ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب III-nitride semiconductors and their modern devices

دانلود کتاب نیمه هادی های نیترید III و دستگاه های مدرن آنها

III-nitride semiconductors and their modern devices

مشخصات کتاب

III-nitride semiconductors and their modern devices

ویرایش: First edition 
نویسندگان:   
سری: Series on semiconductor science and technology 18.; Oxford science publications 
ISBN (شابک) : 9780199681723, 0199681724 
ناشر: Oxford University Press 
سال نشر: 2013 
تعداد صفحات: 661 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 9 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 44,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب نیمه هادی های نیترید III و دستگاه های مدرن آنها: نیمه هادی ها -- مواد ، نیترید گالیوم -- خواص الکتریکی.



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 10


در صورت تبدیل فایل کتاب III-nitride semiconductors and their modern devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب نیمه هادی های نیترید III و دستگاه های مدرن آنها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب نیمه هادی های نیترید III و دستگاه های مدرن آنها

این کتاب به GaN و آلیاژهای آن AlGaInN (نیتریدهای III-V) اختصاص داده شده است، نیمه هادی هایی با خواص ذاتی که برای انتشار نور مرئی و UV و دستگاه های الکترونیکی که در دمای بالا، فرکانس بالا و محیط های خشن کار می کنند مناسب هستند. رشد سریعی در فعالیت های صنعتی مربوط به GaN وجود داشته است، به طوری که GaN اکنون در جایگاه دوم (پس از Si) در بین تمام نیمه هادی ها قرار دارد. این عمدتاً به لطف LED ها، بلکه به دلیل ظهور لیزرها و الکترونیک با قدرت بالا و فرکانس بالا است. فعالیت‌های تحقیقاتی مرتبط با GaN نیز در حال تنوع هستند، از منابع نوری پیشرفته و دستگاه‌های تک الکترونی گرفته تا حسگرهای فیزیکی، شیمیایی و بیولوژیکی، آشکارسازهای نوری و مبدل‌های انرژی.

تمام پیشرفت‌های اخیر نیتریدها و فناوری آن‌ها در اینجا در یک جلد جمع‌آوری شده است، با فصل‌هایی که توسط رهبران جهانی در این زمینه نوشته شده است. این سومین کتاب از مجموعه ویرایش شده توسط B. Gil مکمل دو کتاب قبلی است و انتظار می رود دیدگاهی مدرن از نیتریدها و دستگاه های آنها را به مخاطبان زیادی ارائه دهد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book is dedicated to GaN and its alloys AlGaInN (III-V nitrides), semiconductors with intrinsic properties well suited for visible and UV light emission and electronic devices working at high temperature, high frequency, and harsh environments. There has been a rapid growth in the industrial activity relating to GaN, with GaN now ranking at the second position (after Si) among all semiconductors. This is mainly thanks to LEDs, but also to the emergence of lasers and high power and high frequency electronics. GaN-related research activities are also diversifying, ranging from advanced optical sources and single electron devices to physical, chemical, and biological sensors, optical detectors, and energy converters.

All recent developments of nitrides and of their technology are gathered here in a single volume, with chapters written by world leaders in the field. This third book of the series edited by B. Gil is complementary to the preceding two, and is expected to offer a modern vision of nitrides and of their devices to a large audience of readers.



فهرست مطالب

Content: 1. Development of the nitride-based UV/DUV LEDs 
2. The homoepitaxial challenge: GaN crystals grown at high pressure for laser diodes and laser diode arrays
3. Epitaxial growth and benefits of GaN on silicon
4. The growth of bulk aluminum nitride
5. Epitaxial growth of nitride quantum dots
6. Properties of InAlN layers nearly lattice-matched to GaN and their use for photonics and electronics
7. Growth and optical properties of aluminum rich AlGaN heterostructures
8. Optical and structural properties of InGaN light emitters on non- and semipolar GaN
9. GaN-based single-nanowire devices
10. Advanced photonic and nanophotonic devices
11. Nitride-based electron devices for high power / high frequency applications
12. Intersubband transitions in low dimensional nitrides
13. The slow light in gallium nitride
14. Nitride devices and their biofunctionalization for biosensing applications
15. Heterovalent ternary II-IV-N2 compounds: perspectives for a new class of wide-band-gap nitrides
16. Terahertz emission in polaritonic systems with nitrides




نظرات کاربران