دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب High-K Gate Dielectrics
دانلود کتاب دی الکتریک گیت High-K
مشخصات کتاب
High-K Gate Dielectrics
دسته بندی: ابزار ویرایش: 1 نویسندگان: Michel Houssa سری: Series in Material Science and Engineering ISBN (شابک) : 0750309067, 9781420034141 ناشر: Taylor & Francis سال نشر: 2003 تعداد صفحات: 613 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 9 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 42,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب دی الکتریک گیت High-K: ابزار دقیق، نیمه هادی ها
در صورت تبدیل فایل کتاب High-K Gate Dielectrics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دی الکتریک گیت High-K نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب دی الکتریک گیت High-K
حرکت به سمت قطعات الکترونیکی کوچکتر و کوچکتر پیامدهای بزرگی برای موادی که در حال حاضر استفاده می شود دارد. از آنجایی که اثرات مکانیکی کوانتومی شروع به تسلط می‌کنند، مواد معمولی قادر به عملکرد در مقیاس‌های بسیار کوچکتر از موارد استفاده فعلی نیستند. به همین دلیل، مواد جدید با گذردهی الکتریکی بالاتر مورد نیاز خواهند بود، که این موضوع را به موضوع فعالیت تحقیقاتی فشرده در جامعه میکروالکترونیک تبدیل می‌کند. این کتاب که از مشارکت محققان برجسته اروپا و ایالات متحده تشکیل شده است، ابتدا تکنیک های مختلف رسوب گذاری مورد استفاده برای ساخت لایه ها در این ابعاد را شرح می دهد. سپس تکنیک های توصیف خواص فیزیکی، شیمیایی، ساختاری و الکترونیکی این مواد را در نظر می گیرد. این کتاب همچنین به بررسی کارهای نظری انجام شده در این زمینه می پردازد و با کاربردهای فناورانه به پایان می رسد.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
The drive toward smaller and smaller electronic componentry has huge implications for the materials currently being used. As quantum mechanical effects begin to dominate, conventional materials will be unable to function at scales much smaller than those in current use. For this reason, new materials with higher electrical permittivity will be required, making this is a subject of intensive research activity within the microelectronics community.High k Gate Dielectrics reviews the state-of-the-art in high permittivity gate dielectric research. Consisting of contributions from leading researchers from Europe and the USA, the book first describes the various deposition techniques used for construction of layers at these dimensions. It then considers characterization techniques of the physical, chemical, structural, and electronic properties of these materials. The book also reviews the theoretical work done in the field and concludes with technological applications.
فهرست مطالب
Contents......Page 3
Foreword......Page 7
1.1 High-k gate dielectrics: why do we need them?......Page 13
2.1 Atomic layer deposition......Page 27
2.2 Chemical vapour deposition......Page 75
2.3 Pulsed laser deposition of dielectrics......Page 99
3.1 Oxygen diffusion......Page 135
3.2 Defects in stacks of Si with nanometre thick high-k dielectric layers: characterization and identification by electron spin resonance......Page 200
3.3 Band alignment at the interfaces of Si and metals with high-permittivity insulating oxides......Page 227
3.4 Electrical characterization, modelling and simulation of MOS structures with high-k gate stacks......Page 261
4.1 Defects and defect-controlled behaviour in high-k materials: a theoretical perspective......Page 303
4.2 Chemical bonding and electronic structure of high-k transition metal dielectrics: applications to interfacial band offset energies and electronically active defects......Page 335
4.3 Electronic structure and band offsets of high-dielectric-constant gate oxides......Page 382
4.4 Reduction of the electron mobility in high-k MOS systems caused by remote scattering with soft interfacial optical phonons......Page 407
4.5 Ab initio calculations of the structural, electronic and dynamical properties of high-k dielectrics......Page 441
4.6 Defect generation under electrical stress: experimental characterization and modelling......Page 477
5.1 Device integration issues......Page 509
5.2 Device architectures for the nano-CMOS era......Page 534
5.3 High-k transistor characteristics......Page 570
Index......Page 609
نظرات کاربران
کتاب های مرتبط
دانلود کتاب Пристрої приймання та обробки сигналів
دانلود کتاب Compliant Mechanisms
دانلود کتاب Op Amp Applications FRONT MATTER
دانلود کتاب High Pressure Surface Science and Engineering
