ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology

دانلود کتاب دی الکتریک دروازه های بالا برای فناوری CMOS

High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology

مشخصات کتاب

High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology

ویرایش:  
 
سری:  
ISBN (شابک) : 9783527330324, 9783527646340 
ناشر:  
سال نشر: 2012 
تعداد صفحات: 572 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 14 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 28,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 16


در صورت تبدیل فایل کتاب High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب دی الکتریک دروازه های بالا برای فناوری CMOS نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب دی الکتریک دروازه های بالا برای فناوری CMOS

نمای کلی پیشرفته از مواد دی الکتریک با کیفیت بالا برای ترانزیستورهای اثر میدانی پیشرفته، هم از دیدگاه بنیادی و هم از منظر تکنولوژیکی، که آخرین نتایج تحقیقات و راه حل های توسعه را خلاصه می کند.
به این ترتیب، این کتاب به وضوح مزایای این مواد را نسبت به مواد معمولی مورد بحث قرار می دهد و همچنین به موضوعاتی می پردازد که با ادغام آنها در فناوری های تولید موجود همراه است. موضوعات پوشش داده شده عبارتند از: محدودیت‌های مقیاس کوچک‌سازی طرح‌های ترانزیستورهای فعلی، تکنیک‌های رسوب‌گذاری برای مواد دی‌الکتریک با k بالا، خصوصیات الکتریکی دستگاه‌های به‌دست‌آمده، و چشم‌اندازی نسبت به فناوری انباشته شدن ترانزیستور در آینده.
این مونوگراف با هدف دانشگاه و صنعت به طور یکسان، بخش‌های مقدماتی را ترکیب می‌کند. برای تازه واردان به این حوزه و همچنین بخش های پیشرفته با راه حل های قابل اجرا مستقیم برای محققان و توسعه دهندگان با تجربه در علم مواد، فیزیک و مهندسی برق.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

A state-of-the-art overview of high-k dielectric materials for advanced field-effect transistors, from both a fundamental and a technological viewpoint, summarizing the latest research results and development solutions.
As such, the book clearly discusses the advantages of these materials over conventional materials and also addresses the issues that accompany their integration into existing production technologies. Topics covered include downscaling limits of current transistor designs, deposition techniques for high-k dielectric materials, electrical characterization of the resulting devices, and an outlook towards future transistor stacking technology.
Aimed at academia and industry alike, this monograph combines introductory parts for newcomers to the field as well as advanced sections with directly applicable solutions for experienced researchers and developers in materials science, physics and electrical engineering.



فهرست مطالب


Content: 
Chapter 1 Scaling and Limitation of Si?Based CMOS (pages 1–29): Prof. Gang He, Prof. Zhaoqi Sun, Mao Liu and Lide Zhang
Chapter 2 Issues in High?k Gate Dielectrics and its Stack Interfaces (pages 31–59): Hong?Liang Lu and David Wei Zhang
Chapter 3 UV Engineering of High?k Thin Films (pages 61–76): Ian W. Boyd
Chapter 4 Atomic Layer Deposition Process of Hf?Based High?k Gate Dielectric Film on Si Substrate (pages 77–110): Tae Joo Park, Moonju Cho, Hyung?Suk Jung and Cheol Seong Hwang
Chapter 5 Structural and Electrical Characteristics of Alternative High?k Dielectrics for CMOS Applications (pages 111–184): Fu?Chien Chiu, Somnath Mondal and Tung?Ming Pan
Chapter 6 Hygroscopic Tolerance and Permittivity Enhancement of Lanthanum Oxide (La2O3) for High?k Gate Insulators (pages 185–223): Yi Zhao
Chapter 7 Characterization of High?k Dielectric Internal Structure by X?Ray Spectroscopy and Reflectometry: New Approaches to Interlayer Identification and Analysis (pages 225–271): Elena O. Filatova, Andrey A. Sokolov and Igor V. Kozhevnikov
Chapter 8 High?k Insulating Films on Semiconductors and Metals: General Trends in Electron Band Alignment (pages 273–292): Valeri V. Afanas'ev, Michel Houssa and Andre Stesmans
Chapter 9 Interface Engineering in the High?k Dielectric Gate Stacks (pages 293–318): Shijie Wang, Yuanping Feng and Alfred C. H. Huan
Chapter 10 Interfacial Dipole Effects on High?k Gate Stacks (pages 319–353): Li Qiang Zhu
Chapter 11 Metal Gate Electrode for Advanced CMOS Application (pages 355–378): Wenwu Wang, Xiaolei Wang and Kai Han
Chapter 12 Metal Gate/High?k CMOS Evolution from Si to Ge Platform (pages 379–405): Albert Achin
Chapter 13 Theoretical Progress on GaAs (001) Surface and GaAs/High?k Interface (pages 407–431): Weichao Wang, Ka Xiong, Robert M. Wallace and Kyeongjae Cho
Chapter 14 III–V MOSFETs with ALD High?k Gate Dielectrics (pages 433–470): Jack C. Lee and Han Zhao
Chapter 15 High?k Dielectrics in Ferroelectric Gate Field Effect Transistors for Nonvolatile Memory Applications (pages 471–499): Xubing Lu
Chapter 16 Rare?Earth Oxides as High?k Gate Dielectrics for Advanced Device Architectures (pages 501–530): Pooi See Lee, Mei Yin Chan and Peter Damarwan
Chapter 17 The Interaction Challenges with Novel Materials in Developing High?Performance and Low?Leakage High?k/Metal Gate CMOS Transistors (pages 531–555): Michael Chudzik, Siddarth Krishnan, Unoh Kwon, Mukesh Khare, Vijay Narayanan, Takashi Ando, Ed Cartier, Huiming Bu and Vamsi Paruchuri




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی