دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization
دانلود کتاب هتروپیتاکسی نیمه هادی ها: نظریه، رشد، و خصوصیات
مشخصات کتاب
Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization
ویرایش: 1
نویسندگان: John E. Ayers
سری:
ISBN (شابک) : 0849371953
ناشر: CRC Press
سال نشر: 2007
تعداد صفحات: 448
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 7 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 37,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب هتروپیتاکسی نیمه هادی ها: نظریه، رشد، و خصوصیات نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب هتروپیتاکسی نیمه هادی ها: نظریه، رشد، و خصوصیات
هترواپیتاکسی در سال های اخیر به سرعت تکامل یافته است. با هر موج جدید از ترکیب مواد / بستر، درک ما از نحوه کنترل رشد کریستال بیشتر می شود. بیشتر کتاب‌های مربوط به این موضوع بر روی یک ماده یا خانواده مادی خاص تمرکز می‌کنند و فرآیندها و تکنیک‌های مناسب برای هرکدام را به طور محدود توضیح می‌دهند. بررسی اصول مشترک برای همه انواع مواد نیمه هادی، هترواپیتاکسی نیمه هادی ها: نظریه، رشد و مشخصه سازی اولین مقدمه جامع و اساسی در این زمینه است. این کتاب درک کنونی ما از هسته‌زایی، حالت‌های رشد، آرامش لایه‌های تحت فشار و پویایی نابجایی را بدون تاکید بر ماده خاصی منعکس می‌کند. نویسنده پس از مروری بر خواص نیمه هادی ها، روش های مهم رشد هترواپیتاکسیال را معرفی می کند و بررسی سطوح کریستال نیمه هادی، ساختار آنها و هسته زایی را ارائه می دهد. با این مبنا، کتاب توضیحات عمیقی از هترواپیتاکسی ناهماهنگ و شل‌شدن کرنش شبکه، ابزارهای مختلف مشخص‌سازی مورد استفاده برای نظارت و ارزیابی فرآیند رشد و در نهایت، رویکردهای مهندسی نقص ارائه می‌دهد. مثال‌های متعددی مفاهیم را برجسته می‌کنند در حالی که میکروگراف‌های گسترده، شماتیک‌های تنظیمات تجربی و نمودارها بحث را نشان می‌دهند. Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization که به عنوان نقطه شروع محکمی برای این منطقه به سرعت در حال تکامل است، اصول هترواپیتاکسی را به راحتی برای افرادی که آماده ورود به این حوزه هستند قابل دسترسی می کند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Heteroepitaxy has evolved rapidly in recent years. With each new wave of material/substrate combinations, our understanding of how to control crystal growth becomes more refined. Most books on the subject focus on a specific material or material family, narrowly explaining the processes and techniques appropriate for each. Surveying the principles common to all types of semiconductor materials, Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization is the first comprehensive, fundamental introduction to the field. This book reflects our current understanding of nucleation, growth modes, relaxation of strained layers, and dislocation dynamics without emphasizing any particular material. Following an overview of the properties of semiconductors, the author introduces the important heteroepitaxial growth methods and provides a survey of semiconductor crystal surfaces, their structures, and nucleation. With this foundation, the book provides in-depth descriptions of mismatched heteroepitaxy and lattice strain relaxation, various characterization tools used to monitor and evaluate the growth process, and finally, defect engineering approaches. Numerous examples highlight the concepts while extensive micrographs, schematics of experimental setups, and graphs illustrate the discussion. Serving as a solid starting point for this rapidly evolving area, Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization makes the principles of heteroepitaxy easily accessible to anyone preparing to enter the field.
