Handbook of Crystal Growth. Thin Films and Epitaxy: Materials, Processes, and Technology. Volume III, Part B

دسته بندی: فیزیک حالت جامد
ویرایش:  
نویسندگان: Kuech Thomas F. (Ed.)  
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 1346 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 115 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 33,000

ویرایش دوم — Elsevier, 2015. — 1385 p. ویژگی های کلیدی
جلد IIIA تکنیک های اساسی
مقدمه ای بر فرآیندهای رشد همپایی اصلی و زیربنای مفاهیم علمی مورد استفاده برای درک و توسعه فرآیندهای جدید.
تکنیک ها و فناوری های جدیدی را برای توسعه ساختارهای سه بعدی مانند نقاط کوانتومی، نانو سیم ها، میله ها و رشد الگو ارائه می کند
مفاهیم اساسی را معرفی و استفاده می کند. ترمودینامیک، حمل و نقل و سطح مقطع گسترده ای از فرآیندهای جنبشی که متن سطح اتمی فرآیند رشد را تشکیل می دهند
جلد IIIB مواد، فرآیندها و فناوری
رسوب دهی همپایه سطح اتمی و سایر تکنیک های رشد در دمای پایین را توصیف می کند.
هم توسعه جریانهای ناهمخوان حرارتی و هم شبکه ای را به عنوان تکنیک های مورد استفاده برای توصیف خواص ساختاری این مواد ارائه می دهد
بحث عمیقی در مورد تکنیک های رشد همپایی مرتبط با مواد مبتنی بر سیلیکون سیلیکونی، نیمه هادی های ترکیبی ارائه می کند. ، نیتریدهای نیمه رسانا و مواد دیرگداز

شرح
جلد IIIA تکنیک های اساسی
کتابچه رشد کریستال، ویرایش دوم جلد IIIA (تکنیک های اساسی)، ویرایش شده توسط کارشناس مهندسی شیمی و بیولوژیکی توماس F. Kuech، علم و فناوری زیربنایی مرتبط با رشد همبستگی و همچنین برجسته کردن بسیاری از مناطق اصلی و رو به رشد برای رشد همپایی را ارائه می دهد. جلد IIIA بر تکنیک‌های رشد اصلی تمرکز دارد که هم در بررسی علمی فرآیندهای رشد کریستال و هم در توسعه تجاری ساختارهای همپایی پیشرفته استفاده می‌شوند. تکنیک‌های مبتنی بر رسوب‌گذاری خلاء، اپیتاکسی فاز بخار و اپیتاکسی فاز مایع و جامد همراه با تکنیک‌های جدید برای توسعه نانوساختارهای سه‌بعدی و میکرو ارائه شده‌اند.
جلد IIIB مواد، فرآیندها و فناوری
خوانندگان
دانشمندان و مهندسان با پیشینه‌های مختلف (آکادمیک/صنعتی) از جمله تولیدکنندگان کریستال، فیزیکدانان، شیمی‌دانان، مهندسان، مهندسان زیستی، دانشمندان حالت جامد، دانشمندان مواد، دانشمندان زمین و غیره.

2nd ed. — Elsevier, 2015. — 1385 p. Key Features
Volume IIIA Basic Techniques
Provides an introduction to the chief epitaxial growth processes and the underpinning scientific concepts used to understand and develop new processes.
Presents new techniques and technologies for the development of three-dimensional structures such as quantum dots, nano-wires, rods and patterned growth
Introduces and utilizes basic concepts of thermodynamics, transport, and a wide cross-section of kinetic processes which form the atomic level text of growth process
Volume IIIB Materials, Processes, and Technology
Describes atomic level epitaxial deposition and other low temperature growth techniques
Presents both the development of thermal and lattice mismatched streams as the techniques used to characterize the structural properties of these materials
Presents in-depth discussion of the epitaxial growth techniques associated with silicone silicone-based materials, compound semiconductors, semiconducting nitrides, and refractory materials

Description
Volume IIIA Basic Techniques
Handbook of Crystal Growth, 2nd Edition Volume IIIA (Basic Techniques), edited by chemical and biological engineering expert Thomas F. Kuech, presents the underpinning science and technology associated with epitaxial growth as well as highlighting many of the chief and burgeoning areas for epitaxial growth. Volume IIIA focuses on major growth techniques which are used both in the scientific investigation of crystal growth processes and commercial development of advanced epitaxial structures. Techniques based on vacuum deposition, vapor phase epitaxy, and liquid and solid phase epitaxy are presented along with new techniques for the development of three-dimensional nano-and micro-structures.
Volume IIIB Materials, Processes, and Technology
Handbook of Crystal Growth, 2nd Edition Volume IIIB (Materials, Processes, and Technology), edited by chemical and biological engineering expert Thomas F. Kuech, describes both specific techniques for epitaxial growth as well as an array of materials-specific growth processes. The volume begins by presenting variations on epitaxial growth process where the kinetic processes are used to develop new types of materials at low temperatures. Optical and physical characterizations of epitaxial films are discussed for both in situ and exit to characterization of epitaxial materials. The remainder of the volume presents both the epitaxial growth processes associated with key technology materials as well as unique structures such as monolayer and two dimensional materials. Readership
Scientists and engineers from diverse (academic/industrial) backgrounds including crystal growers, physicists, chemists, engineers, bioengineers, solid state scientists, materials scientists, earth scientists, etc.