دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Hadis Morkoç
سری:
ISBN (شابک) : 3527408371, 9783527408375
ناشر: Wiley-VCH
سال نشر: 2008
تعداد صفحات: 1316
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 15 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
در صورت تبدیل فایل کتاب Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Materials Properties, Physics and Growth (Handbook of Nitride Semiconductors and Devices (VCH)) (Volume 1) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب هندبوک نیمه هادی ها و دستگاه های نیترید، خواص مواد، فیزیک و رشد (کتاب راهنمای نیمه هادی ها و دستگاه های نیترید (VCH)) (جلد 1) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
سه جلد این کتاب راهنما به اصول، فناوری و نانوتکنولوژی نیمه هادی های نیترید با وضوح و عمق فوق العاده ای پرداخته است. آنها تمام اصول اولیه لازم فیزیک و مهندسی نیمه هادی ها و دستگاه ها را همراه با یک بخش مرجع گسترده ارائه می دهند. جلد 1 به خواص و رشد GaN می پردازد. روشهای رسوبگذاری در نظر گرفته شده عبارتند از: VPE هیدرید، CVD آلی فلزی، MBE، و رشد مایع/فشار بالا. علاوه بر این، عیوب گسترده و ماهیت الکتریکی آنها، نقص نقطه و دوپینگ بررسی می شود.
The three volumes of this handbook treat the fundamentals, technology and nanotechnology of nitride semiconductors with an extraordinary clarity and depth. They present all the necessary basics of semiconductor and device physics and engineering together with an extensive reference section. Volume 1 deals with the properties and growth of GaN. The deposition methods considered are: hydride VPE, organometallic CVD, MBE, and liquid/high pressure growth. Additionally, extended defects and their electrical nature, point defects, and doping are reviewed.
I-LXIII......Page 1
1-129......Page 64
131-321......Page 193
323-816......Page 384
817-1229......Page 878
1231-1255......Page 1291
1257......Page 1316