دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Hydrogen in Semiconductors II
دانلود کتاب هیدروژن در نیمه هادی ها II
مشخصات کتاب
Hydrogen in Semiconductors II
ویرایش: 1
نویسندگان: Norbert H. Nickel (Eds.)
سری: Semiconductors and Semimetals 61
ISBN (شابک) : 0127521704, 9780080525259
ناشر: Academic Press
سال نشر: 1999
تعداد صفحات: 541
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 6 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 32,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Hydrogen in Semiconductors II به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب هیدروژن در نیمه هادی ها II نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب هیدروژن در نیمه هادی ها II
از زمان آغاز به کار آن در سال 1966، مجموعه ای از مجلدات شماره گذاری شده به نام نیمه هادی ها و نیمه فلزات از طریق انتخاب دقیق نویسندگان، ویراستاران و مشارکت کنندگان مشهور خود را متمایز کرده است. مجموعه "ویلاردسون و بیر"، همانطور که به طور گسترده شناخته شده است، موفق به انتشار جلدها و فصل های شاخص متعددی شده است. بسیاری از این مجلدات نه تنها در زمان انتشار تأثیر گذاشتند، بلکه سال‌ها پس از انتشار اصلی‌شان همچنان مورد استناد قرار می‌گیرند. اخیراً، پروفسور Eicke R. Weber از دانشگاه کالیفرنیا در برکلی به عنوان یکی از سردبیران این مجموعه پیوست. پروفسور وبر، متخصص مشهور در زمینه مواد نیمه هادی، بیشتر به ادامه سنت مجموعه در انتشار به موقع، بسیار مرتبط و طولانی مدت کمک خواهد کرد. برخی از مجلدات اخیر، مانند هیدروژن در نیمه هادی ها، عیوب در مواد III/V، ریزساختارهای هم محور، دستگاه های ناهمسان ساختاری با سرعت بالا، اکسیژن در سیلیکون، و دیگران نوید می دهند که این سنت حفظ و حتی گسترش خواهد یافت. بازتاب ماهیت بین رشته ای واقعا از حوزه ای که این مجموعه پوشش می دهد، حجم های نیمه هادی ها و نیمه فلزات مورد توجه فیزیکدانان، شیمیدانان، دانشمندان مواد و مهندسان دستگاه در صنعت مدرن بوده و خواهد بود. ویژگی های کلیدی * عمیق ترین پوشش هیدروژن در سیلیکون موجود در یک منبع را ارائه می دهد * شامل یک فصل گسترده در مورد خنثی سازی عیوب در نیمه هادی های III * b1V ** مطالعات تجربی و نظری را برای تشکیل یک مرجع جامع ترکیب می کند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Since its inception in 1966, the series of numbered volumes known as Semiconductors and Semimetals has distinguished itself through the careful selection of well-known authors, editors, and contributors. The "Willardson and Beer" Series, as it is widely known, has succeeded in publishing numerous landmark volumes and chapters. Not only did many of these volumes make an impact at the time of their publication, but they continue to be well-cited years after their original release. Recently, Professor Eicke R. Weber of the University of California at Berkeley joined as a co-editor of the series. Professor Weber, a well-known expert in the field of semiconductor materials, will further contribute to continuing the series' tradition of publishing timely, highly relevant, and long-impacting volumes. Some of the recent volumes, such as Hydrogen in Semiconductors, Imperfections in III/V Materials, Epitaxial Microstructures, High-Speed Heterostructure Devices, Oxygen in Silicon, and others promise that this tradition will be maintained and even expanded.Reflecting the truly interdisciplinary nature of the field that the series covers, the volumes in Semiconductors and Semimetals have been and will continue to be of great interest to physicists, chemists, materials scientists, and device engineers in modern industry. Key Features* Provides the most in-depth coverage of hydrogen in silicon available in a single source* Includes an extensive chapter on the neutralization of defects in III*b1V semiconductors**Combines both experimental and theoretical studies to form a comprehensive reference
فهرست مطالب
Content:
Editorial board
Page ii
Edited by
Page iii
Copyright page
Page iv
Preface
Page xi
Norbert H. Nickel
List of Contributors
Pages xiii-xiv
Chapter 1: Introduction to Hydrogen in Semiconductors II Original Research Article
Pages 1-11
Norbert H. Nickel
Chapter 2: Isolated Monatomic Hydrogen in Silicon Original Research Article
Pages 13-23
Noble M. Johnson, Chris G. Van de Walle
Chapter 3: Electron Paramagnetic Resonance Studies of Hydrogen and Hydrogen-Related Defects in Crystalline Silicon Original Research Article
Pages 25-81
Yurij V. Gorelkinskii
Chapter 4: Hydrogen in Polycrystalline Silicon Original Research Article
Pages 83-163
Norbert H. Nickel
Chapter 5: Hydrogen Phenomena in Hydrogenated Amorphous Silicon Original Research Article
Pages 165-239
Wolfhard Beyer
Chapter 6: Hydrogen Interactions with Polycrystalline and Amorphous Silicon — Theory Original Research Article
Pages 241-281
Chris G. Van de Walle
Chapter 7: Hydrogen in Polycrystalline CVD Diamond Original Research Article
Pages 283-310
Karen M. McNamara Rutledge
Chapter 8: Dynamics of Muonium Diffusion, Site Changes, and Charge-State Transitions Original Research Article
Pages 311-371
Roger L. Lichti
Chapter 9: Hydrogen in III-V and II-VI Semiconductors Original Research Article
Pages 373-440
Matthew D. McCluskey, Eugene E. Haller
Chapter 10: The Properties of Hydrogen in GaN and Related Alloys Original Research Article
Pages 441-478
S.J. Pearton, J.W. Lee
Chapter 11: Theory of Hydrogen in GaN Original Research Article
Pages 479-502
Jörg Neugebauer, Chris G. Van de Walle
Index
Pages 503-508
Contents of Volumes in This Series
Pages 509-526
