دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Paul H. Holloway and Gary E. McGuire (Eds.)
سری:
ISBN (شابک) : 9780815513742
ناشر: William Andrew
سال نشر: 1996
تعداد صفحات: 918
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 18 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Handbook of Compound Semiconductors. Growth, Processing, Characterization, and Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب راهنمای نیمه هادی های مرکب. رشد ، پردازش ، خصوصیات و دستگاهها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب پیشرفتهای اخیر و فنآوریهای کنونی مورد استفاده برای تولید دستگاههای میکروالکترونیک و نوری از نیمهرساناهای مرکب را بررسی میکند. این یک نمای کلی از فناوریهای لازم برای رشد بسترهای تک کریستالی حجیم، رشد فیلمهای هترو یا هماپیتاکسیال، و پردازش دستگاههای پیشرفته مانند HBT، لیزرهای دیود QW و غیره را ارائه میدهد.
This book reviews the recent advances and current technologies used to produce microelectronic and optoelectronic devices from compound semiconductors. It provides a complete overview of the technologies necessary to grow bulk single-crystal substrates, grow hetero-or homoepitaxial films, and process advanced devices such as HBT's, QW diode lasers, etc.
Content:
Preface, Pages vii-viii, Paul H. Holloway, Gary E. McGuire
Contributors, Pages ix-x
1 - Bulk Crystal Growth, Pages 1-28, Shin-ichi Akai, Masamichi Yokogawa
2 - MOCVD of Compound Semiconductor Layers, Pages 29-83, Eberhard Veuhoff
3 - Molecular Beam Epitaxy, Pages 84-169, Kambiz Alavi
4 - Physical and Chemical Deposition of Metals as Ohmic Contacts to InP and Related Materials, Pages 170-250, Avishay Katz
5 - Surface Processing of III–V Semiconductors, Pages 251-284, Sidney I. Ingrey
6 - Ion Implantation Induced Extended Defects in GaAs, Pages 285-327, Kevin S. Jones
7 - Passivation of GaAs and InP, Pages 328-369, Vinod Malhotra, Carl W. Wilmsen
8 - Wet and Dry Etching of Compound Semiconductors, Pages 370-441, Stephen J. Pearton
9 - Rapid Isothermal Processing (RIP), Pages 442-517, Rajendra Singh
10 - Epitaxial Lift-Off for Thin Film Compound Semiconductor Devices, Pages 518-562, Nan Marie Jokerst
11 - Packaging, Pages 563-612, Eric Y. Chan
12 - Chemical, Structural and Electronic Characterization of Compound Semiconductor Surfaces and Interfaces by X-ray Photoelectron Spectroscopy and Diffraction Techniques, Pages 613-652, Scott A. Chambers
13 - Characterization of Compound Semiconductor Material by Ion Beams, Pages 653-677, Stephen W. Downey
14 - Optical Characterization of Compound Semiconductors, Pages 678-771, Brian J. Skromme
15 - Gallium Arsenide Microelectronic Devices and Circuits, Pages 772-812, Richard Y. Koyama
16 - Optoelectronic Devices, Pages 813-865, Derek L. Lile
Index, Pages 866-914