برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب III-Nitride Semiconductors: Electrical, Structural and Defects Properties

دانلود کتاب نیمه هادی III نیترویید: خواص الکتریکی، ساختاری و نقص

مشخصات کتاب

III-Nitride Semiconductors: Electrical, Structural and Defects Properties

دسته بندی: الکترونیک
ویرایش: 1 
نویسندگان: M.O. Manasreh  
سری:  
ISBN (شابک) : 0444506306, 9780444506306 
ناشر: Elsevier Science 
سال نشر: 2000 
تعداد صفحات: 485 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 30 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 40,000

در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 11

در صورت تبدیل فایل کتاب III-Nitride Semiconductors: Electrical, Structural and Defects Properties به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب نیمه هادی III نیترویید: خواص الکتریکی، ساختاری و نقص نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب نیمه هادی III نیترویید: خواص الکتریکی، ساختاری و نقص

پیشرفت‌های تحقیقاتی در مواد و دستگاه نیمه‌رسانای III-نیترید منجر به افزایش تصاعدی در فعالیت‌ها به سمت کاربردهای الکترونیکی و نوری شده است. همچنین علاقه علمی زیادی به این دسته از مواد وجود دارد زیرا به نظر می رسد که آنها اولین سیستم نیمه هادی را تشکیل می دهند که در آن عیوب گسترده تأثیر شدیدی بر خواص نوری دستگاه ها نمی گذارد. این جلد شامل فصول نوشته شده توسط تعدادی از محققین برجسته در زمینه مواد نیترید و فناوری دستگاه با تاکید بر ترکیب مواد ناخالص، شناسایی ناخالصی ها، مهندسی نقص، مشخصه یابی نقص، کاشت یون، نقص های ناشی از تابش، تنش پسماند، نقص ساختاری و فونون است. حصر این جلد منحصر به فرد یک بررسی جامع و معرفی عیوب و خواص ساختاری GaN و ترکیبات مربوط به آن را برای تازه واردان به این حوزه و محرکی برای پیشرفت بیشتر برای محققان با تجربه ارائه می دهد. با توجه به سطح فعلی علاقه و فعالیت های تحقیقاتی معطوف به مواد و دستگاه های نیترید، انتشار جلد به ویژه به موقع است. کارهای پیشگامانه اولیه توسط Pankove و همکارانش در دهه 1970 یک دیود ساطع نور GaN نیمه هادی عایق فلزی (LED) را به وجود آورد، اما دشواری تولید GaN نوع p مانع از تلاش بیشتر شد. سطح فعلی فعالیت در نیمه هادی های نیترید عمدتاً از نتایج آکاساکی و همکاران و ناکامورا و همکارانش در اواخر دهه 1980 و اوایل دهه 1990 در توسعه دوپینگ نوع p در GaN و نشان دادن نیترید الهام گرفته شده است. LED های مبتنی بر طول موج های مرئی این پیشرفت ها با ساخت موفقیت آمیز و تجاری سازی دیودهای لیزر آبی نیترید توسط Nakamura و همکاران در Nichia دنبال شد. فصل‌های موجود در این جلد، نمونه‌ای از طیف وسیعی از تحقیقات در مورد مواد نیمه‌رسانای نیترید و مسائل مربوط به نقص است که در حال حاضر در آزمایشگاه‌های دانشگاهی، دولتی و صنعتی در سراسر جهان دنبال می‌شوند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Research advances in III-nitride semiconductor materials and device have led to an exponential increase in activity directed towards electronic and optoelectronic applications. There is also great scientific interest in this class of materials because they appear to form the first semiconductor system in which extended defects do not severely affect the optical properties of devices. The volume consists of chapters written by a number of leading researchers in nitride materials and device technology with the emphasis on the dopants incorporations, impurities identifications, defects engineering, defects characterization, ion implantation, irradiation-induced defects, residual stress, structural defects and phonon confinement. This unique volume provides a comprehensive review and introduction of defects and structural properties of GaN and related compounds for newcomers to the field and stimulus to further advances for experienced researchers. Given the current level of interest and research activity directed towards nitride materials and devices, the publication of the volume is particularly timely. Early pioneering work by Pankove and co-workers in the 1970s yielded a metal-insulator-semiconductor GaN light-emitting diode (LED), but the difficulty of producing p-type GaN precluded much further effort. The current level of activity in nitride semiconductors was inspired largely by the results of Akasaki and co-workers and of Nakamura and co-workers in the late 1980s and early 1990s in the development of p-type doping in GaN and the demonstration of nitride-based LEDs at visible wavelengths. These advances were followed by the successful fabrication and commercialization of nitride blue laser diodes by Nakamura et al at Nichia. The chapters contained in this volume constitutes a mere sampling of the broad range of research on nitride semiconductor materials and defect issues currently being pursued in academic, government, and industrial laboratories worldwide.