دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics
دانلود کتاب نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون
مشخصات کتاب
III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics
ویرایش: 1 نویسندگان: Tingkai Li, Michael Mastro, Armin Dadgar سری: ISBN (شابک) : 1439815224, 9781439815229 ناشر: CRC Press سال نشر: 2010 تعداد صفحات: 588 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 20 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 35,000
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون: میکروالکترونیک، الکترونیک، برق و الکترونیک، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، نیمه هادی ها، الکترونیک، برق و الکترونیک، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، مواد و علوم مواد، بتن، استخراج و مهندسی مهندسی و مهندسی مهندسی، مهندسی و پردازش، مواد، آزمایش، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، الکترومغناطیس، الکتریسیته، مغناطیس، فیزیک، علوم و ریاضی، فیزیک حالت جامد، ابررسانایی، فیزیک، علوم و ریاضیات، فیزیک
در صورت تبدیل فایل کتاب III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب نیمه هادی های مرکب III-V: ادغام با میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون
میکروالکترونیک مبتنی بر سیلیکون به طور پیوسته در معیارهای مختلف عملکرد به هزینه بهبود یافته است. اما پس از دهه‌ها مقیاس‌گذاری پردازنده، محدودیت‌های اساسی و چالش‌های جدید قابل توجهی پدیدار شده‌اند. ادغام نیمه هادی های مرکب کاندیدای اصلی برای رسیدگی به بسیاری از این مسائل و ادامه پیگیری بی وقفه پردازنده های قدرتمندتر و مقرون به صرفه است.
III-V. نیمه هادی های مرکب: ادغام با میکروالکترونیک های مبتنی بر سیلیکون پیشرفت های اخیر در این زمینه را پوشش می دهد و به دو انقلاب بزرگ در صنعت نیمه هادی ها می پردازد: ادغام نیمه هادی های مرکب در میکروالکترونیک Si و ساخت آنها بر روی بسترهای Si با مساحت بزرگ. نویسندگان یک کاوش علمی و فناوری در مورد دستگاه‌های نیمه‌رسانای ترکیبی GaN، GaAs و III-V در میکروالکترونیک Si ارائه می‌کنند و پایه‌ای اساسی برای کمک به خوانندگان برای مقابله با مسائل مربوط به طراحی و کاربرد ایجاد می‌کنند.
برنامه‌های CMOS مبتنی بر سیلیکون را که در برنامه پیشرفته DARPA توسعه یافته‌اند بررسی می‌کند< /P>
این کتاب با ارائه یک نمای کلی از سیستم‌ها، دستگاه‌ها و مواد سازنده آنها:
- ساختار، نمودارهای فاز و فیزیکی را شرح می‌دهد. و خواص
شیمیایی مواد III-V و Si، و همچنین چالش های یکپارچه سازی
- بر مزیت های کلیدی GaN، از جمله اهمیت آن در تجاری سازی یک
کلاس جدید دیودها و ترانزیستورهای قدرت
- مواد سنتی III-V را تجزیه و تحلیل می‌کند و مزایا و معایب آنها را برای ادغام دستگاه با میکروالکترونیک Si بیان می‌کند. /LI>
- خواص نیمه هادی های III-V را توضیح می دهد و رویکردهایی را
برای ارزیابی و مشخص کردن ویژگی های آنها توصیف می کند
- Investiga دستگاه های نوری پیشرفته، LED ها، فوتونیک Si، مواد و دستگاه های پرسرعت و پرقدرت III-V، دستگاه های سلول خورشیدی III-V و موارد دیگر
< LI> فناوری های جدیدی را برای اندازه گیری و ارزیابی
کیفیت مواد و ویژگی های دستگاه معرفی می کند
مجموعه کار متخصصان مشهور، مرجعی برای دانشمندان و مهندسانی است که در تقاطع Si و فناوری نیمه هادی مرکب کار می کنند. پوشش جامع آن هم برای دانشجویان و هم برای متخصصان این حوزه رو به رشد ارزشمند است.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Silicon-based microelectronics has steadily improved in various performance-to-cost metrics. But after decades of processor scaling, fundamental limitations and considerable new challenges have emerged. The integration of compound semiconductors is the leading candidate to address many of these issues and to continue the relentless pursuit of more powerful, cost-effective processors.
III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics covers recent progress in this area, addressing the two major revolutions occurring in the semiconductor industry: integration of compound semiconductors into Si microelectronics, and their fabrication on large-area Si substrates. The authors present a scientific and technological exploration of GaN, GaAs, and III-V compound semiconductor devices within Si microelectronics, building a fundamental foundation to help readers deal with relevant design and application issues.
Explores silicon-based CMOS applications developed within the cutting-edge DARPA program
Providing an overview of systems, devices, and their component materials, this book:
- Describes structure, phase diagrams, and physical and
chemical properties of III-V and Si materials, as well as
integration challenges
- Focuses on the key merits of GaN, including its
importance in commercializing a new class of power diodes and
transistors
- Analyzes more traditional III-V materials, discussing
their merits and drawbacks for device integration with Si
microelectronics
- Elucidates properties of III-V semiconductors and
describes approaches to evaluate and characterize their
attributes
- Introduces novel technologies for the measurement and
evaluation of material quality and device properties
- Investigates state-of-the-art optical devices, LEDs, Si photonics, high-speed, high-power III-V materials and devices, III-V solar cell devices, and more
Assembling the work of renowned experts, this is a reference for scientists and engineers working at the intersection of Si and compound semiconductor technology. Its comprehensive coverage is valuable for both students and experts in this burgeoning field.
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Catholicism and Liberalism: Contributions to American Public Policy
دانلود کتاب Risiken informations- und kommunikationstechnischer (IKT-) Implantate im Hinblick auf Datenschutz und Datensicherheit
