High-k Materials in Multi-Gate FET Devices (Science, Technology, and Management)

مواد High-k در دستگاه‌های FET Multi-Gate بر مواد با کیفیت بالا برای دستگاه‌های FET پیشرفته تمرکز دارد. چالش‌های نوظهور در مهندسی و کاربردها را مورد بحث قرار می‌دهد و مسائل مربوط به فناوری‌های مرتبط را در نظر می‌گیرد. این روش‌های مختلف استفاده از دی‌الکتریک‌های پرk در FET‌های چند دروازه‌ای را برای افزایش عملکرد آن‌ها در دستگاه و همچنین سطح مدار پوشش می‌دهد.

• دانش اولیه را در مورد دستگاه های FET ارائه می دهد
• انگیزه پشت FET های چند دروازه را ارائه می دهد، از جمله روندهای فعلی و آینده در فناوری های ترانزیستور
• درباره ساخت و خصوصیات مواد با کیفیت بالا بحث می کند
• شامل یک تجزیه و تحلیل جامع تاثیر دی الکتریک های باk بالا استفاده شده در گیت-اکسید و جداکننده های دروازه-کنار دیوار بر روی GIDL معماری های FET چند دروازه ای در حال ظهور
• کاربرد دقیق مواد با کیفیت بالا را برای دستگاه های پیشرفته FET ارائه می دهد
• جهت تحقیقات آینده را در نظر می گیرد

این کتاب برای محققان علوم مواد، مهندسی الکترونیک، مدل‌سازی دستگاه‌های نیمه‌رسانا، فناوری اطلاعات و رشته‌های مرتبط با مطالعه نانو دستگاه‌ها ارزشمند است. مانند FinFET و FET Tunnel و مسائل مربوط به کد طراحی مدار دستگاه.

High-k Materials in Multi-Gate FET Devices focuses on high-k materials for advanced FET devices. It discusses emerging challenges in the engineering and applications and considers issues with associated technologies. It covers the various way of utilizing high-k dielectrics in multi-gate FETs for enhancing their performance at the device as well as circuit level.

• Provides basic knowledge about FET devices
• Presents the motivation behind multi-gate FETs, including current and future trends in transistor technologies
• Discusses fabrication and characterization of high-k materials
• Contains a comprehensive analysis of the impact of high-k dielectrics utilized in the gate-oxide and the gate-sidewall spacers on the GIDL of emerging multi-gate FET architectures
• Offers detailed application of high-k materials for advanced FET devices
• Considers future research directions

This book is of value to researchers in materials science, electronics engineering, semiconductor device modeling, IT, and related disciplines studying nanodevices such as FinFET and Tunnel FET and device-circuit codesign issues.