دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: First edition
نویسندگان: Bernard Gil
سری: Series on semiconductor science and technology 18.; Oxford science publications
ISBN (شابک) : 9780199681723, 0199681724
ناشر: Oxford University Press
سال نشر: 2013
تعداد صفحات: 661
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 9 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب نیمه هادی های نیترید III و دستگاه های مدرن آنها: نیمه هادی ها -- مواد ، نیترید گالیوم -- خواص الکتریکی.
در صورت تبدیل فایل کتاب III-nitride semiconductors and their modern devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نیمه هادی های نیترید III و دستگاه های مدرن آنها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب به GaN و آلیاژهای آن AlGaInN (نیتریدهای III-V) اختصاص
داده شده است، نیمه هادی هایی با خواص ذاتی که برای انتشار نور
مرئی و UV و دستگاه های الکترونیکی که در دمای بالا، فرکانس بالا
و محیط های خشن کار می کنند مناسب هستند. رشد سریعی در فعالیت های
صنعتی مربوط به GaN وجود داشته است، به طوری که GaN اکنون در
جایگاه دوم (پس از Si) در بین تمام نیمه هادی ها قرار دارد. این
عمدتاً به لطف LED ها، بلکه به دلیل ظهور لیزرها و الکترونیک با
قدرت بالا و فرکانس بالا است. فعالیتهای تحقیقاتی مرتبط با GaN
نیز در حال تنوع هستند، از منابع نوری پیشرفته و دستگاههای تک
الکترونی گرفته تا حسگرهای فیزیکی، شیمیایی و بیولوژیکی،
آشکارسازهای نوری و مبدلهای انرژی.
تمام پیشرفتهای اخیر نیتریدها و فناوری آنها در اینجا در یک جلد
جمعآوری شده است، با فصلهایی که توسط رهبران جهانی در این زمینه
نوشته شده است. این سومین کتاب از مجموعه ویرایش شده توسط B. Gil
مکمل دو کتاب قبلی است و انتظار می رود دیدگاهی مدرن از نیتریدها
و دستگاه های آنها را به مخاطبان زیادی ارائه دهد.
This book is dedicated to GaN and its alloys AlGaInN (III-V
nitrides), semiconductors with intrinsic properties well suited
for visible and UV light emission and electronic devices
working at high temperature, high frequency, and harsh
environments. There has been a rapid growth in the industrial
activity relating to GaN, with GaN now ranking at the second
position (after Si) among all semiconductors. This is mainly
thanks to LEDs, but also to the emergence of lasers and high
power and high frequency electronics. GaN-related research
activities are also diversifying, ranging from advanced optical
sources and single electron devices to physical, chemical, and
biological sensors, optical detectors, and energy
converters.
All recent developments of nitrides and of their technology are
gathered here in a single volume, with chapters written by
world leaders in the field. This third book of the series
edited by B. Gil is complementary to the preceding two, and is
expected to offer a modern vision of nitrides and of their
devices to a large audience of readers.
Content: 1. Development of the nitride-based UV/DUV LEDs
2. The homoepitaxial challenge: GaN crystals grown at high pressure for laser diodes and laser diode arrays
3. Epitaxial growth and benefits of GaN on silicon
4. The growth of bulk aluminum nitride
5. Epitaxial growth of nitride quantum dots
6. Properties of InAlN layers nearly lattice-matched to GaN and their use for photonics and electronics
7. Growth and optical properties of aluminum rich AlGaN heterostructures
8. Optical and structural properties of InGaN light emitters on non- and semipolar GaN
9. GaN-based single-nanowire devices
10. Advanced photonic and nanophotonic devices
11. Nitride-based electron devices for high power / high frequency applications
12. Intersubband transitions in low dimensional nitrides
13. The slow light in gallium nitride
14. Nitride devices and their biofunctionalization for biosensing applications
15. Heterovalent ternary II-IV-N2 compounds: perspectives for a new class of wide-band-gap nitrides
16. Terahertz emission in polaritonic systems with nitrides