دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Professor Dr. Michael Reisch (auth.)
سری: Springer Series in Advanced Microelectronics 11
ISBN (شابک) : 9783642632051, 9783642559006
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر: 2003
تعداد صفحات: 670
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 13 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ترانزیستورهای دوقطبی فرکانس بالا: فیزیک، مدل سازی، کاربردها: الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، مایکروویو، RF و مهندسی نوری
در صورت تبدیل فایل کتاب High-Frequency Bipolar Transistors: Physics, Modeling, Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ترانزیستورهای دوقطبی فرکانس بالا: فیزیک، مدل سازی، کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب ارائه مفصلی از ترانزیستورهای دوقطبی با فرکانس بالا در فناوری سیلیکون یا سیلیکون-ژرمانیوم با تأکید ویژه بر مدلهای فشرده پیشرفته امروزی و پایههای فیزیکی آنها ارائه میکند. بخش اول اصول ترانزیستورهای دوقطبی در سطح دانشجویی را معرفی می کند. بخش دوم فیزیک و مدل سازی ترانزیستورهای دوقطبی را با جزئیات در نظر می گیرد. قسمت 3 پیکربندی مدارهای پایه، جنبه های یکپارچه سازی فرآیند و برنامه ها را شرح می دهد.
The book gives a detailed presentation of high-frequency bipolar transistors in silicon or silicon-germanium technology with particular emphasis given to todays advanced compact models and their physical foundations. The first part introduces the fundamentals of bipolar transistors on a graduate student level. The second part considers the physics and modeling of bipolar transistors in detail. Part 3 describes basic circuit configurations, aspects of process integration and applications.
Front Matter....Pages II-XX
Front Matter....Pages 1-1
An Introductory Survey....Pages 3-116
Front Matter....Pages 117-117
Semiconductor Physics Required for Bipolar-Transistor Modeling....Pages 119-174
Physics and Modeling of Bipolar Junction Transistors....Pages 175-358
Physics and Modeling of Heterojunction Bipolar Transistors....Pages 359-410
Noise Modeling....Pages 411-459
Front Matter....Pages 461-461
Basic Circuit Configurations....Pages 463-509
Process Integration....Pages 511-550
Applications....Pages 551-574
Back Matter....Pages 575-658