دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Jagdeep Shah (Auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9780126381405, 0080925707
ناشر: Elsevier Science
سال نشر: 1992
تعداد صفحات: 498
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 13 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Hot Carriers in Semiconductor Nanostructures. Physics and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب حامل های داغ در نانوساختارهای نیمه هادی. فیزیک و کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
حامل های شارژ غیرتعادلی - گرم - نقش مهمی در فیزیک و فناوری دستگاه های نانوساختار نیمه هادی ایفا می کنند. این کتاب - یکی از اولین کتاب ها در این زمینه - جنبه های اساسی حامل های داغ در سیستم های شبه دو بعدی و تاثیر این حامل ها بر دستگاه های نیمه هادی را مورد بحث قرار می دهد. این کار بررسی معتبری از هیجانانگیزترین پیشرفتهای اخیر در این زمینه به سرعت در حال حرکت را در اختیار دانشمندان و مهندسان دستگاه قرار میدهد. همه کسانی که می خواهند اصول دستگاه های نیمه هادی فوق العاده کوچک و فوق سریع معاصر را بیاموزند باید آن را بخوانند. کلید. بیشتر بخوانید...
Nonequilibrium--hot--charge carriers play a crucial role in the physics and technology of semiconductor nanostructure devices. This book--one of the first on the topic--discusses fundamental aspects of hot carriers in quasi-two-dimensional systems and the impact of these carriers on semiconductor devices. The work will provide scientists and device engineers with an authoritative review of the most exciting recent developments in this rapidly moving field. It should be read by all those who wish to learn the fundamentals of contemporary ultra-small, ultra-fast semiconductor devices. Key. Read more...
Content:
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
Dedication, Page v
PREFACE, Pages xiii-xiv
CONTRIBUTORS, Pages xv-xvi
I.1 - OVERVIEW, Pages 3-14
II.1 - ELECTRON–PHONON INTERACTIONS IN 2D SYSTEMS, Pages 17-51
II.2 - QUANTUM MANY-BODY ASPECTS OF HOT-CARRIER RELAXATION IN SEMICONDUCTOR MICROSTRUCTURES, Pages 53-85
II.3 - COOLING OF HIGHLY PHOTOEXCITED ELECTRON–HOLE PLASMA IN POLAR SEMICONDUCTORS AND SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS: A BALANCE-EQUATION APPROACH, Pages 87-120
II.4 - TUNNELING TIMES IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES: A CRITICAL REVIEW, Pages 121-151
II.5 - QUANTUM TRANSPORT, Pages 153-188
III.1 - HOT-CARRIER RELAXATION IN QUASI-2D SYSTEMS, Pages 191-234
III. 2 - MONTE CARLO SIMULATION OF GaAs–AlxGa1−xAs FIELD-EFFECT TRANSISTORS, Pages 235-275
IV.1 - Ultrafast Luminescence Studies of Carrier Relaxation and Tunneling in Semiconductor Nanostructures, Pages 279-312
IV.2 - OPTICAL STUDIES OF FEMTOSECOND CARRIER THERMALIZATION IN GaAs, Pages 313-344
IV.3 - TIME-RESOLVED RAMAN MEASUREMENTS OF ELECTRON–PHONON INTERACTIONS IN QUANTUM WELLS AND SUPERLATTICES, Pages 345-378
IV.4 - ELECTRON–HOLE SCATTERING IN QUANTUM WELLS, Pages 379-407
V.1 - BALLISTIC TRANSPORT IN A TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS, Pages 411-441
V.2 - RESONANT-TUNNELING HOT-ELECTRON TRANSISTORS, Pages 443-467
V.3 - RESONANT TUNNELING IN HIGH-SPEED DOUBLE BARRIER DIODES, Pages 469-498
INDEX, Pages 499-508