع مرجع قطعی برای هر کسی که علاقهمند به آخرین پیشرفتها و نتایج تحقیقات تجربی فعلی در میکروالکترونیک III-V است.
As is well known, Silicon widely dominates the market of semiconductor devices and circuits, and in particular is well suited for Ultra Large Scale Integration processes. However, a number of III-V compound semiconductor devices and circuits have recently been built, and the contributions in this volume are devoted to those types of materials, which offer a number of interesting properties. Taking into account the great variety of problems encountered and of their mutual correlations when fabricating a circuit or even a device, most of the aspects of III-V microelectronics, from fundamental physics to modelling and technology, from materials to devices and circuits are reviewed. Containing contributions from European researchers of international repute this volume is the definitive reference source for anyone interested in the latest advances and results of current experimental research in III-V microelectronics
Content:
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
Preface, Pages v-vi, J.P. Nougier
Basic Physical mechanisms, Pages 1-56, J.P. Nougier
Epitaxy of wide band gap III–V materials by MOVPE and MBE, Pages 57-87, M. Heuken
Device simulation, Pages 89-144, Carlo U. Naldi, Giovanni Ghione
Characterisation of Mismatched Epitaxial Layers Grown by Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy, Pages 145-181, A. Gustafsson
Noise in devices: definition, modelling, Pages 183-238, J.P. Nougier
FIELD EFFECTS TRANSISTORS MODELING AND PERFORMANCE, Pages 239-275, Y. Crosnier, G. Salmer
Technology for III/V-Semiconductor HFET Devices, Pages 277-313, Werner Prost
MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT MODELLING, Pages 315-354, Michael J Howes
Millimetre-wave devices, Pages 355-400, J. Freyer
Heterojunction bipolar transistors: technology, performance and applications, Pages 401-437, A.J. Holden
OPTOELECTRONIC AND PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS: Modelling and Technology, Pages 439-499, Roel Baets, Peter Van Daele
Author Index, Page 501
Subject Index, Pages 503-514