دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Tibor Grasser (eds.)
سری:
ISBN (شابک) : 9783319089935, 9783319089942
ناشر: Springer International Publishing
سال نشر: 2015
تعداد صفحات: 518
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 21 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب تخریب حامل داغ در دستگاه های نیمه هادی: مدارها و سیستم ها، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق
در صورت تبدیل فایل کتاب Hot Carrier Degradation in Semiconductor Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب تخریب حامل داغ در دستگاه های نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب ابزارهای مختلفی را در اختیار خوانندگان قرار میدهد تا به چالشهای ناشی از تخریب حامل داغ، یکی از پیچیدهترین مسائل قابلیت اطمینان امروزی در دستگاههای نیمهرسانا رسیدگی کنند. پوشش شامل توضیحی در مورد حمل و نقل حامل در داخل دستگاه ها و حسابداری نحوه کسب انرژی ("گرم شدن")، تعامل مجموعه ای از حامل های سردتر و گرمتر با پیش سازهای نقص است که در نهایت منجر به ایجاد نقص می شود، و شرح نحوه تعامل این عیوب با دستگاه و کاهش عملکرد آن.
This book provides readers with a variety of tools to address the challenges posed by hot carrier degradation, one of today’s most complicated reliability issues in semiconductor devices. Coverage includes an explanation of carrier transport within devices and book-keeping of how they acquire energy (“become hot”), interaction of an ensemble of colder and hotter carriers with defect precursors, which eventually leads to the creation of a defect, and a description of how these defects interact with the device, degrading its performance.
Front Matter....Pages i-x
Front Matter....Pages 1-1
From Atoms to Circuits: Theoretical and Empirical Modeling of Hot Carrier Degradation....Pages 3-27
The Energy Driven Hot Carrier Model....Pages 29-56
Hot-Carrier Degradation in Decananometer CMOS Nodes: From an Energy-Driven to a Unified Current Degradation Modeling by a Multiple-Carrier Degradation Process....Pages 57-103
Physics-Based Modeling of Hot-Carrier Degradation....Pages 105-150
Semi-analytic Modeling for Hot Carriers in Electron Devices....Pages 151-196
The Spherical Harmonics Expansion Method for Assessing Hot Carrier Degradation....Pages 197-220
Recovery from Hot Carrier Induced Degradation Through Temperature Treatment....Pages 221-230
Characterization of MOSFET Interface States Using the Charge Pumping Technique....Pages 231-255
Front Matter....Pages 257-257
Channel Hot Carriers in SiGe and Ge pMOSFETs....Pages 259-285
Channel Hot Carrier Degradation and Self-Heating Effects in FinFETs....Pages 287-307
Characterization and Modeling of High-Voltage LDMOS Transistors....Pages 309-339
Compact Modelling of the Hot-Carrier Degradation of Integrated HV MOSFETs....Pages 341-369
Hot-Carrier Degradation in Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors....Pages 371-398
Front Matter....Pages 399-399
Hot-Carrier Injection Degradation in Advanced CMOS Nodes: A Bottom-Up Approach to Circuit and System Reliability....Pages 401-444
Circuit Reliability: Hot-Carrier Stress of MOS Transistors in Different Fields of Application....Pages 445-476
Reliability Simulation Models for Hot Carrier Degradation....Pages 477-517