دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Prof. Dr. Heinz Beneking, Dr. Ulrich Langmann, Dipl.-Phys. Peter Lenz (auth.) سری: Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen 2382 ISBN (شابک) : 9783531023823, 9783322880963 ناشر: VS Verlag für Sozialwissenschaften سال نشر: 1974 تعداد صفحات: 92 زبان: German فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 2 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ساخت و بررسی تک بلورهای گالیم آرسنید: علم، عمومی
در صورت تبدیل فایل کتاب Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid-Einkristallen به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ساخت و بررسی تک بلورهای گالیم آرسنید نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
کتابشناسی 47 58 شکل 86 فهرست نامگذاری ها برای بخش 5 - 1 - تولید و بررسی تک کریستال های آرسنید گالیم کار حاضر در مورد تلاش ها برای تولید تک کریستال های آرسنید گالیم و تحقیقات مواد روی چنین بلورهای نیمه هادی گزارش می دهد. روش GREMMELMAIER به عنوان روش رشد کریستال +) در نظر گرفته می شود. 1. مقدمه آرسنید گالیم متعلق به گروه نیمه هادی های مرکب III-V است که خواص آن برای اولین بار توسط NELKER [1] در سال 1952 گزارش شد. خواص آرسنید گالیم منجر به توسعه تعداد زیادی از اجزای الکترونیکی W"» (شکل 1) [3 - 10، 12J. در ساخت قطعات، آماده سازی تک بلورها در ابتدای یک سری قرار دارد. از مراحل فرآیند (شکل 2 بنابراین، تقاضاهای زیادی بر روی خواص کریستالوگرافی و الکتریکی این کریستال ها اعمال می شود. برای تولید اقتصادی تک بلورها، ترجیحاً از فرآیندهای تبلور از مذاب استوکیومتری استفاده می شود: 1. فرآیند BRIDGMAN: در اینجا مذاب از طریق یک گرادیان درجه حرارت تند اجرا می شود. 2 3. فرآیند NACKEN-KYROPOULOS: در اینجا یک بلور بذر سرد شده در مذاب فرو می رود.
Lite raturve rz eichnis 47 58 Abbildungen 86 Liste der Bezeichnungen zu Abschnitt 5 - 1 - Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid - Einkristallen Die vorliegende Arbeit berichtet tiber Versuche zur Herstellung von Galliumarsenid-Einkristallen und tiber Materialuntersuchungen an solchen Halbleiterkristallen. Als Kristallzuchtverfahren wird das GREMMELMAIER-Verfahren behandelt +) • 1m Mittelpunkt der Ma terialuntersuchungen stehen Messungen der Tragerlebensdauer an Epitaxieschichten. 1. Einleitung Galliumarsenid geh6rt zur Gruppe der III-V-Verbindungshalbleiter, tiber deren Eigenschaften NELKER [1 J im Jahre 1952 zuerst be richtet hat. Die Eigenschaften von Galliumarsenid haben zur Ent wicklung einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen W"'fiihrt (Abb. 1) [3 - 10, 12J. In der Herstellung von Bauelementen steht die Praparation von Ein kristallen am Anfang einer Reihe von Verfahrensschritten (Abb. 2). Daher werden an die kristallographischen und elektrischen Eigenschaften dieser Kristalle besonders-hohe Anforderungen gestellt. Zur wirtschaftlichen Herstellung von Einkristallen werden vorzugsweise Kristallisationsverfahren aus einer st6chiometrischen Schmelze verwendet: 1. Das BRIDGMAN -Verfahren: Hier wird die Schmelze durch einen steilen Temperaturgradienten gefahren. 2. Das NACKEN-KYROPOULOS-Verfahren: Hier wird ein gektihlter Keimkristall in die Schmelze getaucht. 3. Das CZOCHRALSKI-Verfahren: Hier wird ein Keimkristall lang sam aus der Schmelze herausgezogen [11].
Front Matter....Pages i-iv
Einleitung....Pages 1-3
Kristallqualität [14]....Pages 4-12
Beschreibung eines Kristallziehversuches [14]....Pages 12-17
Versuche zur Optimierung der Kristallzuchtparameter [14]....Pages 17-29
Meßtechnische Untersuchungen an GaAs-Einkristallen [64]....Pages 30-46
Zusammenfassung....Pages 46-46
Back Matter....Pages 47-88